【課題】結晶の成長工程（コーン工程や直胴工程等）や操業条件（結晶の回転数や回転方向等）に対応でき、安定して結晶径等を制御でき、安定した結晶成長を行うことが可能なＦＺ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による半導体単結晶棒の製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＺ法による半導体単結晶棒の製造方法であって、少なくとも、前記半導体単結晶棒等のパラメータの値を検出する段階と、該検出値から誘導加熱コイルへの電力や原料結晶棒の移動速度の制御値を計算する段階と、上記電力や移動速度を制御する段階を、周期的に自動実施してフィードバック制御して半導体単結晶棒を成長させるときに、成長中に、検出段階、制御値計算段階および制御段階の少なくとも１つの段階の周期を変更し、フィードバック制御しつつ、半導体単結晶棒を製造する半導体単結晶棒の製造方法。 （もっと読む）

【課題】特に１５０ｍｍ以上の大直径の半導体単結晶でも、結晶形状の悪化が抑えられ、径方向の面内抵抗率分布を制御することができ、特には面内での抵抗率のバラツキを低減することが可能なＦＺ法による半導体単結晶の製造方法、およびこのような製造方法を実施可能な半導体単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】誘導加熱コイルにより原料結晶を回転させながら部分的に加熱溶融して溶融帯を形成し、溶融帯を原料結晶の一端部から他端部へ移動させて、半導体単結晶を回転させながら成長させて製造するＦＺ法半導体単結晶の製造方法であって、半導体単結晶を成長中に、半導体単結晶の回転方向を交互に変更するとともに原料結晶の回転方向および／または回転数を変更して、半導体単結晶を成長させる半導体単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＴＧＧ単結晶よりもベルデ定数が大きな磁気光学素子用の結晶体及び、等軸晶系以外の結晶体を磁気光学素子に適用する方法を提供する。
【解決手段】磁気光学素子用の複合酸化物であってその化学組成がＭＶＯ_４（ＭはＳｃ、Ｙ、ランタノイドから選択した１種類以上の元素）である単結晶であって、フローティングゾーン法（ＦＺ法）等の融液からの結晶成長法によって単結晶化される。更に、当該単結晶を用いることにより、磁気光学素子の構成を単結晶の結晶方位のｃ軸をレーザの伝搬方向と一致させたレーザ用の磁気光学デバイスが得られる。 （もっと読む）

【課題】ＦＺ法（フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法）により大口径の単結晶を製造する際にも、原料結晶棒の溶融パワーを低減することができ、これによって浮遊帯域の最細部を太くし、安定した単結晶成長を行うことができ、更には単結晶製造時におけるパワー低減による誘導加熱コイルのスリット間での放電の改善及び省エネを達成することができる単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】原料結晶棒１を誘導加熱コイル７で加熱して浮遊帯域１０を形成し、前記浮遊帯域１０を下方から上方に向けて移動させることで単結晶棒２を前記浮遊帯域１０の下方に育成するＦＺ法による単結晶製造方法であって、少なくとも、前記浮遊帯域１０の上方に位置する前記原料結晶棒１の周囲に、該原料結晶棒１を保温する保温筒１４を設置して前記単結晶棒２を育成することを特徴とする単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】成長速度が大きく、高周波コイルだけに頼らないで四角形状の温度分布が容易に制御でき、結晶欠陥の形成が抑制され、抵抗率の面内分布が均一化された四角形の断面を有する単結晶シリコンの育成方法、及び四角形のシリコンウェ−ハを提供する。
【解決手段】育成炉内に設けた高周波コイル（８）によりシリコン原料棒（１）を加熱溶融して単結晶シリコン（２）を育成するＦＺ法による四角形の断面を有する単結晶シリコンの育成方法において、高周波コイル（８）の下面側に四角形の型枠（９）を設け、四角形の型枠（９）をシリコン原料棒（１）が溶融した融液に接触させることを特徴とする。また、ＦＺ法により育成された四角形の断面を有する単結晶シリコンをスライスした四角形の単結晶シリコンウェ−ハであって、抵抗率が四回対称の面内分布を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気磁気効果（マルチフェロイック）デバイス、強誘電デバイス、ピエゾデバイス等に用いることのできるBiFeO₃の大型単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】上下２つの結晶駆動軸の一方に支持されたBiFeO₃の高密度な原料棒３と、他方の結晶駆動軸に支持された種結晶棒４と、両棒の間に載置されたフラックス（溶融剤）５を用い、溶融帯域法（フローティングゾーン法）によりフラックス５を加熱して溶融帯域７を形成し、酸素、不活性ガス、又は、それらの混合ガスの雰囲気下で単結晶を育成してBiFeO₃単結晶棒を作製する。 （もっと読む）

【課題】超低圧の酸素分圧の精製ガスを提供し得る酸素分圧制御装置、また、従来可能な低酸素分圧を得る上で製造コストを低廉化し得る酸素分圧制御装置を提供する。
【解決手段】酸素分圧を制御したガスを精製するガス精製部１と、処理装置Ｆにガス精製部１から精製ガスを供給して該ガス精製部に環流させるための循環路４と、該循環路中に設けられた循環用ポンプ５とを備え、ガス精製部１は、酸素ポンプ２１と水素ポンプ３１とを備え、循環路４が、ガス精製部１及び循環用ポンプ５を経る共通流路４１と、該共通流路から、処理装置Ｆを経る流路を形成する作動流路４２と、該共通流路から、処理装置Ｆを経ない循環のための流路を形成するバイパス流路４３とを備えていることを特徴とする酸素分圧制御装置。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶のインゴットにおいて、結晶成長軸方向の抵抗率分布の傾きを小さくすることが可能なシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決方法】チョクラルスキー法（ＣＺ法）により、リンを添加した多結晶シリコンの融液１２を原料として、インゴット１の引き上げが進むことに応じて結晶成長速度Ｖを増加させてインゴットを形成する工程を備える。また、フローティングゾーン法（ＦＺ法）により、形成されたインゴット１の引き上げの終端Ａ２から引き上げの初端Ａ１に向かってゾーニングすることでインゴットを再結晶化させ、インゴット２を生成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】育成すべき素材の融点、直径などが異なる場合であっても、単結晶の安定成長の条件を得ることができ、これにより、望まれる直径の高品質単結晶の育成を図ることができ、しかも加熱強度分布の変動を少なくし、結晶育成が容易な単結晶育成装置および単結晶育成方法を提供する。
【解決手段】上結晶駆動軸８に支持された原料棒１４と、下結晶駆動軸１２に支持された種結晶棒１６と、加熱手段とを有し、原料棒１４と種結晶棒１６との接触部分を加熱手段で加熱して溶融帯域１８を形成して単結晶を育成する単結晶育成装置において、加熱手段が同等の照射強度のレーザ光を放射する複数の矩形レーザ２ａ、…２ｅと光学手段とから構成されるとともに、溶融帯域１８の円周方向に配設されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化シリコン層からなる半導体基板を製造する技術に関し、特にシリコン基板の表層部がさらに応力緩和炭化シリコン層を有する半導体基板を製造する技術を提供する。
【解決手段】下記のステップ：（１）シリコン半導体基板を用意し（２）シリコン基板内に炭素イオンを注入してケイ素と炭素の混在した炭素含有層を形成するステップと（３）基板を熱処理して炭素含有層を応力緩和炭化シリコン膜層と酸化膜キャップを形成するステップと（４）酸化膜キャップを除去するステップと（５）第２の酸化膜キャップを形成するステップと（６）応力緩和炭化シリコン膜層と第２の酸化膜キャップとの間のシリコン層に炭素イオンを注入して、ケイ素と炭素の混在した炭素含有層を形成するステップと（７）基板を熱処理して炭素含有層を結晶成長炭化ケイ素膜層とするステップと（８）基板の表面に形成された酸化膜キャップを除去するステップを順次実施する。 （もっと読む）

【課題】単結晶や多結晶の結晶成長を行う際に、原料融液の漏れを即時に検知できる漏洩検出方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る漏洩検出方法では、シリコンウエーハに双極電極を設けて形成した検出手段を、原料を溶融させる坩堝を内包する炉の底部一面に敷設し、前記検出手段の電極間の短絡及び／又は電流の変化を検出する。前記検出手段は、シリコンウエーハ間に薄板ゲルマニューム単結晶を挟んだ状態で、前記薄板ゲルマニューム単結晶の融点近傍まで昇温し、前記シリコンウェーハを前記薄板ゲルマニューム単結晶で接着し一体化したもので構成されたものであってもよい。 （もっと読む）

【課題】透過率が高く、高濃度に３価のＴｂイオンを含む磁気光学素子用酸化テルビウム結晶を提供する。
【解決手段】組成式（Ｔｂ_１−ａＭ_ａ）_２Ｏ_３（式中、ＭはＥｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｈｆから選択される一種以上の元素、０．０１≦ａ＜０．３）で示される結晶系が立方晶系の結晶体であって、１．０６μｍと５３２ｎｍにおける３ｍｍ長さあたりの直線透過率がいずれも７０％以上であることを特徴とする、磁気光学素子用透光性酸化テルビウム結晶であり、製法としては、水冷した容器１の中に結晶育成用の原料２を充填し、原料の中央部を高温に加熱融解するが、水冷容器に接する原料２の外側部分の外皮２ａは溶融せず、スカル状に焼結緻密化して坩堝として作用させ、原料２を充分溶融してから高周波パワーを減らし、容器１を下げて底から冷却して結晶化させるスカルメルト法が好適であるが、フローティングゾーン法を採用することもできる。 （もっと読む）

【課題】酸素を含有するシリコン原料素材を用いてフローティングゾーン法でシリコン単結晶を製造する際に、炉内でのＳｉＯ_２の析出・付着を効果的に抑制することが可能なシリコン単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】フローティングゾーン法を用いてシリコン単結晶３を製造する装置１０であって、酸素を含有するシリコン原料素材１および種結晶２上に育成したシリコン単結晶３を収容する炉Ｃと、炉内のシリコン原料素材１と種結晶２との間に位置し、シリコン原料素材１を溶融して溶融帯Ｍを形成し、種結晶２上にシリコン単結晶３を育成するための誘導加熱コイル８と、シリコン原料素材１と誘導加熱コイル８との間に位置し、不活性ガスを吹き付けてシリコン原料素材１の溶融により発生するＳｉＯガスを外方拡散させる不活性ガス吹付け手段９とを備える。 （もっと読む）

【課題】円錐形の管の管端部のこのような凝固を確実に防止する。
【解決手段】この課題は、粒体の包囲溶融によりシリコンから単結晶を製作するための方法において、シリコン製の回転プレートの下位に配置された誘導加熱コイルにより、単結晶の円錐形に拡張された区分を結晶化させ、誘導溶融されたシリコンを、前記プレートの中央開口を取り囲んでおり且つ前記プレートの下方に延びる前記プレートの円錐形の管を通して、単結晶の円錐形に拡張された区分上に位置し且つ円錐形の管の管端部に接触している溶融物に供給し、しかも、単結晶の円錐形に拡張された区分が１５〜３０ｍｍの直径を有して結晶化される限りは、前記管端部の外径が１５ｍｍを下回らないように、前記プレートの下位に配置された誘導加熱コイルによって十分なエネルギを供給することによって解決される。 （もっと読む）

【課題】β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶の導電性制御を効率よく行うことができるＧａ_２Ｏ_３系単結晶の導電率制御方法を提供する。
【解決手段】ｎ型β−Ｇａ_２Ｏ_３基板と、このｎ型β−Ｇａ_２Ｏ_３基板の上に、ｎ型β−ＡｌＧａＯ_３クラッド層、活性層、ｐ型β−ＡｌＧａＯ_３クラッド層およびｐ型β−Ｇａ_２Ｏ_３コンタクト層とを備えた発光素子において、Ｓｉ濃度を１×１０^−５〜１ｍｏｌ％に変化させることにより、抵抗率が２．０×１０^−３〜８×１０^２Ωｃｍ、キャリア濃度が５．５×１０^１５〜２．０×１０^１９／ｃｍ^３の範囲に制御するものである。 （もっと読む）

【課題】面内抵抗が均一なＦＺ法（フローティングゾーン法）によるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン原料を部分的に加熱溶融して溶融帯を形成し、該溶融帯からシリコン単結晶１０を成長させるＦＺ法により不純物をドープしたシリコン単結晶インゴットから得られるシリコンウェーハの製造方法であって、製品ウェーハの抵抗保証直径Ｗ１よりも25mm以上大きな直径Ｗで、前記シリコン単結晶１０の直胴部１２を形成する工程と、該直胴部１２の外周面１２ａを製品規格直径Ｗ２まで研削する工程とを含む。前記不純物は、リン、又はボロンであり、前記不純物のドーピングは、前記溶融帯に前記不純物をガスドープする。 （もっと読む）

【課題】管状延長部の端部においてメルトが凍結して固体になり、連続的に流動するシリコンの膜が中断されないようにする。
【解決手段】顆粒を再溶融させることによってシリコンから成る単結晶を製造するための装置において、シリコンから成る回転するプレートが、中央の開口と、開口を包囲しておりかつプレートの下方に延びたシリコンから成る管状延長部とを有しており、顆粒を溶融させるための、プレートの上方に配置された第１の誘導加熱コイルが設けられており、溶融した顆粒を結晶化するための、プレートの下方に配置された第２の誘導加熱コイルが設けられており、第２の誘導加熱コイルが、シリコンから成るプレートと向き合った側において透磁性材料から成る下側層と、上側層とを有しており、該上側層に、冷媒を流通させるための少なくとも１つの冷却チャネルが設けられている。 （もっと読む）

【課題】単結晶の育成の監視を簡略化することができ、しかも精度よく単結晶を育成することができる単結晶育成装置及び単結晶育成方法を提供する。
【解決手段】楕円面鏡１１，１２の一方の焦点Ｆ1，Ｆ2近傍に配置された赤外線ランプ１３，１４から照射される赤外線を、楕円面鏡１１，１２で反射させ、共通の他方の焦点Ｆ0に位置する被加熱部１５に集光させて赤外線加熱し、単結晶原料と種結晶間の被加熱部１５に形成された溶融帯２を次第に単結晶原料側に移動させながら単結晶を育成する単結晶育成装置において、溶融帯２の形状を監視する監視手段２９及び溶融帯２の温度を監視する温度測定手段３４とを備え、単結晶の育成を、監視手段２９を介して監視するとともに、温度測定手段３４により温度を監視する。 （もっと読む）