【課題】 種結晶が保持部材から剥離されることを抑制することが可能な種結晶保持体の製造方法、種結晶保持体、結晶育成装置および結晶育成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の種結晶保持体の製造方法は、炭素からなる保持部材２と、保持部材２の下面２Ａよりも大きい上面３Ａを持つ、炭化珪素からなる種結晶３とを準備する準備工程と、保持部材２の下面２Ａに種結晶３の上面３Ａを固定する固定工程と、種結晶３の上面３Ａのうち保持部材２からはみ出ている部分に、保持部材２の側面２Ｂと接するように珪素の粒子16を配置する配置工程と、種結晶３、保持部材２および粒子16を、珪素の融点よりも高い温度に加熱する加熱工程と、溶融した粒子16で保持部材２に種結晶３を接合する接合工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶成長に再利用可能な反応容器を提供すべく、結晶成長に用いられた反応容器の再生方法、再生反応容器および、これを用いた結晶の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、原料、溶媒および鉱化剤の存在下で超臨界および／または亜臨界状態において結晶成長を行う結晶の製造方法に用いられた反応容器に、前記結晶の製造方法において生じた前記反応容器の変形および／または変質を修復する修復工程を施し再生反応容器とすることを特徴とする、反応容器の再生方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 準安定溶媒エピタキシー法を用いた炭化珪素単結晶の製造方法において、炭化珪素単結晶の成長速度を制御し、炭化珪素単結晶を安定して製造できる方法を提供する。
【解決手段】
炭化珪素単結晶材料２０の表面上に炭化珪素単結晶を成長させる準安定溶媒エピタキシー法を用いた炭化珪素単結晶の製造方法であって、配置工程Ｓ２では、炭化珪素単結晶材料２０又は炭素珪素供給材料４０の何れか一方の材料を珪素材料６０の上側に配置し、一方の材料の位置を固定し、炭化珪素単結晶材料２０と炭素珪素供給材料４０との間に珪素材料６０を介在させる。 （もっと読む）

【課題】フラックス法を用いた結晶成長装置において、実用的な大きさの結晶の均一性その他の品質を確保しつつ、結晶成長装置を小型化・簡略化する。
【解決手段】結晶の原料原子を含む液体を収容する容器と、前記液体と接する液体接触面に、弾性波を進行波として伝搬させる弾性波伝搬手段と、を有する結晶成長装置を提供する。前記液体接触面として、前記容器の内面が例示できる。前記弾性波伝搬手段が、前記容器に接して配置された圧電体を有してもよく、前記圧電体に交番電界を印加することにより、前記液体接触面に前記弾性波を伝搬させることができる。前記圧電体を複数有してもよく、前記複数の圧電体のそれぞれに印加する交番電界の位相を調整することで、前記弾性波を進行波として伝搬させることができる。 （もっと読む）

【課題】非単結晶原料から単結晶をチョクラルスキー法により製造する単結晶製造装置において、坩堝を支持し、かつ、回転させる回転軸の交換によるコストを抑制可能な単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】非結晶原料が充填される坩堝１２と、坩堝１２を回転可能に支持する回転軸１５とを備える単結晶製造装置１０において、回転軸１５は、この回転軸１５の軸方向に並んで互いに着脱可能に組み合わされた複数の係合部材１５ａ，１５ｂ，１５ｃから構成される。このため、複数の係合部材のいずれかが劣化して破損した場合に、その破損した係合部材のみを交換することにより復旧することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶成長前における反応容器の耐圧性容器への収納や、結晶成長後における反応容器の耐圧性容器からの取り出しを容易化することにより、結晶製造の作業効率を向上させる。
【解決手段】反応容器２に原料５と第一溶媒を充填して密閉した後、該反応容器を収納容器７に収納して、反応容器が収納された収納容器を耐圧性容器１内に設置し、さらに該耐圧性容器と該反応容器の間の空隙に第二溶媒を充填して前記耐圧性容器を密閉した後、該反応容器中で超臨界および／または亜臨界状態において結晶成長を行うことを特徴とする、結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高品質なＳｉＣ単結晶を高速に成長させる単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶の製造方法は、（ａ）ＳｉＣ粉末２ａとＣ粉末３、あるいは部分炭化させたＳｉＣ粉末を、原料粉末として準備する工程と、（ｂ）工程（ａ）の後、原料粉末を用いた昇華法により、シリコンドロップレットを抑制しながらＳｉＣ単結晶を高速成長させる工程と、を備える。前記工程（ａ）においては、前記原料粉末のシリコンに対する炭素の割合を１．０４〜１．１４とし、また、前記工程（ｂ）においては、結晶成長面近傍と原料粉末近傍の温度差を２００℃以上とすることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】周期表第１３族金属窒化物半導体結晶の製造に用いられる反応容器等の部材は、繰り返し及び／又は長時間の使用によって、変質及び／又は劣化が進行することがあり、交換することが必要となるが、頻繁に新しい部材に交換することとなると製造コストの増大を招くことになる。
【解決手段】変質及び／又は劣化した部材を、色彩値（Ｌ^*値）及び／又は膨張率が特定
の範囲の数値になるように処理することによって、第１３族窒化物半導体結晶の製造に再利用できるように部材に再生することができる。 （もっと読む）

【課題】周期表第１３族金属窒化物半導体結晶の製造に使用することができる、反応容器、撹拌翼、種結晶保持棒、種結晶保持台、バッフル、ガス導入管及びバルブ等の部材を正確かつ簡便に選定する方法、並びに部材の変質及び／又は劣化に悪影響を受けない周期表第１３族金属窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】部材の体積及び／又は寸法を測定し、未使用の状態からの体積変化及び／又は寸法変化を指標として、周期表第１３族金属窒化物半導体結晶の製造に使用する部材を選択することにより、結晶成長に悪影響を与えない部材を正確かつ簡易的に選択することができる。前記部材の選択方法は、部材の膨張に関して、水素を取り込む影響が大きいため、反応系中に水素元素を含む成分が存在する製造方法に対して特に好適である。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生が抑制された良質な結晶を効率よく製造し得る結晶の製造方法および結晶の製造装置、およびかかる結晶の製造装置に用いられる結晶育成用治具を提供すること。
【解決手段】本発明の結晶の製造装置は、水熱合成法により人工的に結晶を製造するための装置である。この結晶の製造装置は、溶解液、結晶原料および種子結晶を収納するチャンバー２を有している。また、チャンバー２内には、種子結晶ごとに設けられた結晶育成用治具１３が収納されている。結晶育成用治具１３は、種子結晶の主面の一方を覆うように設けられた第１の面と、第１の面と直交する第２の面と、を有している。そして、結晶育成用治具１３は、チャンバー２の横断面の中心Ｏを囲むように環状に配置され、好ましくは多重の同心円の環状に配置される。 （もっと読む）

【課題】モリブデンルツボ内のサファイア融液への難溶解物の混入を防止する。
【解決手段】サファイア融液２１を保持するモリブデンルツボ１４と、サファイア融液２１に浸漬した種結晶を引き上げる引き上げ機構１９と、モリブデンルツボ１４を囲繞し、軸方向に分割された上部ヒーター１５ａ及び下部ヒーター１５ｂからなる抵抗加熱ヒーター１５と、上部ヒーター１５ａ及び下部ヒーター１５ｂの出力をそれぞれ制御するコントローラ２３とを備える。本発明によれば、モリブデンルツボ１４にかかる熱負荷を微調整することができるため、難溶解物の発生を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法（ＣＺ法）による単結晶の製造において、ＬＴ（Ｌｉｆｅ Ｔｉｍｅ）低下やＬＰＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｐｏｉｎｔ Ｄｅｆｅｃｔ）異常の発生がない高品質の単結晶を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法による単結晶の製造方法において、単結晶１２を製造する炉内で使用する少なくとも一つの黒鉛部品のＮｉ濃度が３０ｐｐｂ以下の黒鉛部品を使用して前記単結晶１２を製造する。前記Ｎｉ濃度を分析して用いる黒鉛部品としては、例えば石英ルツボ５に直接に接する黒鉛ルツボ６を分析することが好ましく、さらに、黒鉛ルツボ６を介して石英ルツボ５と間接的に接するルツボ受皿７、及びペディスタル８の少なくとも一つも分析することがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】単結晶成長表面と原料表面との温度差をより一層増加可能で、長時間に亘る成長でも、成長速度が落ちることなく結晶成長を行うことが可能な化合物半導体単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】成長容器１内の一端側に種結晶９を、他端側に原料６を配置し、原料６を昇華させて単結晶５を製造する製造装置１００であって、加熱炉４と、成長容器１の周囲に配置され加熱炉４内を低温区画１７と高温区画１８に仕切る熱遮蔽部材１２と、高温区画内１８にあって成長容器１の他端側の周囲に配置される原料加熱手段３と、成長容器１を支持した状態で移動可能な支持部２とを備え、支持部２は単結晶５を成長させるときに、単結晶成長部１５が低温区画１７に存在し、原料部１６が高温区画１８に存在するように、低温区画１７側に成長容器１を移動可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶の成長の途中においてもメルトバックを行うことができるＳｉＣ単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝１０の周囲に配置された加熱装置２２により坩堝１０中にて内部から表面に向けて温度低下する温度勾配を有するように加熱されたＳｉ−Ｃ溶液２４に、種結晶保持軸１２に保持されたＳｉＣ種結晶１４を接触させて、種結晶１４を基点としてＳｉＣ単結晶を成長させる、溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造方法であって、ＳｉＣ単結晶の成長中に、Ｓｉ−Ｃ溶液２４の内部から表面の領域の温度勾配を一定温度または温度上昇する温度勾配に変更して、種結晶１４と種結晶１４を基点として成長したＳｉＣ単結晶とを含む単結晶をメルトバックすることを含む、ＳｉＣ単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】サブマイクロオーダーやナノサイズを有している無機酸化物中空粒子、特には、球形金属酸化物単結晶中空サブマイクロ粒子や球形金属酸化物単結晶中空ナノ粒子を、簡単な方法で合成し且つ回収する技術の開発が求められている。
【解決手段】プラズマを用いた低真空容器内で、分オーダーの短時間で直径がサブマイクロオーダーやナノオーダーの無機酸化物中空粒子、特には、球形金属酸化物単結晶中空サブマイクロ粒子や球形金属酸化物単結晶中空ナノ粒子を製造する。気相反応のみの反応プロセスによって、中空金属酸化物単結晶粒子の生成が可能であり、また、放電プラズマやガス流を制御することによって均質な粒径分布や空洞径／粒径の比の制御が可能になる。 （もっと読む）