【課題】 エネルギーの時間分解能が十分に高い無機シンチレータを提供する。
【解決手段】 上記課題を解決する本発明の無機シンチレータは、放射線によりシンチレーションを起こすことが可能な無機シンチレータであって、Ｌｕ、Ｇｄ、Ｃｅ及びＳｉを含有する金属酸化物からなり、空間群Ｃ２／ｃの単斜晶に属する結晶であり、かつ下記式（１）及び（２）で表される条件を同時に満足するものである。
｛Ａ_Ｌｕ／（Ａ_Ｌｕ＋Ａ_Ｇｄ＋Ａ_Ｃｅ）｝＜０．５０ …（１）
｛Ａ_Ｃｅ／（Ａ_Ｌｕ＋Ａ_Ｇｄ＋Ａ_Ｃｅ）｝≧０．００２ …（２）
ここで、式（１）及び（２）中、Ａ_Ｌｕは結晶中のＬｕの数を示し、Ａ_Ｇｄは結晶中のＧｄの数を示し、Ａ_Ｃｅは結晶中のＣｅの数を示す。 （もっと読む）

【課題】ニオブ酸カリウムＫＮｂＯ_３ 単結晶の製造において、結晶内の強誘電体自発分極方向が揃った高品質の単分域化結晶を製造する単分域化処理方法を提供する。
【解決手段】多分域構造を有するニオブ酸カリウム単結晶１５の対向面にそれぞれ正負の電極１６，１７を形成し、これらの電極間に電界を印加してニオブ酸カリウム単結晶を単分域化する方法において、単分域化処理を、電極と単結晶間に半絶縁物質を介在させ、正方晶系から斜方晶系に構造相転移する温度より低く１７０℃より高い温度で電極間に電界を印加して行う第１段の単分域化処理と、１７０℃以下の温度で前記電極間に第１の単分域化処理における印加電界よりも高い電界を印加して行う第２段の単分域化処理の２段階で行う。これにより、結晶全体の自発分域方向が揃った透明単結晶を得る。 （もっと読む）

ニオブ酸リチウムおよびタンタル酸リチウムの結晶をプリコンディショニングするための方法および装置。結晶の表面の少なくとも一部を、１もしくは複数の活性な化学物質を含有する凝縮された材料により被覆する（１１０）。該結晶を非酸化性環境中で、活性な化学物質が被覆された表面部分の下の結晶を還元することに貢献する活性化温度より高い温度に加熱する（１２０）。該結晶を、活性化温度より高い温度から、活性な化学物質が結晶を還元するためにほぼ不活性になるような急冷温度より低い温度に冷却する（１３０）。
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本発明は、シリコン結晶化用坩堝に関し、更に、坩堝内の溶融材料が凝固した後にインゴットとして取り出す際の取り扱いに用いる坩堝用の離型コーティングの作製および塗布に関し、更に詳しくは、多結晶シリコンの凝固に用いる坩堝用の離型コーティングに関する。本発明の目的は、エンドユーザーの設備で非常に厚いコーティングを形成する必要がなく、形成が迅速かつ安価であり、壁面との密着性が高い強力なコーティングを備えた坩堝を提供することである。この課題は、ａ）基体２の底面２１および側壁２２が内部空間を規定しており、ｂ）中間層３が５０〜１００wt％のシリカを含み、内部空間に対面する側壁２２の表面に存在し、ｃ）表面層４が５０〜１００wt％の窒化シリコン、５０wt％以下の二酸化シリコンおよび２０wt％以下のシリコンを含み、中間層の上に存在しているシリコン結晶化用坩堝によって解決される。
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融液から単結晶半導体を引上げ成長させる過程で、単結晶半導体に不純物が、より均一に取り込まれるようにすることで、半導体ウェーハの面内での不純物濃度ムラを小さくさせ、もってウェーハの平坦度を向上させることを目的とする単結晶半導体の製造方法であり、単結晶半導体（６）を引き上げる過程で、引上げ速度の変動を抑制することにより、単結晶半導体（６）内の不純物の濃度ムラを小さくする。特に、引上げ速度の１０秒間の速度変動幅（ΔＶ）を０．０２５ｍｍ/ｍｉｎ未満に調整する。更には、単結晶半導体（６）の直径が所望の直径となるように引上げ速度を調整する制御を行うに際して、融液（５）に１５００ガウス以上の強度の磁場を印加する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも０．０１８モル／ｋｇの、フッ化物の状態で存在する２価の陽イオンＭがドーピングされている、特に単結晶の形をしている、結晶性のフッ化リチウムに関する。イオンは、Ｍｇ^２＋、Ｚｎ^２＋又はＣｏ^２＋であることができる。このフッ化物は、高い反射性と、それから放出される強い放射線とを有することができ、また、この放射線は、とりわけ希土類ハロゲン化物タイプの高速光シンチレータによって効果的に受容することができる。この物質は、元素分析の目的のため、Ｘ線蛍光放射線用のモノクロメータとして特に有用である。 （もっと読む）

本発明は、ＣＺ法により育成されたシリコン単結晶であって、シリコン単結晶内部にＣｕ析出物が存在しないシリコン単結晶、及び前記シリコン単結晶から製造されたシリコンウェーハであって、ウェーハの表面及び内部にＣｕ析出物が存在しないシリコンウェーハ、並びにＣＺ法によるシリコン単結晶の製造装置であって、単結晶育成炉内温度が１０００℃以上の部分で使用する石英製部品のＣｕ濃度が１ｐｐｂ以下であり、且つ単結晶育成炉内温度が１０００℃未満の部分で使用する石英製部品のＣｕ濃度が１０ｐｐｂ以下であるシリコン単結晶の製造装置、及び前記製造装置を用いてシリコン単結晶を育成するシリコン単結晶の製造方法である。これにより、結晶欠陥が極めて少なく、高品質で高歩留まりなシリコン単結晶、シリコンウェーハ及びそれらの製造装置並びに製造方法が提供される。 （もっと読む）

外側層と、（ａ）石英の融解温度又はその近傍で酸素及び窒素と反応するとともに（ｂ）１４００℃超の温度で熱的に安定でＳｉＯ_２環境中で化学的に安定な化合物を形成する元素及び化合物でドープされた内側層とを備える、気泡含量の低減又は制御された石英ルツボが開示される。融解プロセスにおいて気泡中の残留ガス、例えば窒素及び酸素と反応し、したがって気泡中のガスを消費し、気泡を空にする材料でドープされた内側層を有するルツボを形成する工程を含む、気泡含量の制御されたルツボの製造方法も開示される。 （もっと読む）

本発明は、シンチレーション物質に関し、これらは、X線、ガンマー線およびアルファ線の記録および測定；固溶体構造の非破壊試験；三次元陽電子発光断層X線撮影；および、X線コンピュータ断層写真撮影ならびに蛍光X線撮影のために、核物理分野、医学分野および石油業界にて利用することができる。ルテチウム(Lu)とセリウム(Ce)とを含むシリケートに基づくシンチレーチング物質は、物質の組成が、化学式：Ce_xLu_2+2y-xSi_1-yO_5+y；Ce_xLi_q+pLu_2-p+2y-x-zA_zSi_1-yO_5+y-p；Ce_xLi_q+pLu_9.33-x-p-z□_0.67A_zSi₆O_26-p(式中、Aは、Gd、Sc、Y、La、Eu、Tbからなる群より選択される少なくとも1つの元素であり；xは、1×10^-4f.u.と0.02f.u.との間の値であり；yは、0.024f.u.と0.09f.u.との間の値であり；zは、0.05f.u.を上回らない値であり；qは、0.2f.u.を上回らない値であり；pは、0.05f.u.を上回らない値である)；Ce_xLi_1+q+pLu_9-x-p-zA_zSi₆O_26-p(式中、zは、8.9f.u.を上回らない値である)によって表される。達成可能な技術的成果は、高密度；高光収率；低い残光；および、三次元X線断層撮影(PET)用のシンチレーチング素子の製造の間の低い損失パーセンテージを有するシンチレーチング物質である。 （もっと読む）

本発明は、溶融物（１３）を加熱する抵抗ヒーターと、るつぼ（１１）内で交番磁界を生じさせる電界コイル（導体）とを通常備え、それによって電流を溶融物に通電させる液晶成長ユニットに関するものである。本発明によると、抵抗ヒーターが磁界コイルとして組み込まれ、言い換えると中空円筒体（１）によって形成され、その中に螺旋状で単一層の電流路が周縁スロット（２）によって形成される。本発明はユニットを加熱するために必要な電流を、移動磁界を発生させるためにも使用される。そのために、分離電界コイルまたは磁界用の分離電力供給部が必要である。コイル構成部として組み込まれる電界コイルのようにも作用する抵抗ヒーターは、高温抵抗であり、ユニットの熱コア、すなわち溶融領域を直接囲む。従って磁界を発生させるのに必要な寸法は、最小になる。磁界は結晶成長ユニットの外板壁を越えて広がることはなく、前記外板壁が通常の鉄外板として組み込みできる。

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本発明の高抵抗シリコンウェーハの製造方法によれば、ＣＺ法により得られた、高抵抗で炭素を含有するシリコンウェーハを用いて、昇温操作（ランピング）による第１熱処理と、高温熱処理および中温熱処理とからなる第２熱処理とを組み合わせることにより、効率的に酸素ドナーの生成を抑制でき、デバイス製造の工程における熱処理後においても、高抵抗が維持でき、抵抗率の変動を抑制した高抵抗シリコンウェーハを得ることができる。さらに、この高抵抗シリコンウェーハを用いれば、優れたエピタキシャルウェーハおよびＳＯＩウェーハを製造できるので、高周波通信デバイスまたはアナログ、デジタル混載デバイス等、広い分野で適用することができる。
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単結晶スピネルブール、ウェハ、基板およびそれらを含む能動デバイスが開示される。１つの態様において、このような物品は改良された収率により表される、減少した機械的応力および/またはひずみを有する。さらに、単結晶スピネルは非化学量論的組成を有し、約４００ｎｍ〜約８００ｎｍの波長範囲にわたる透明性窓を有する。 （もっと読む）

単結晶スピネルブール、ウェハ、基板およびそれらを含む能動デバイスが開示される。機械的応力および/またはひずみが減少した、このような物品は改良された収率により表される。 （もっと読む）

単結晶スピネルウェハが開示され、前面および裏面；ならびに第１および第２平面を持つ外周部を含む。ある態様において、単結晶スピネルウェハは特定の結晶学的配向を有し、そして平面は所望の面配置に沿って延びるように与えられる。平面はへき開面およびへき開面のへき開方向を確認するのに有利でありうる。 （もっと読む）

チョクラルスキー法により、単結晶引上げ装置１１のチャンバ１内に不活性ガスを流下させるとともに、原料融液２から引上げた単結晶３を整流筒４で取り囲んで単結晶を製造する方法において、単結晶の径方向にリング状に発生するＯＳＦ領域の外側のＮ領域の単結晶を引上げる際、引上げる単結晶の直径をＤ（ｍｍ）としたとき、該単結晶と前記整流筒との間の不活性ガスの流量を０．６Ｄ（Ｌ／ｍｉｎ）以上とし、かつ前記チャンバ内の圧力を０．６Ｄ（ｈＰａ）以下とする条件で前記Ｎ領域の単結晶を引上げることを特徴とする単結晶の製造方法。整流筒として、少なくとも表面のＦｅ濃度が０．０５ｐｐｍ以下のものを用いることが好ましい。これにより、ＣＺ法により整流筒を備えた装置により単結晶を製造する場合に、低欠陥であって、かつ、外周部においてもＦｅ濃度を１×１０^１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下に抑えることができる単結晶の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 アニール処理を不要としたカットロッドの加工方法を提供する。
【解決手段】 多結晶シリコンロッドの外周部分または外周部分の一部を取り除き、残した中央部分に加工を施すことを特徴とする加工方法であって、好ましくは、直径の１０〜６０％に相当する外周部分を研削して取り除いた後に溝加工などを施す加工方法およびこの加工を施した多結晶シリコンロッド。 （もっと読む）