【課題】非晶質シリカ基板上に粒径４００ｎｍ以上の強誘電体薄膜を有する半導体基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】非晶質シリカ基板上に厚さが炭素原子数１Ｅ１７／ｍ２以上、１Ｅ２２／ｍ２以下である炭素系の膜を有し、膜の上に粒径４００ｎｍ以上の大きさを持つＳｎ単結晶膜が蒸着されてなる半導体基板。および、非晶質シリカ基板上に厚さが炭素原子数で１Ｅ１７／ｍ２以上、１Ｅ２２／ｍ２以下である炭素又は炭化水素からなる炭素系の膜を形成し、膜のうえに、基板を２００℃以下に加熱しながらＳｎを蒸着して、粒径４００ｎｍ以上のＳｎ単結晶の膜を形成する半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉ単結晶基板上に強誘電体薄膜を形成するに際し、膜内の応力を制御して自発分極値の低下を防ぐことを目的とする。
【解決手段】 Ｓｉ単結晶基板上に形成された強誘電体材料からなるエピタキシャル強誘電体薄膜であり、この強誘電体薄膜の結晶面のうち、前記Ｓｉ単結晶基板表面の結晶面に平行な結晶面をＺ_Ｆ面とし、Ｚ_Ｆ面間の距離をｚ_Ｆとし、強誘電体薄膜構成材料のバルク状態でのＺ_Ｆ面間の距離をｚ_Ｆ０としたとき、０．９８０≦ｚ_Ｆ／ｚ_Ｆ０≦１．０１０であり、前記強誘電体材料が、ペロブスカイト型結晶構造を有する、化学式ＡＢＯ_３（ＡはＣａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、ＬａおよびＣｄから選ばれた１種以上であり、ＢはＴｉ、Ｚｒ、ＴａおよびＮｂから選ばれた１種以上である）で表される化合物又は希土類元素含有チタン酸鉛であり、厚さが２〜１００ｎｍである強誘電体薄膜。 （もっと読む）

【課題】 昇華法により窒化物単結晶を製造する際に、得られる単結晶に欠陥が導入されないにようにして、その結果、良質で、大口径の単結晶を効率よく製造することのできる製造方法を提供する。
【解決手段】 加熱炉１内で窒化アルミニウムの原料粉末９を加熱して昇華させ、種結晶７上で窒化アルミニウムを成長させるに当たり、前記窒化アルミニウムの原料粉末９に、平均粒径１０μｍ以上のもの又は比表面積０．０２ｍ^２／ｇ以下のものを用いる。 （もっと読む）

【課題】種結晶配置部に対して種結晶表面を均等に圧着する種結晶固定方法及び種結晶固定装置を提供する。
【解決手段】反応容器の種結晶配置部に接着剤を介して種結晶を固定するための種結晶固定装置であって、上記種結晶配置部を内部に配置可能なチャンバーと、
上記チャンバー内部に配置され、気体の給排気により膨張収縮し、膨張した際に上記種結晶の表面に接して種結晶の全面に均一に圧力をかける可撓性袋体と、
を備える種結晶固定装置。 （もっと読む）

【課題】種結晶配置部に対して種結晶表面を均等に圧着する種結晶固定方法及び種結晶固定装置を提供する。
【解決手段】反応容器の種結晶配置部に接着剤を介して種結晶を固定するための種結晶固定装置であって、上記種結晶配置部を内部に配置可能とし密閉雰囲気を形成するチャンバーと、上記チャンバーに接続され前記チャンバー内に減圧雰囲気を形成する吸引機と、を備える種結晶固定装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、欠陥の少ない結晶性に優れた炭化珪素単結晶ウェハを取り出せる炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶インゴットを提供する。
【解決手段】 成長結晶中の添加元素濃度が、成長結晶中で種結晶中と同じ濃度から、所定の濃度変化率の範囲内にて漸増あるいは漸減して所望の濃度まで変化させる炭化珪素単結晶の製造方法、及び、この方法により製造される炭化珪素単結晶インゴットである。 （もっと読む）

ＩｎＮ，ＧａＮ等に代表されるＩＩＩ族の窒化物半導体につき、貫通転位の発生や界面層の発生を抑えつつ良質の窒化物半導体層を成長させるべく、ＩｎＮからなる窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子の作製方法において、イットリア安定化ジルコニア基板（１２）の（１１１）面に対して、上記ＩｎＮを蒸着させる蒸着工程を設けることにより、当該基板（１２）の（１１１）面に対して、六方晶であるＩｎＮのｃ軸が略垂直となるように配向されてなる窒化物半導体層を形成させる。
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【課題】 １０^６ｃｍ^−２以下の低転位密度のＧａＮ単結晶基板を提供すること。
【解決手段】 気相成長の成長表面が平面状態でなく、ファセット面が集合した三次元的な凹部のファセット構造を持つようにし、最後までファセット構造を持ったまま、成長の終了までファセット構造を埋め込まないで成長させることにより転位をファセット底部に集合させ、ファセット底部に続く線領域以外の部分の転位を低減するようにして得た単結晶窒化ガリウム。 （もっと読む）

【課題】 窒化物エピタキシャル層構造とその製造方法の提供。
【解決手段】 基材とされる基板と、該基材の上に堆積され高温窒化アルミニウムガリウムインジウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）を材料とする第１中間層と、第１中間層の上に堆積され再結晶窒化アルミニウムガリウムインジウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）を材料とする第２中間層と、該第２中間層の上に堆積され窒化物エピタキシャル層材料で形成された窒化物エピタキシャル層と、を具え、低温窒化アルミニウムガリウムインジウムの欠陥密度過多の問題を改善してその装置特性を改善する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ周辺のＳｉとＣとの濃度を一定に保ち、かつ、パーティクルの発生を抑制することにより、高品質のＳｉＣ半導体結晶を得ることができるサセプタを提供する。
【解決手段】ウェハを載置する部分の少なくとも一部が、炭化タンタル又は炭化タンタル被覆黒鉛材である、炭化珪素被覆黒鉛材のサセプタである。前記ウェハを載置する部分が分離自在な部材であってもよい。また、前記ウェハを載置する部分の周辺部が分離自在な炭化珪素被覆黒鉛材であってもよい。 （もっと読む）

【課題】 サイズが大きく、かつ、品質が極めて高い電気光学的単結晶薄膜を得ることが可能な電気光学的単結晶薄膜成長用基板の提供。
【解決手段】 Ｓｉ（００１）基板２上にＢＴＯ単結晶薄膜６等をエピタキシャル成長させるための電気光学的単結晶薄膜成長用基板１であって、Ｓｉ（００１）基板上にＳｉとＢＴＯとの格子不整合を緩衝する緩衝層３，４，５が２層以上形成されている。 （もっと読む）

本発明は、異方性の結晶種層がその上のエピタキシャル有機層の結晶構造を制御している層状有機構造物に関する。前記構造物は、順に、基材と、３．４±０．３Åの分子間間隔を有する全体的に秩序のある結晶種層と、有機化合物の少なくとも一つのエピタキシャル層とを有する。前記種層は、共役ｐ系を有する少なくとも一つの多環式有機化合物のディスク状分子を有する。有機化合物の少なくとも一つの層は、前記種層上にエピタキシャルに堆積されている。本発明はさらに、層状有機構造物の製造方法を提供する。前記方法は、全体的に秩序のある異方性の結晶種層を基材上にカスケード結晶化プロセスにより形成することを含む。前記種層は、３．４±０．３Åの分子間間隔を有し、かつそれは、共役ｐ系を有する少なくとも一つの多環式有機化合物のディスク状分子を有する棒状超分子によって形成される。層状有機構造物を得るよう、気相または液相から前記種層上に一つのエピタキシャル有機層をエピタキシャルに堆積させる。
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