【課題】シリコンからなる半導体ウェハ中で有害であると分類された凝集した内因性点欠陥の欠陥を確実かつ簡単な方法で回避しうる経済的な半導体ウェハの製造方法およびその方法により製造した半導体ウェハを提供する。
【解決手段】最低濃度又は前記最低濃度を上回る濃度のフッ素でドープされているシリコンからなる融液を準備し、前記融液を、融液中にフッ素が不在の場合に単結晶中に臨界直径を有するかそれ以上の直径を有する凝集した内因性点欠陥が形成される特定の速度で、結晶化することにより、フッ素濃度を１・１０¹⁰〜１・１０¹⁶原子／ｃｍ³の範囲内で含有するシリコン単結晶を形成し、前記単結晶から半導体ウェハを分離する。その後、好ましくは前記半導体ウェハを５５０℃〜１１００℃の範囲内の温度で熱処理し、つづいてエピタキシャル層を前記半導体ウェハ上に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】育成温度が低く、大型かつ良質の単結晶が得られる浮遊帯域溶融法（ＦＺ法）によるＺｒＢ_２単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】フラックスを用いたＦＺ法によるＺｒＢ２単結晶の育成において、ホウ素と炭素両者からなるフラックス（融剤、溶媒）を用いる。融帯（融液）６がホウ素より元素としての蒸気圧が１桁以上低い炭素（Ｃ）を含有させることにより、特に初期融帯の形成が容易となり、また、フラックス使用により育成温度が低下するので加熱電力を低下させることができる。 （もっと読む）

【課題】透明石英管の内壁に析出物が生ずることを抑止でき、透明石英管を長期間安定して使用し、安定した単結晶育成の継続を容易にすることのできる極めて利便性の高い浮遊帯域溶融装置を提供する。
【解決手段】透明石英管から成る試料室１２内に試料棒１４を配置させるとともに、試料室１２内に雰囲気ガス３２を流入させ、この状態で試料棒１４に複数の赤外線照射手段１８から照射された赤外線を集光させて加熱溶融することで試料棒１４の融液２２を得て、この融液２２を種子結晶上に固化させて単結晶２４を育成する赤外線集中加熱式の浮遊帯域溶融装置１０であって、試料室１２の内壁と試料棒１４との間に、試料棒１４の加熱溶融時に発生する蒸発物を雰囲気ガス３２とともに効率良く試料室１２外へ排出するための透明石英から成る導ガス管２６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】種結晶を多結晶シリコン棒と正確に芯合わせした状態に簡単に保持することができる単結晶シリコン製造装置を提供する。
【解決手段】ハウジング内に、種結晶ホルダー７に保持した種結晶６と、多結晶ホルダーに保持した多結晶シリコン棒とを対向して配置し、その多結晶シリコン棒を加熱溶融しながら種結晶６に融着させて単結晶に成長させる単結晶シリコン製造装置であって、種結晶ホルダー７は、種結晶６の一端部を直立姿勢で保持する収納孔２２が形成されるとともに、該収納孔２２に収納した種結晶６の一端部を固定する止めネジ２６が収納孔２２の軸線に直交して設けられ、収納孔２２の内周面は、その開口２１に向けて漸次拡径するテーパ面２２ａとされている。 （もっと読む）

【課題】平坦化及び表面浄化がなされて半導体膜を成長させるのに適した酸化ガリウム単結晶基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面粗さＲｑが１．０〜２．０Åであり、かつ、表面粗さＲａが０．５〜１．０Åである酸化ガリウム単結晶基板、及び、酸化ガリウム単結晶の（１００)面を研磨して薄型化するラッピング加工、平滑に研磨するポリッシング加工、及び化学機械研磨を行った後、洗浄溶媒中に浸漬させてマイクロ波を照射する酸化ガリウム単結晶基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】アパタイト相が実質的に存在せず、蛍光強度が十分に大きく、蛍光減衰時間が十分に短い単結晶シンチレーターを提供すること。
【解決手段】下記の一般式（１）で表される組成を有し、光、電子線及び／又は放射線刺激に対して発光する単結晶を備える単結晶シンチレーター。
（Ｇｄ_１−ｘＣｅ_ｘ）_２Ｓｉ_２Ｏ_７ （ただし、０＜ｘ＜０．３） （１） （もっと読む）

【課題】大型の単結晶の育成を容易にする単結晶育成装置、単結晶育成方法を提供する。
【解決手段】中空状の単結晶原料２１と種結晶２２との接触部分を加熱して該接触部分に溶融帯３１を形成し、単結晶を育成する単結晶育成装置であって、種結晶２２を保持することができる種結晶保持部１９と、エネルギー伝送路となる中空部を有する単結晶原料を種結晶２２に対して接触可能に保持することができる原料保持部１１，１８と、ハロゲンランプ１７及び楕円鏡１６より構成され、溶融帯へ第１の加熱用エネルギーを照射することにより溶融帯を加熱する第１加熱部と、レーザー光源４１から光ファイバー４２を介し、単結晶原料におけるエネルギー伝送路を通じて溶融帯へ第１の加熱用エネルギーと異なる第２の加熱用エネルギー（レーザー）を照射することにより溶融帯３１を加熱する第２加熱部とを備える。 （もっと読む）

【課題】棒状部材加熱装置、棒状部材溶融装置、単結晶製造装置、棒状部材のゾーンリファイニング精製装置、棒状部材の接合（溶接）装置などにおけるレーザによる棒状部材の等方的集中加熱法を提供する。
【解決手段】加熱されるべき棒状部材４の軸心を中心とした円周上に、等角度間隔に配設された同等の照射強度を備えた複数のレーザ光源１によって、放射方向から棒状部材４の周面を円周方向に均等に加熱する。複数のレーザ光源は、３個以上で奇数個設けることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 短波長での光吸収が向上した酸化ガリウムを含む固溶体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 ２３０ｎｍ以上２５５ｎｍ未満の光吸収端波長を有することを特徴とする酸化アルミニウム−酸化ガリウム固溶体。酸化ガリウム粉末および酸化アルミニウム粉末を原料とした焼結体を用い、酸化ガリウム単結晶を種結晶とした浮遊帯域溶融法により酸化アルミニウム−酸化ガリウム固溶体を得る工程を有する前記固溶体を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】β−Ga₂O₃結晶中に他の元素を強制的に混入させて特性を向上させたナノ構造体及びその製造方法を提供する
【解決手段】酸化ガリウム粉末とSi、Ge、Snから選ばれた少なくとも１種類の元素の粉末又はその酸化物粉末とからなる焼結体を素材とし、この焼結体を、実質的に酸素を含まない雰囲気下で加熱することにより、酸化ガリウム結晶中に、Si、Ge、Snから選ばれた少なくとも１種類の元素を混入させた酸化ガリウムナノ構造体を得る。 （もっと読む）

【課題】製品の重要な特性である結晶の面内抵抗率分布が均一なＦＺ法シリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】誘導加熱コイルで原料シリコン結晶素材を部分的に加熱溶融して溶融帯を形成し、溶融帯を移動させて単結晶を成長させるＦＺ法シリコン単結晶の製造方法において、原料シリコン結晶素材及び単結晶を共に回転させつつ、単結晶の回転の方向を正転と逆転とで交互に行いながら該単結晶を成長させる。このとき、正転における正回転角度と逆転における逆回転角度との比が０．１〜０．６であり、正転又は逆転における回転速度を１０〜３０ｒｐｍとする。 （もっと読む）

【解決手段】
式Ａ_１−ｘＢ_ｘＭｎＯ_３ （ここでＡはＬａ、Ｎｄ又はＰｒであり、ＢはＣａ、Ｓｒ、Ｂａ又はＰｂであり、ｘは０．２〜０．５の範囲内である）で表されるドープド・ペロブスカイト・マンガナイト単結晶から小片を切り出し、異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）素子をつくる。本発明の素子は、いろいろな磁気センサーに有益に応用される。
【効果】
本発明の素子におけるＡＭＲは、従来の強磁性物質又は合金からつくられる素子（室温で約１−２％）に比べて、非常に大きい（２２０Ｋで約９０％）。したがって、本発明のＡＭＲ素子は、磁気センサーの感度を改善する。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により製造された有転位又は多結晶のシリコン結晶素材であって、ＦＺ法単結晶製造の原料棒として用いられ、クラックや破断が生じることなく、ＦＺ炉内に懸垂保持するための被把持部を有する大口径の有転位又は多結晶のシリコン結晶素材を提供すること。
【解決手段】ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造に用いられるシリコン結晶素材であって、ＣＺ法により製造された有転位又は多結晶シリコンであり種結晶部と、この種結晶部から結晶成長した漸次拡径する肩部と、円柱状の直胴部と、漸次縮径する尾部と、を有する。そして、ＣＺ炉内で結晶成長させて炉内から取り出される前に、所定時間かけて所定温度にまで徐冷される徐冷工程を経て製造され、３００℃下における残留応力が０．６ＭＰａ以下である。 （もっと読む）

【課題】 ルチル(ＴｉＯ_２)単結晶の光透過率を制御することにより、透明感があり、かつ着色されたルチル(ＴｉＯ_２)単結晶、特に青色のルチル(ＴｉＯ_２)単結晶の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 所定の育成雰囲気中でルチル原料棒とルチル種結晶との接合部分を融解させ溶融帯を形成し、前記溶融帯を移動させながらルチル(ＴｉＯ_２)単結晶を育成するルチル(ＴｉＯ_２)単結晶の製造方法において、前記溶融帯にチタン原子価＋４よりも低原子価の異種金属イオンの添加により、育成される前記ルチル(ＴｉＯ_２)単結晶の光透過率を変化させ、前記ルチル(ＴｉＯ_２)単結晶の色彩を調節する。前記溶融帯に前記異種金属イオン濃度が全金属イオン中の０．００５ａｔ％から１．０ａｔ％の割合となるように異種金属イオンを添加する。 （もっと読む）

多結晶質ロッド（１）を加熱区域（２）に通し、溶融帯域（３）を形成すること、該溶融帯域に磁界を印加すること、及び種単結晶（４）上で該溶融材料が凝固する際に、単結晶（５）の成長を誘発することを含んでなる、単結晶の製造方法を開示する。該成長している単結晶を、時計及び反時計回転方向の間で交互に変化するパターンで回転させる。本方法は、一様な電気的特性を有するシリコン単結晶の製造に有用である。該方法を実行するための装置も開示する。
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【課題】室温超伝導体を開発するための有力な方策は、これまでとは異なる視点から材料
を見つめ、新たな超伝導化合物を見出し、超伝導化合物の系を拡げていくことである。
【解決手段】化学式[Ｃａ₂₄Ａｌ₂₈Ｏ₆₄]^４＋・２[ｘＯ^２−＋２ｙＡ＋２{1−（ｘ＋２ｙ)
}ｅ⁻] (Ａはケージに包接された、ＯＨ⁻、Ｏ⁻又はＯ_２⁻のいずれか１種以上、０≦
ｘ＋２ｙ≦０．５)で示されるマイエナイト型結晶構造を有する化合物であることを特徴
とする化合物超伝導体。化学式が[Ｃａ₂₄Ａｌ₂₈Ｏ₆₄]^４＋・２[ｘＯ^２−＋２ｙＡ] (Ａは
ケージに包接された、ＯＨ⁻、Ｏ⁻又はＯ_２⁻のいずれか１種以上、０≦ｘ≦１、ｙ＝１
−ｘ) で示されるマイエナイト型結晶構造を有する化合物を磁性イオンが含有されない方
法で調製し、該化合物のケージに包接されたＯ^２−及びＡの合計（ｘ＋２ｙ）の５０原子
％以上を電子で置換することにより作成できる。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により製造されたシリコン結晶素材であって、ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造の原料棒として用いられ、機械加工を必要とせずにＦＺ法の結晶成長炉内に装填することができる被把持部を有するシリコン結晶素材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によるシリコン結晶の製造方法により製造され、肩部５、直胴部２、及び尾部６と同様に、ＣＺ法によるシリコン結晶製造過程で形成された、ＦＺ法による単結晶製造装置に装着されて単結晶成長を可能とするための被把持部３を有する。また、ＣＺ法によるシリコン結晶製造で用いられた種結晶を被把持部として有する。その製造方法は、ＣＺ法によるシリコン結晶の製造方法で製造する際に、結晶の成長条件を一時的に変更して、直胴部２の外周面に凸部３又は凹部を、又は直胴部２の肩部５にくぼみ部を形成する。 （もっと読む）

【課題】応用上必要な大きさと、優れた圧電特性、電場誘起歪特性、誘電・強誘電特性、及び、光学特性を有し、広範な温度領域で使用できる単結晶体材を出発組成のまま、生産性よく製造し、提供する。
【解決手段】下記組成式（１）を満たし、結晶構造が正方晶で、優れた圧電特性、電場誘起歪特性、及び、誘電特性を有することを特徴とする電子・光学用チタン酸バリウム−カルシウム単結晶体材料。
（Ｂａ_1-xＣａ_x）ＴｉＯ₃（ただし、０．０２５＜ｘ（mole）≦０．３３５）・・（１） （もっと読む）

【課題】ホウ化物単結晶の成長工程において不純物を除去し、結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができるホウ化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ホウ化物単結晶の製造方法は、浮遊帯域法により化学式ＸＢ_２（ＸはＺｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｆ及びＴａから選ばれる少なくとも１種である）で表されるホウ化物単結晶またはホウ化物多結晶から成る棒状体を、水素ガスを含む不活性ガスからなる雰囲気ガス９中で作製し、次に棒状体を原料棒６として用いて浮遊帯域法により化学式ＸＢ_２（ＸはＺｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｆ及びＴａから選ばれる少なくとも１種である）で表されるホウ化物単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮを結晶成長させる場合でも、転移密度が低い良質なエピタキシャル結晶成長が可能なβ―Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる半導体基板、（１００）面の上にＧａＮが成長して形成されたエピタキシャル層を有するβ―Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる半導体基板、及び、これらのβ―Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の面方位である（１００）面を有し、この（１００）面の表面層の酸素が除去されたことを特徴とするβ―Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる半導体基板とする。 （もっと読む）