顆粒を再溶融させることによってシリコンから成る単結晶を製造するための装置
【課題】管状延長部の端部においてメルトが凍結して固体になり、連続的に流動するシリコンの膜が中断されないようにする。
【解決手段】顆粒を再溶融させることによってシリコンから成る単結晶を製造するための装置において、シリコンから成る回転するプレートが、中央の開口と、開口を包囲しておりかつプレートの下方に延びたシリコンから成る管状延長部とを有しており、顆粒を溶融させるための、プレートの上方に配置された第１の誘導加熱コイルが設けられており、溶融した顆粒を結晶化するための、プレートの下方に配置された第２の誘導加熱コイルが設けられており、第２の誘導加熱コイルが、シリコンから成るプレートと向き合った側において透磁性材料から成る下側層と、上側層とを有しており、該上側層に、冷媒を流通させるための少なくとも１つの冷却チャネルが設けられている。
【解決手段】顆粒を再溶融させることによってシリコンから成る単結晶を製造するための装置において、シリコンから成る回転するプレートが、中央の開口と、開口を包囲しておりかつプレートの下方に延びたシリコンから成る管状延長部とを有しており、顆粒を溶融させるための、プレートの上方に配置された第１の誘導加熱コイルが設けられており、溶融した顆粒を結晶化するための、プレートの下方に配置された第２の誘導加熱コイルが設けられており、第２の誘導加熱コイルが、シリコンから成るプレートと向き合った側において透磁性材料から成る下側層と、上側層とを有しており、該上側層に、冷媒を流通させるための少なくとも１つの冷却チャネルが設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、顆粒を再溶融させることによってシリコンから成る単結晶を製造するための装置に関する。装置は、シリコンから成る回転するプレートを有しており、このプレートは、中央開口と、シリコンから成る管状延長部とを有しており、この管状延長部は、開口を包囲しておりかつプレートよりも下方へ延びており、装置はさらに、顆粒を溶融させるための、プレートの上方に配置された第１の誘導加熱コイルと、溶融した顆粒を結晶化させるための、プレートの下方に配置された第２の誘導加熱コイルとを有している。
【背景技術】
【０００２】
このタイプの装置による単結晶の製造は、フローティングゾーン法（ＦＺ法）と同様である。特定の相違点は、シリコンから成る多結晶フィードロッドの代わりに、シリコンから成る実質的に多結晶の顆粒が再溶融されることである。流動床における沈殿によって顆粒を得ることができる。顆粒を溶融させ、溶融した顆粒を結晶化させるために、それぞれ専用の誘導加熱コイル（"誘導コイル"）が使用され、前記コイルは、シリコンから成る回転プレートの上方及び下方にそれぞれ配置されている。シリコンから成るプレートに供給された顆粒はそこで誘導的に溶融され、液体シリコンの膜として、プレートに設けられた中央開口を通って、シリコンから成る管状延長部に沿って、シリコンから成る成長する単結晶の端部において形成するメルトへ流れる。
【０００３】
方法の開始時に、管状延長部は、この時点ではまだ下縁部における固体シリコンの層によって閉鎖されており、プレートの下方に配置された誘導加熱コイルによってまず溶融され、小さな体積の液体シリコンが生じる。管状延長部の下縁部は、誘導加熱コイルに設けられた内側孔の縁部からできるだけ短い距離に配置され、これにより、高いエネルギ密度が誘導的に管状延長部と、溶融したシリコンの形成しつつある体積とに伝達される。このために、プレートの下方に配置された誘導加熱コイルは横方向に移動させられる。その後、単結晶の種結晶が溶融したシリコンの体積に取り付けられ、ＦＺ法によれば、まず細いネック、次いで円錐形に端部直径まで延びた単結晶の区分、最後に一定の所望の直径を有する区分が、結晶化される。溶融されるシリコンの所要の材料は、管状延長部の部分的な溶融によって、閉鎖している層の溶融によって、プレートの上側の部分的な溶融によって、及びその後のシリコンから成る顆粒の溶融によって、提供される。プレートの下方に配置された誘導加熱コイルに設けられた内側孔を通って延びるメルトが形成される。一定の所望の直径を有する部分が結晶化される時、又は適切であるならば既に前もって、誘導加熱コイル及びメルトは、メルトが誘導加熱コイルに設けられた内側孔を通って実質的に対称的に延びるように、互いに配置される。
【０００４】
独国特許出願公開第１０２０４１７８号明細書には、方法、及びこの方法を実施するのに適した装置が記載されている。これらの装置のうち幾つかは、シリコンから成るプレートと、第２の誘導加熱コイルとの間に配置された、金属から成る水冷式遮蔽板を有している。水冷式遮蔽板は、シリコンから成るプレートを、第２の誘導加熱コイルの電磁界から遮蔽するために働くと共に、シリコンから成るプレートから熱を放散するためのヒートシンクとして働く。
【０００５】
作動中、遮蔽プレートは大きな熱負荷を受け、その結果、遮蔽プレートは湾曲する傾向がある。これに対応して、湾曲を回避するために遮蔽プレートがより厚く形成されているか、又は遮蔽プレートが第２の誘導加熱コイル又はシリコンから成るプレートに接触することなく湾曲することができるように十分な空間が軸方向で残されている場合に、管状延長部の端部においてメルトが固まって固体になるリスクがあり、連続的に流動するシリコンの膜が中断される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】独国特許出願公開第１０２０４１７８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の課題は、不都合な結果を生じることなくこのリスクを排除することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題は、シリコンから成る回転するプレートが設けられており、該プレートが、中央の開口と、該開口を包囲しておりかつプレートの下方に延びたシリコンから成る管状延長部とを有しており、顆粒を溶融させるための、プレートの上方に配置された第１の誘導加熱コイルが設けられており、溶融した顆粒を結晶化するための、プレートの下方に配置された第２の誘導加熱コイルが設けられており、第２の誘導加熱コイルが、シリコンから成るプレートと向き合った側において透磁性材料から成る下側層と、上側層とを有しており、該上側層に、冷媒を案内するための少なくとも１つの冷却チャネルが設けられている、顆粒を再溶融させることによってシリコンから成る単結晶を製造するための装置によって達成される。
【０００９】
回転するプレートは、中央開口と、開口を包囲しかつプレートの下方へ延びた、シリコンから成る管状延長部とを有している。第２の誘導加熱コイルは、シリコンから成るプレートと向き合った側において透磁性材料から成る下側層と、冷媒を流通させるための少なくとも１つの冷却チャネルが設けられた上側層とを有している。第２の誘導加熱コイルは、好適には銀又は銅から製造されている。下側層は、第２の誘導加熱コイルと直接に熱接触しており、上側層は、下側層と直接に熱接触している。上側層と、第２の誘導加熱コイルとは、互いに直接に電気的に隔離されている。第２の誘導加熱コイルに設けられた内側孔の周囲に位置する上側層の縁部にスロットを設けることができ、第２の誘導加熱コイルが上側層のこの領域に誘導的に結合する状況を妨げる。上側層の冷却チャネルを通流する冷媒、例えば水は、第２の誘導加熱コイルと向き合った回転するプレートの下側を冷却する。上側層を形成する材料として、好適には、優れた熱伝導率を有する材料、例えば金属又はセラミックが考慮される。優れた熱伝導率を有しかつ半導体材料としてのシリコンの電気的特性に不都合に影響しない金属材料が、特に好ましい。銀及び銅が特に適している。上側層は、向き合っているプレートに対して可能な限り少ない熱を放射すべきである。したがって、プレートに向き合った側において上側層を黒化することが好ましい。
【００１０】
上側層の別の好適な特徴は、誘導加熱コイルに設けられた内側孔の領域における切欠き、例えばＶ字形又はだ円形の切欠きであり、この切欠きは、好適には、誘導加熱コイルの給電ラインとは反対側に配置されている。切欠きは、誘導加熱コイルと、プレートの管状延長部との間の短い距離、ひいては有効な誘導結合を可能にする。したがって、製造方法の最初に種結晶が取り付けられる、溶融シリコンの小さな体積を形成することが、より単純になる。切欠が設けられていると、上側層は、プレートの管状延長部と、プレートの隣接する領域とを効果的に冷却しにくい。この欠点を補償するために、第２の誘導加熱コイルに少なくとも１つのノズルが設けられており、このノズルを通って、プレートの管状延長部及び隣接する領域を冷却するためのガスを流通させることができる。下側層に関しては、強磁性プラスチック、例えば軟鉄粒子を含有する熱可塑性樹脂が、好適には、透磁性材料として考慮される。米国特許第４４８６６４１号明細書には、磁束の方向及び強度を制御するために誘導加熱コイルのコーティングとしてこのような材料を使用することができることが記載されている。下側層は、第２の誘導加熱コイルによって生ぜしめられた磁界を、誘導加熱コイルの近接した周囲、特に誘導加熱コイルに設けられた内側孔に最も近いメルトの領域に集中させる。
【００１１】
以下に本発明を図面を参照して詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】プレートの管状延長部の下縁部に小さな体積の液体シリコンが形成された段階における装置の特定の好適な実施形態を断面図で示している。
【図２】一定の所望の直径を有する単結晶の一部が結晶された段階における、図１の装置を示している。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１に示された装置は、シリコンから成る回転するプレート１と、プレート１の上方に配置された第１の誘導加熱コイル２と、プレートの下方に配置された第２の誘導加熱コイル３とを有している。回転するプレート１は、中央開口と、開口を包囲しかつプレート１の下方へ延びた、シリコンから成る管状延長部４とを有している。第１の誘導加熱コイル２は、好適には、独国特許出願公開第１０２００８０１３３２６号明細書に記載された誘導加熱コイルの特徴を有している。第２の誘導加熱コイル３は、中央内側孔５を有する平坦なコイルとして形成されている。第２の誘導加熱コイルには、一方の側から給電ライン６を介して電力が供給される。第２の誘導加熱コイル３は、プレート１と向き合った側において、透磁性材料から成る下側層７によってコーティングされている。透磁性材料は、好適には、磁束を集中させかつFluxtrol(R)の商品名で提供されるプラスチックを含む。下側層の上には上側層８が配置されており、上側層８には、冷媒を流通させるための少なくとも１つの冷却チャネル９が設けられており、上側層８は、好適には、銀又は銅から成る。誘導加熱コイル３が、冷媒を流通させるための少なくとも１つの冷却チャネル１０を有することも好ましい。
【００１４】
上側層８が、誘導加熱コイルにおける内側孔５の領域の、給電ライン６とは反対側において、縁部に切欠き１１を有することがさらに好適である。切欠き１１は、プレート１の管状延長部４の下縁部に小さな体積の液体シリコン１２が形成される段階において、誘導加熱コイル３と管状延長部４との間の短い距離を提供する。切欠きは、例えばＶ字形又はだ円形に形成されている。
【００１５】
第２の誘導加熱コイル３における内側孔５の周囲に位置する上側層８の縁部にスロットを設けることができ、これにより、第２の誘導加熱コイルが上側層のこの領域に誘導結合する状況を妨げる。
【００１６】
さらに、上側層８を、プレート１に向き合った側１３において黒化することも好ましい。
【００１７】
図２は、一定の所望の直径を有する単結晶１４の一部が結晶化されている段階を示している。この段階において、シリコンから成るプレート１に漏斗１６を介して顆粒１５が搬送され、この顆粒は第１の誘導加熱コイル２によって溶融される。顆粒は、溶融したシリコンの膜１７として管状延長部４を通ってメルト１８へ流れ、このメルト１８は、成長する単結晶１４の上側に位置し、連続的に結晶化される。この段階において、切欠き１１の近傍における、プレートの管状延長部４及び隣接する領域は、第２の誘導加熱コイル３によって比較的強く加熱される。その結果、シリコンから成る管状延長部４が下端部において過度に溶融し、メルト１８が過度に伸長させられて管状延長部４の下端部との接触が失われるまで３重点Ｔが上方へ移動するリスクがある。これを回避するために、シリコンから成る管状延長部４と、プレート１の隣接する領域とを、ガス、例えばアルゴンで冷却することが好ましい。ガスは、誘導加熱コイルに配置された少なくとも１つのノズル１９を流通させられる。
【符号の説明】
【００１８】
１ 回転プレート、 ２ 第１の誘導加熱コイル、 ３ 第２の誘導加熱コイル、 ４ 管状延長部、 ５ 中央内部孔、 ６ 給電ライン、 ７ 下側層、 ８ 上側層、 ９ 冷却チャネル、 １０ 冷却チャネル、 １１ 切欠き、 １２ 液体シリコン、 １４ 単結晶、 １５ 顆粒、 １６ 漏斗、 １８ メルト、 １９ ノズル
【技術分野】
【０００１】
本発明は、顆粒を再溶融させることによってシリコンから成る単結晶を製造するための装置に関する。装置は、シリコンから成る回転するプレートを有しており、このプレートは、中央開口と、シリコンから成る管状延長部とを有しており、この管状延長部は、開口を包囲しておりかつプレートよりも下方へ延びており、装置はさらに、顆粒を溶融させるための、プレートの上方に配置された第１の誘導加熱コイルと、溶融した顆粒を結晶化させるための、プレートの下方に配置された第２の誘導加熱コイルとを有している。
【背景技術】
【０００２】
このタイプの装置による単結晶の製造は、フローティングゾーン法（ＦＺ法）と同様である。特定の相違点は、シリコンから成る多結晶フィードロッドの代わりに、シリコンから成る実質的に多結晶の顆粒が再溶融されることである。流動床における沈殿によって顆粒を得ることができる。顆粒を溶融させ、溶融した顆粒を結晶化させるために、それぞれ専用の誘導加熱コイル（"誘導コイル"）が使用され、前記コイルは、シリコンから成る回転プレートの上方及び下方にそれぞれ配置されている。シリコンから成るプレートに供給された顆粒はそこで誘導的に溶融され、液体シリコンの膜として、プレートに設けられた中央開口を通って、シリコンから成る管状延長部に沿って、シリコンから成る成長する単結晶の端部において形成するメルトへ流れる。
【０００３】
方法の開始時に、管状延長部は、この時点ではまだ下縁部における固体シリコンの層によって閉鎖されており、プレートの下方に配置された誘導加熱コイルによってまず溶融され、小さな体積の液体シリコンが生じる。管状延長部の下縁部は、誘導加熱コイルに設けられた内側孔の縁部からできるだけ短い距離に配置され、これにより、高いエネルギ密度が誘導的に管状延長部と、溶融したシリコンの形成しつつある体積とに伝達される。このために、プレートの下方に配置された誘導加熱コイルは横方向に移動させられる。その後、単結晶の種結晶が溶融したシリコンの体積に取り付けられ、ＦＺ法によれば、まず細いネック、次いで円錐形に端部直径まで延びた単結晶の区分、最後に一定の所望の直径を有する区分が、結晶化される。溶融されるシリコンの所要の材料は、管状延長部の部分的な溶融によって、閉鎖している層の溶融によって、プレートの上側の部分的な溶融によって、及びその後のシリコンから成る顆粒の溶融によって、提供される。プレートの下方に配置された誘導加熱コイルに設けられた内側孔を通って延びるメルトが形成される。一定の所望の直径を有する部分が結晶化される時、又は適切であるならば既に前もって、誘導加熱コイル及びメルトは、メルトが誘導加熱コイルに設けられた内側孔を通って実質的に対称的に延びるように、互いに配置される。
【０００４】
独国特許出願公開第１０２０４１７８号明細書には、方法、及びこの方法を実施するのに適した装置が記載されている。これらの装置のうち幾つかは、シリコンから成るプレートと、第２の誘導加熱コイルとの間に配置された、金属から成る水冷式遮蔽板を有している。水冷式遮蔽板は、シリコンから成るプレートを、第２の誘導加熱コイルの電磁界から遮蔽するために働くと共に、シリコンから成るプレートから熱を放散するためのヒートシンクとして働く。
【０００５】
作動中、遮蔽プレートは大きな熱負荷を受け、その結果、遮蔽プレートは湾曲する傾向がある。これに対応して、湾曲を回避するために遮蔽プレートがより厚く形成されているか、又は遮蔽プレートが第２の誘導加熱コイル又はシリコンから成るプレートに接触することなく湾曲することができるように十分な空間が軸方向で残されている場合に、管状延長部の端部においてメルトが固まって固体になるリスクがあり、連続的に流動するシリコンの膜が中断される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】独国特許出願公開第１０２０４１７８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の課題は、不都合な結果を生じることなくこのリスクを排除することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題は、シリコンから成る回転するプレートが設けられており、該プレートが、中央の開口と、該開口を包囲しておりかつプレートの下方に延びたシリコンから成る管状延長部とを有しており、顆粒を溶融させるための、プレートの上方に配置された第１の誘導加熱コイルが設けられており、溶融した顆粒を結晶化するための、プレートの下方に配置された第２の誘導加熱コイルが設けられており、第２の誘導加熱コイルが、シリコンから成るプレートと向き合った側において透磁性材料から成る下側層と、上側層とを有しており、該上側層に、冷媒を案内するための少なくとも１つの冷却チャネルが設けられている、顆粒を再溶融させることによってシリコンから成る単結晶を製造するための装置によって達成される。
【０００９】
回転するプレートは、中央開口と、開口を包囲しかつプレートの下方へ延びた、シリコンから成る管状延長部とを有している。第２の誘導加熱コイルは、シリコンから成るプレートと向き合った側において透磁性材料から成る下側層と、冷媒を流通させるための少なくとも１つの冷却チャネルが設けられた上側層とを有している。第２の誘導加熱コイルは、好適には銀又は銅から製造されている。下側層は、第２の誘導加熱コイルと直接に熱接触しており、上側層は、下側層と直接に熱接触している。上側層と、第２の誘導加熱コイルとは、互いに直接に電気的に隔離されている。第２の誘導加熱コイルに設けられた内側孔の周囲に位置する上側層の縁部にスロットを設けることができ、第２の誘導加熱コイルが上側層のこの領域に誘導的に結合する状況を妨げる。上側層の冷却チャネルを通流する冷媒、例えば水は、第２の誘導加熱コイルと向き合った回転するプレートの下側を冷却する。上側層を形成する材料として、好適には、優れた熱伝導率を有する材料、例えば金属又はセラミックが考慮される。優れた熱伝導率を有しかつ半導体材料としてのシリコンの電気的特性に不都合に影響しない金属材料が、特に好ましい。銀及び銅が特に適している。上側層は、向き合っているプレートに対して可能な限り少ない熱を放射すべきである。したがって、プレートに向き合った側において上側層を黒化することが好ましい。
【００１０】
上側層の別の好適な特徴は、誘導加熱コイルに設けられた内側孔の領域における切欠き、例えばＶ字形又はだ円形の切欠きであり、この切欠きは、好適には、誘導加熱コイルの給電ラインとは反対側に配置されている。切欠きは、誘導加熱コイルと、プレートの管状延長部との間の短い距離、ひいては有効な誘導結合を可能にする。したがって、製造方法の最初に種結晶が取り付けられる、溶融シリコンの小さな体積を形成することが、より単純になる。切欠が設けられていると、上側層は、プレートの管状延長部と、プレートの隣接する領域とを効果的に冷却しにくい。この欠点を補償するために、第２の誘導加熱コイルに少なくとも１つのノズルが設けられており、このノズルを通って、プレートの管状延長部及び隣接する領域を冷却するためのガスを流通させることができる。下側層に関しては、強磁性プラスチック、例えば軟鉄粒子を含有する熱可塑性樹脂が、好適には、透磁性材料として考慮される。米国特許第４４８６６４１号明細書には、磁束の方向及び強度を制御するために誘導加熱コイルのコーティングとしてこのような材料を使用することができることが記載されている。下側層は、第２の誘導加熱コイルによって生ぜしめられた磁界を、誘導加熱コイルの近接した周囲、特に誘導加熱コイルに設けられた内側孔に最も近いメルトの領域に集中させる。
【００１１】
以下に本発明を図面を参照して詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】プレートの管状延長部の下縁部に小さな体積の液体シリコンが形成された段階における装置の特定の好適な実施形態を断面図で示している。
【図２】一定の所望の直径を有する単結晶の一部が結晶された段階における、図１の装置を示している。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１に示された装置は、シリコンから成る回転するプレート１と、プレート１の上方に配置された第１の誘導加熱コイル２と、プレートの下方に配置された第２の誘導加熱コイル３とを有している。回転するプレート１は、中央開口と、開口を包囲しかつプレート１の下方へ延びた、シリコンから成る管状延長部４とを有している。第１の誘導加熱コイル２は、好適には、独国特許出願公開第１０２００８０１３３２６号明細書に記載された誘導加熱コイルの特徴を有している。第２の誘導加熱コイル３は、中央内側孔５を有する平坦なコイルとして形成されている。第２の誘導加熱コイルには、一方の側から給電ライン６を介して電力が供給される。第２の誘導加熱コイル３は、プレート１と向き合った側において、透磁性材料から成る下側層７によってコーティングされている。透磁性材料は、好適には、磁束を集中させかつFluxtrol(R)の商品名で提供されるプラスチックを含む。下側層の上には上側層８が配置されており、上側層８には、冷媒を流通させるための少なくとも１つの冷却チャネル９が設けられており、上側層８は、好適には、銀又は銅から成る。誘導加熱コイル３が、冷媒を流通させるための少なくとも１つの冷却チャネル１０を有することも好ましい。
【００１４】
上側層８が、誘導加熱コイルにおける内側孔５の領域の、給電ライン６とは反対側において、縁部に切欠き１１を有することがさらに好適である。切欠き１１は、プレート１の管状延長部４の下縁部に小さな体積の液体シリコン１２が形成される段階において、誘導加熱コイル３と管状延長部４との間の短い距離を提供する。切欠きは、例えばＶ字形又はだ円形に形成されている。
【００１５】
第２の誘導加熱コイル３における内側孔５の周囲に位置する上側層８の縁部にスロットを設けることができ、これにより、第２の誘導加熱コイルが上側層のこの領域に誘導結合する状況を妨げる。
【００１６】
さらに、上側層８を、プレート１に向き合った側１３において黒化することも好ましい。
【００１７】
図２は、一定の所望の直径を有する単結晶１４の一部が結晶化されている段階を示している。この段階において、シリコンから成るプレート１に漏斗１６を介して顆粒１５が搬送され、この顆粒は第１の誘導加熱コイル２によって溶融される。顆粒は、溶融したシリコンの膜１７として管状延長部４を通ってメルト１８へ流れ、このメルト１８は、成長する単結晶１４の上側に位置し、連続的に結晶化される。この段階において、切欠き１１の近傍における、プレートの管状延長部４及び隣接する領域は、第２の誘導加熱コイル３によって比較的強く加熱される。その結果、シリコンから成る管状延長部４が下端部において過度に溶融し、メルト１８が過度に伸長させられて管状延長部４の下端部との接触が失われるまで３重点Ｔが上方へ移動するリスクがある。これを回避するために、シリコンから成る管状延長部４と、プレート１の隣接する領域とを、ガス、例えばアルゴンで冷却することが好ましい。ガスは、誘導加熱コイルに配置された少なくとも１つのノズル１９を流通させられる。
【符号の説明】
【００１８】
１ 回転プレート、 ２ 第１の誘導加熱コイル、 ３ 第２の誘導加熱コイル、 ４ 管状延長部、 ５ 中央内部孔、 ６ 給電ライン、 ７ 下側層、 ８ 上側層、 ９ 冷却チャネル、 １０ 冷却チャネル、 １１ 切欠き、 １２ 液体シリコン、 １４ 単結晶、 １５ 顆粒、 １６ 漏斗、 １８ メルト、 １９ ノズル
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顆粒を再溶融させることによってシリコンから成る単結晶を製造するための装置において、
シリコンから成る回転するプレートが設けられており、該プレートが、中央の開口と、該開口を包囲しておりかつプレートの下方に延びたシリコンから成る管状延長部とを有しており、
顆粒を溶融させるための、プレートの上方に配置された第１の誘導加熱コイルが設けられており、
溶融した顆粒を結晶化するための、プレートの下方に配置された第２の誘導加熱コイルが設けられており、該第２の誘導加熱コイルが、シリコンから成るプレートと向き合った側において透磁性材料から成る下側層と、上側層とを有しており、該上側層に、冷媒を流通させるための少なくとも１つの冷却チャネルが設けられていることを特徴とする、顆粒を再溶融させることによってシリコンから成る単結晶を製造するための装置。
【請求項２】
前記下側層が、強磁性プラスチックから成る、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記上側層が、金属材料から成る、請求項１又は２記載の装置。
【請求項４】
前記第２の誘導加熱コイル及び前記上側層が、銀又は銅から成る、請求項１から３までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５】
前記第２の誘導加熱コイルが、冷媒を流通させるための少なくとも１つの冷却チャネルを有する、請求項１から４までのいずれか１項記載の装置。
【請求項６】
前記上側層が、第２の誘導加熱コイルに設けられた内側孔の領域における縁部おいて、第２の誘導加熱コイルの給電ラインとは反対側に、切欠きを有しており、第２の誘導加熱コイルが、プレートの管状延長部及び隣接する領域をガスで冷却するための少なくとも１つのノズルを有する、請求項１から５までのいずれか１項記載の装置。
【請求項７】
前記上側層が、プレートと向き合った側において黒化されている、請求項１から６までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１】
顆粒を再溶融させることによってシリコンから成る単結晶を製造するための装置において、
シリコンから成る回転するプレートが設けられており、該プレートが、中央の開口と、該開口を包囲しておりかつプレートの下方に延びたシリコンから成る管状延長部とを有しており、
顆粒を溶融させるための、プレートの上方に配置された第１の誘導加熱コイルが設けられており、
溶融した顆粒を結晶化するための、プレートの下方に配置された第２の誘導加熱コイルが設けられており、該第２の誘導加熱コイルが、シリコンから成るプレートと向き合った側において透磁性材料から成る下側層と、上側層とを有しており、該上側層に、冷媒を流通させるための少なくとも１つの冷却チャネルが設けられていることを特徴とする、顆粒を再溶融させることによってシリコンから成る単結晶を製造するための装置。
【請求項２】
前記下側層が、強磁性プラスチックから成る、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記上側層が、金属材料から成る、請求項１又は２記載の装置。
【請求項４】
前記第２の誘導加熱コイル及び前記上側層が、銀又は銅から成る、請求項１から３までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５】
前記第２の誘導加熱コイルが、冷媒を流通させるための少なくとも１つの冷却チャネルを有する、請求項１から４までのいずれか１項記載の装置。
【請求項６】
前記上側層が、第２の誘導加熱コイルに設けられた内側孔の領域における縁部おいて、第２の誘導加熱コイルの給電ラインとは反対側に、切欠きを有しており、第２の誘導加熱コイルが、プレートの管状延長部及び隣接する領域をガスで冷却するための少なくとも１つのノズルを有する、請求項１から５までのいずれか１項記載の装置。
【請求項７】
前記上側層が、プレートと向き合った側において黒化されている、請求項１から６までのいずれか１項記載の装置。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１１−９３７９３（Ｐ２０１１−９３７９３Ａ）
【公開日】平成２３年５月１２日（２０１１．５．１２）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２０１０−２３８３１５（Ｐ２０１０−２３８３１５）
【出願日】平成２２年１０月２５日（２０１０．１０．２５）
【出願人】（５９９１１９５０３）ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト (223)
【氏名又は名称原語表記】Ｓｉｌｔｒｏｎｉｃ ＡＧ
【住所又は居所原語表記】Ｈａｎｎｓ−Ｓｅｉｄｅｌ−Ｐｌａｔｚ ４， Ｄ−８１７３７ Ｍｕｅｎｃｈｅｎ， Ｇｅｒｍａｎｙ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年５月１２日（２０１１．５．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２３８３１５（Ｐ２０１０−２３８３１５）
【出願日】平成２２年１０月２５日（２０１０．１０．２５）
【出願人】（５９９１１９５０３）ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト (223)
【氏名又は名称原語表記】Ｓｉｌｔｒｏｎｉｃ ＡＧ
【住所又は居所原語表記】Ｈａｎｎｓ−Ｓｅｉｄｅｌ−Ｐｌａｔｚ ４， Ｄ−８１７３７ Ｍｕｅｎｃｈｅｎ， Ｇｅｒｍａｎｙ
【Ｆターム（参考）】
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