【課題】光アイソレータなどの磁気光学デバイスを構成するのに好適な酸化物及びこの酸化物を備えた磁気光学デバイスを提供する。
【解決手段】（Ｔｂ_xＲ_1-x）₂Ｏ₃（ｘは、０．４≦ｘ≦１．０であり、Ｒは、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ユウロピウム、ガドリニウム、イッテルビウム、ホルミウム、及び、ルテチウムよりなる群から選択された少なくとも１つの元素を含む）で表される酸化物を主成分とする単結晶あるいはセラミックスであって、波長１．０６μｍでのベルデ定数が０．１８ｍｉｎ／（Ｏｅ・ｃｍ）以上であり、かつ、波長１．０６μｍ、光路長３ｍｍでの透過率が７０％以上である。前記酸化物は光アイソレータ３００のファラデー回転子３１０として使用され、該ファラデー回転子３１０の前後に、偏光材料である偏光子３２０及び検光子３３０が備えられる。 （もっと読む）

【課題】特に１５０ｍｍ以上の大直径の半導体単結晶でも、結晶形状の悪化が抑えられ、径方向の面内抵抗率分布を制御することができ、特には面内での抵抗率のバラツキを低減することが可能なＦＺ法による半導体単結晶の製造方法、およびこのような製造方法を実施可能な半導体単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】誘導加熱コイルにより原料結晶を回転させながら部分的に加熱溶融して溶融帯を形成し、溶融帯を原料結晶の一端部から他端部へ移動させて、半導体単結晶を回転させながら成長させて製造するＦＺ法半導体単結晶の製造方法であって、半導体単結晶を成長中に、半導体単結晶の回転方向を交互に変更するとともに原料結晶の回転方向および／または回転数を変更して、半導体単結晶を成長させる半導体単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 装置構成の複雑化を回避するとともに、適切な単結晶生成を可能とする半導体単結晶製造装置を提供すること。
【解決手段】 半導体単結晶の成長速度で移動する低速モードと、半導体単結晶の成長速度を超える速度で移動する高速モードと、を有する種結晶ホルダ５を備えた半導体単結晶製造装置Ａ１であって、種結晶ホルダ５およびルツボ１に対して単一の駆動経路で連結されたサーボモータ７１Ａ，７１Ｂと、サーボモータ７１Ａ，７１Ｂの回転量を検出するロータリーエンコーダ７２Ａ，７２Ｂと、サーボモータ７１Ａ，７１Ｂを制御するサーボアンプ７５Ａ，７５Ｂと、サーボアンプ７５Ａ，７５Ｂに対して、少なくとも上記低速モードにおいて位置制御指令を送るシーケンサ８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造される半導体単結晶の径方向の面内抵抗率分布を制御することができ、特には面内での抵抗率のバラツキを低減することが可能なＦＺ法（フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法）による半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともドーパントガスを溶融帯域に噴出して半導体結晶にドーパントをドープし所望の抵抗率にするガスドーピングを使用したＦＺ法による半導体単結晶の製造方法において、少なくとも、予め前記半導体単結晶を製造して該半導体単結晶の径方向の面内抵抗率分布を取得し、製品となる半導体単結晶を製造するとき、直胴部を形成中に、該製品となる半導体単結晶への前記ガスドーピングによるドーパントのドープ量を、前記予め取得した径方向の面内抵抗率分布に応じて調節し、製品となる半導体単結晶の径方向の面内抵抗率分布を制御することを特徴とする半導体単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高温超伝導フィルタに適した高Qf値を有する電子デバイス用誘電体を提供する。
【解決手段】 組成式を(1-X)LaAlO₃-XSrTiO₃と表し、0<X≦0.2を満足し、誘電率が24以上、Qf値が300,000GHz以上の誘電体特性を有する複合酸化物の単結晶材料の（110）面を電界面としたことを特徴とする電子デバイス用誘電体。この電子デバイス用誘電体は、準ミリ波以上の高周波帯域で誘電体材料としてQf値が大幅に向上するとともに高温超伝導フィルタに適用できる。 （もっと読む）

【課題】常温において電気磁気効果を呈する電気磁気効果材料及び電気磁気効果材料からなる電子素子を提供する。
【解決手段】電気磁気効果材料を、下記式(1)で表され、式(1)中のＲの一部が正二価以下の元素により固溶置換されている酸化物とする。
(ＲＭ₂Ｏ₄)_m(ＲＭＯ₃)_n (1)
(式中、Ｒは、Ｙ、Ｄｙ、Ｌｕ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｈｏ、Ｓｃ及びＩｎからなる群より選択される少なくとも１種の元素であり、Ｍは、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＧａからなる群より選択される少なくとも１種の元素であり、ｍは１または２であり、ｎは０以上の整数である。)。この電気磁気効果材料を用いて電子素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＦＺ法（フローティングゾーン法、または浮遊帯域溶融法）における画像計測用カメラ位置の自動調整方法及び自動調整システムを提供する。
【解決手段】ＦＺ法に用いられる画像計測用カメラ２０の誘導加熱コイル１４との相対位置を調整するＦＺ法における画像計測用カメラ位置の自動調整方法であって、前記誘導加熱コイル１４の現在コイル位置を測定し、前記現在コイル位置と前記誘導加熱コイル１４の設計コイル位置との差分を算出し、前記現在コイル位置の方向に前記差分だけ前記画像計測用カメラ２０を平行移動させる。 （もっと読む）

【課題】多結晶材料から容易に単結晶が育成できるとともに、単結晶製造のコストを低下させて、単結晶の利用範囲を広げることが可能な単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】長尺状の多結晶材料と加熱源を、多結晶材料の長手方向に相対的に移動させることによって多結晶材料を局所加熱で半溶融状態にして多結晶材料の長手方向に単結晶を成長させる方法において、映像観察装置によって多結晶材料の局所加熱部の映像を連続的に観察し、半溶融部の状態をリアルタイムで観察して局所加熱部の加熱温度及び移動速度を制御することにより単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、ＣＺ法により形成されたＰ型のシリコン結晶を原料棒とし、Ｎ型の不純物をガスドープして、Ｎ型のシリコン単結晶を形成する。その際、前記不純物のガスドープ量を、前記Ｎ型のシリコン単結晶の抵抗率が前記原料棒の抵抗率より低くなるように調整している。 （もっと読む）

複数のシリコン芯を製造する高周波コイル引き孔の配置であって、高周波コイル技術分野に属し、本発明が分流槽の位置配置を変化し、且つ前記「Ｃ」形の分流槽と補助電流引導孔によって補助され、又は２つの引き孔がその間に分流槽によって接続されてバーベル状均部に形成され、分流槽外端の引き孔が放射状に形成され、電流が流れる時に、分流槽又は分流槽と補助電流引導孔の分流作用下で、ほぼ均一に前記各引き孔に回って流れ、分流槽の補助下での電流が更に均一に各引き孔の周囲に分布できるため、電流が引き孔の周囲に均一に分布する目的を達成し、不良品の数も低減する。
（もっと読む）

【課題】ＦＺ法の種絞り工程から結晶径を拡大するコーン部形成工程初期における半導体単結晶の晶出界面の測量方法、測量システム、制御方法、制御システムを提供する。
【解決手段】半導体単結晶を製造するＦＺ法の種絞り工程から結晶径を拡大するコーン部２４形成工程初期において加熱コイル２８の内部で晶出される前記半導体単結晶の晶出界面２２の直径を、前記晶出界面２２と異なる高さ位置に配置された第１カメラ１２と、前記第１カメラ１２と同一の高さ位置に配置され前記第１カメラ１２と平行な光軸を有する第２カメラ１４との前記晶出界面２２に対する視差を利用した三角測量演算処理を介して測量する。 （もっと読む）

さまざまな品質のシリコン原料を使用してシリコンインゴットおよび結晶を形成する技術が記載される。共通の特徴は、所定量のゲルマニウムを溶融物に添加し、それぞれの結晶シリコン材料のシリコン格子にゲルマニウムを取り込むように結晶化を実行することである。ゲルマニウムがこのように取り込まれることで、シリコン材料のそれぞれの特性、主に、材料強度が向上する。これにより、太陽電池の製造およびこれらの太陽電池からのモジュールの作製におけるこのような材料の適用に好ましい効果を及ぼす。ゲルマニウム濃度が（50〜200）ppmwの範囲のシリコン材料は、材料強度の向上を示しており、この場合の最良の実用範囲は、生成された材料の品質に依存する。

（もっと読む）

【課題】高い平坦度が得られる半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ１の直径φを４５０ｍｍ、厚みｔを９００μｍ以上１１００μｍ以下とする。また、半導体ウェーハ１の局所的な平坦度を示すＳＦＱＲ（Ｓｉｔｅ Ｆｒｏｎｔｓｉｔｅ ｌｅａｓｔ ｓＱｕａｒｅｓ ｆｏｃａｌ ｐｌａｎｅ ｓｉｔｅ Ｒａｎｇｅ）を２５ｎｍ以下、全面の平坦度を示すＧＢＩＲ（Ｇｒｏｂａｌ Ｂａｃｋｓｉｄｅ Ｉｄｅａｌ ｆｏｃａｌ ｐｌａｎｅ Ｒａｎｇｅ）を０．１μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】簡便且つ低コストで半絶縁性の酸化ガリウム単結晶を得ることができる半絶縁性酸化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム粉末を原料としてラバーチューブに封入し、ラバープレスで成形、電気炉で温度1500℃、10hで焼結した焼結体を原料棒として、フローティングゾーン法で酸化ガリウム単結晶を育成し（Ｓ１）、育成された酸化ガリウム単結晶を原料として酸素100％の雰囲気中にてフローティングゾーン法で酸化ガリウム単結晶を成長させる（Ｓ２）。 （もっと読む）

【課題】低不純物汚染（高純度）の多結晶シリコンロッドであってかつ単結晶化効率の高いＦＺ用多結晶シリコンロッドの製造を可能とする方法を提供すること。
【解決手段】単結晶シリコンインゴット１０のショルダ部１０ｓおよびテイル部１０ｔを切り落として得られたボディ部１０ｂから平板状シリコン１１を切り出し、更に、短冊状に切断してシリコン棒（芯線）１２を得る。このようにして切り出した芯線の表面は、切断加工時に生じた残留歪みを除去する目的で、エッチング処理を施すことが好ましい。結晶成長軸方位が＜１００＞の場合、晶壁線（ｈ１〜ｈ４）は４本となるが、シリコン棒（芯線）１２は、その面が、晶壁線と特定範囲のオフアングルθを成すように切り出される。このときのオフアングルθは、５度乃至４０度の範囲であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】制御に必要な溶融帯域の幾何学量を簡易な構成によって容易に計測することができる浮遊帯域溶融法による単結晶製造装置を提供すること。
【解決手段】単結晶製造装置は、誘導加熱コイル１６の上側外周縁Ｐ１を含む第１水平面Ｈ１に光軸を実質的に一致させることにより上方幾何学量（距離Ｌ１，素材径Ｄｐ）を検出可能に設けられた第１カメラ１８と、下側外周縁Ｐ２を含む第２水平面Ｈ２に光軸を実質的に一致させることにより下方幾何学量（距離Ｌ２，結晶径Ｄｓ）を検出可能に設けられた第２カメラ２０と、斜め下から単結晶１２と誘導加熱コイル１６との隙間を通して融液部１１の幾何学量（距離Ｌ３，直径）を検出する第３カメラ２２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】単結晶が少なくとも２００ｍｍの長さにわたり少なくとも２００ｍｍの直径を有し、かつ無転位であるシリコンからなる単結晶を提供する。
【解決手段】容器内の不活性ガス及び窒素からなる雰囲気が１．５〜２．２ｂａｒの圧力であり、前記の雰囲気を連続的に交換し、この場合、１時間当たり容器の容量の少なくとも２倍を交換し、かつ原料棒の溶融のために少なくとも２２０ｍｍの外径の平板コイルを使用し、単結晶を１．４〜２．２ｍｍ／ｍｉｎの範囲内の速度で引き下げかつ回転角の１セットづつ周期的に回転させ、このセットの回転角ごとの各回転の後に回転方向を反転させる。例えば、単結晶はまず回転数Ｎ１で時計回りに角度α１だけ回転し、次いで回転方向の反転が行われ、回転数Ｎ２で反時計回りに角度α２だけ回転を行い、α１及びα２の周期的に繰り返す回転を行う。回転角の選択を適切におこなうことにより形状の安定した高品質の単結晶が得られる。 （もっと読む）

切断されたまま、又は一部工程の終了した、多結晶シリコンウェハなどのバンドギャップ材料からルミネセンス画像を撮影する（２）一方法（１）が開示される。この画像は次に処理されて（３）、バンドギャップ材料中にある転位などの欠陥に関する情報を提供する。得られた情報は、バンドギャップ材料から製造される太陽電池の、開放電圧、及び短絡電流のような、種々の主要パラメータの予測に利用される（４）。この情報は、バンドギャップ材料の分類へも利用することが可能である。この方法は、バンドギャップ材料中の欠陥密度の低減を目的とする、アニールなどの追加プロセス工程の調整又は効果の評価に利用することも可能である。
（もっと読む）

【課題】１本の結晶棒の成長軸方向全体にわたって電気抵抗率がほぼ一定であるか、軸方向プロファイルを有する結晶が取得可能なＦＺ法による半導体結晶の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】濃厚ドーパントガス供給手段２４から供給された濃厚ドーパントガスをＡｒガス供給手段２２から供給されたＡｒガスで希釈した混合ドーパントガスを混合ドーパントガス供給手段２０によりチャンバー１１内に供給するように構成され、さらに、結晶製造条件を制御する結晶製造条件制御手段２６と、結晶成長状態を検出する検出手段２７と、各制御手段に信号を与えるコントローラ２８を備えたＦＺ法による半導体結晶製造装置１において、原料半導体棒１４と晶出側半導体棒９との間に溶融帯域を形成し、直胴部を形成する工程中に、前記検出手段２７により検出された結晶成長状態の変化に応じて、前記晶出側半導体棒へのドーパント添加量を制御する。 （もっと読む）

【課題】シリコンからなる半導体ウェハ中で有害であると分類された凝集した内因性点欠陥の欠陥を確実かつ簡単な方法で回避しうる経済的な半導体ウェハの製造方法およびその方法により製造した半導体ウェハを提供する。
【解決手段】最低濃度又は前記最低濃度を上回る濃度のフッ素でドープされているシリコンからなる融液を準備し、前記融液を、融液中にフッ素が不在の場合に単結晶中に臨界直径を有するかそれ以上の直径を有する凝集した内因性点欠陥が形成される特定の速度で、結晶化することにより、フッ素濃度を１・１０¹⁰〜１・１０¹⁶原子／ｃｍ³の範囲内で含有するシリコン単結晶を形成し、前記単結晶から半導体ウェハを分離する。その後、好ましくは前記半導体ウェハを５５０℃〜１１００℃の範囲内の温度で熱処理し、つづいてエピタキシャル層を前記半導体ウェハ上に堆積させる。 （もっと読む）