【課題】
非エピタキシャル晶質及びバルク領域における欠陥の少ない高品質のダイヤモンド薄膜、その製造方法、これを用いたダイヤモンドの表面処理方法、緩衝層形成方法を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド基板上に、炭素源ガスと重水素を含む混合ガスによる化学気相堆積法によるダイヤモンド薄膜であって、非エピタキシャル晶質及びバルク領域における欠陥の少ないダイヤモンド薄膜。
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【課題】 原料の融液表面に窒化膜が形成されず、原料の気化速度を安定化することができる単結晶の製造方法及び単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】 ３族金属材料３を気化させる気化部２１、気化部２１において発生した３族金属ガスと窒素ガスとを混合する混合部２２、及びこれらの混合ガスから３属金属元素を含む窒化物を析出させる析出部２３がこの順に設けられた単結晶製造装置１０を使用する。その際、３族金属材料３の表面にキャリアガスを導入して発生した３族金属ガスをこのキャリアガスにキャリアさせ、このキャリアガスにキャリアされた３族金属ガスをシールドガスで囲まれた状態で混合部に導入する。更に、混合部２２の温度を析出部２３よりも高温にする。 （もっと読む）

基質の上で炭化珪素の結晶を成長させるためのシステムが記載されている。このシステムは軸に沿って延びた室（１）を具備し、該室（１）は炭素を含むガスおよび珪素を含むガスに対する別々の供給装置（２、３）、該室の第１の端の区域（Ｚ１）に配置された基質の支持装置（４）、該支持装置（４）の近傍に配置された排ガス放出装置（５）、および該室（１）を約１８００℃よりも高い温度に加熱するようにつくられた加熱装置を具備し、ここで珪素を含むガスに対する供給装置（２）は、珪素を含むガスが該室の第２の端の区域（Ｚ２）に入るように配置され、またそのような形および寸法をもっており、炭素を含むガスに対する供給装置（３）は、第１の端の区域（Ｚ１）および第２の端の区域（Ｚ２）の両方から遠い所にある該室の中央の区域（ＺＣ）において炭素と珪素とが実質的に接触するように配置され、またそのような形および寸法をもっている。
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遠隔プラズマ増強化学気相成長法によってIII族金属窒化膜を成長させるための方法および装置が説明されている。この方法は、基板と、バッファ層を含む基板とからなる群より選択されるオブジェクトを成長チャンバにおいて約400℃〜約750℃の範囲の温度に加熱する工程、成長チャンバから離れて配置された窒素プラズマで活性化中性窒素種を産生する工程、および活性化中性窒素種を成長チャンバに転送する工程を含む。反応混合物が成長チャンバで形成され、この反応混合物は、III族金属窒化膜を形成するために窒素種と反応可能なIII族金属の一種を含有し、膜がデバイス用途に適合する条件下で、III族金属窒化物の膜が加熱されたオブジェクト上に形成される。1.6原子％未満の酸素濃度を示すIII族金属窒化膜も説明されている。

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