【課題】ＬＥＤ用の基板として用いられるＳｉ添加ＧａＰ単結晶をＬＥＣ法により製造するに際して、得られる単結晶の結晶成長軸方向におけるキャリア濃度の変化を低減させる。
【解決手段】Ｓｉ添加ＧａＰ単結晶を製造する方法において、Ｓｉ添加ＧａＰ単結晶の引き上げ速度を、Ｓｉ添加ＧａＰ単結晶の固化率が０．１５〜０．３の範囲で切り換えると共に、切換前の平均引き上げ速度が、５ｍｍ／ｈｒ〜１２ｍｍ／ｈｒの範囲となり、かつ、切換後の平均引き上げ速度が、前記切換前の平均引き上げ速度に対して０．２〜０．９の範囲となるように、前記引き上げ速度を制御する。好ましくは、Ｂ₂Ｏ₃の水分量を２００ｐｐｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】フラックス法において、高品質な高電子濃度のｎ型半導体結晶を製造できるようにすること。
【解決手段】少なくとも III族元素をフラックスを用いて溶融させて溶液とし、この溶液に窒素を含むガスを供給し、この溶液から種結晶上に、 III族窒化物系化合物半導体からなる半導体結晶を育成させるフラックス法による III族窒化物系化合物半導体の製造方法である。炭素と、ゲルマニウムを溶液中に溶解して、半導体結晶にゲルマニウムをドナーとして取り込むことにより、ｎ型の半導体結晶を得る。ガリウムに対するゲルマニウムのモル比を０．０５ｍｏｌ％以上、０．５ｍｏｌ％以下であり、炭素のナトリウムに対するモル比を０．１ ｍｏｌ％以上、３．０ｍｏｌ％以下とした。 （もっと読む）

【課題】 結晶軸方向で結晶品質の変化を抑制する。
【解決手段】窒素がドープされたシリコン融液１２から引上げられ、横断面の少なくとも中央に空孔型点欠陥が発生する領域を有し、ボトム側インゴットの外径がトップ側インゴットの外径より大きいシリコン単結晶インゴット。 （もっと読む）

【課題】アルミナ等の高融点物質の、精製、及び緻密で均一なブロックの製造方法を提供する。
【解決手段】ブロック１１には、所定の直径、及び円筒形等の形態を持たせることが可能である。基板１２はプラズマトーチ８の下に置かれ、アルミナ粒子又は他の高融点物質は、プラズマトーチ８によって加熱溶融される。これは、垂直軸に沿う回転、水平軸に沿う前後運動、及び垂直軸に沿う引き下ろし運動を包含する三つの独立した方向に動いている基板１２上に堆積する。 （もっと読む）

【課題】コドープを行うに際し、シリコン単結晶の育成中であっても液面振動を抑制してドーパントを添加することが可能であるシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコン単結晶引上装置１０は、シリコン融液１６の上方に配置された熱遮蔽体２０と、熱遮蔽体２０の外周側及びシリコン融液１６の液面から離間して配置され、シリコン単結晶Ｉｇとルツボ１４の内壁との間のシリコン融液１６の液面第１位置１６ａ上に液相ドーパントを供給する第１供給管５２と、液面第１位置１６ａとシリコン単結晶Ｉｇとの間の液面第２位置１６ｂ上に気相ドーパントを供給する第２供給管５４と、を有するドーパント供給部５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ドーパントの添加途中での昇華やシリコン融液の液面上での飛び跳ねによるドーパントの添加具合のばらつき及びガスをシリコン融液に吹き付けた際のシリコン融液の吹き飛びを防止し、かつ、シリコン単結晶の育成中であってもドーパントを添加することが可能なシリコン単結晶引上装置及びそれを用いたシリコン単結晶の製造方法の提供。
【解決手段】シリコン単結晶引上装置は、固相ドーパントを自由落下させる自由落下部５２と、固相ドーパントを自由落下部５２内に供給するドーパント供給部と、自由落下された固相ドーパントを保持して気化させるドーパント気化部５６と、気化された気相ドーパントをシリコン融液１６の液面上に送入するドーパント送入部５８と、気相ドーパントと共にシリコン融液の液面上に送入される第２キャリアガスを供給する第２キャリアガス供給部と、を備えたドーパント添加装置を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶の有転位化を抑制しつつ、シリコン単結晶の引き上げ中に大量のドーパントを融液に添加して高濃度のドーパントを含有した低抵抗率のシリコン単結晶を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】シリコンの融液に接触させたシリコン種結晶を回転させながら引き上げて、該シリコン種結晶下に直径がφｍｍの直胴部を有するシリコン単結晶を育成することを含むシリコン単結晶の製造方法であって、シリコン単結晶の直胴部の育成中に、シリコン単結晶を回転速度ωｒｐｍ［但し、ω≧２４−（φ／２５）］で回転させながらドーパントを融液に添加するドーパント添加工程を含むことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ドープ剤の飛散や蒸発を防ぐために一度の投入量を高精度に管理でき、更に投入量を容易に変更することができるドープ剤供給装置及びこのドープ剤供給装置を備える半導体単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】ドープ剤充填部２２の底面に配置され、ドープ剤分配部２３内に先端が延設された充填ロート管２４と、ドープ剤分配部２２の内部に配置された円筒状のドープ剤投入カップ２５と、ドープ剤投入カップに形成され、充填ロート管がドープ剤投入カップ内部に挿入される充填ロート管挿入穴２５ｂと、ドープ剤投入カップに形成され、ドープ剤投入カップ内のドープ剤をドープ剤分配部の内部に導出するドープ剤落下穴２５ａと、ドープ剤分配部に接続され、ドープ剤分配部の内部のドープ剤を石英ルツボに投入する投入管２１と、ドープ剤投入カップを揺動させる駆動手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体の凝固方法を提供する。
【解決手段】ドーパントを含む第一の半導体チャージ１２０から溶融半導体１０３のバスを形成する段階と、溶融半導体１０３の凝固段階とを含み、更に、ドーパントを含む補充半導体チャージ１２０を溶融半導体１０３のバスに添加する一つ以上の段階を、凝固中に実施することを含む。補充半導体チャージ１２０は固体状または液体状である。また、電子アクセプタードーパントはホウ素原子であり、電子ドナードーパントはリン原子である。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴットの直胴部を成長させる期間に必要な量のドーパントを融液に添加しても、シリコン単結晶に転位が導入されるのを軽減することのできるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶をシリコンの融液５に着液させた後、前記種結晶を引き上げてシリコン単結晶６を成長させる成長工程に、前記シリコン単結晶６の直胴部の成長中にドーパントを前記融液に添加するドーパント添加工程を含むシリコン単結晶６の製造方法であって、前記ドーパント添加工程において、前記ドーパント添加工程の開始時点における前記融液５の残りの質量を算出し、算出された前記融液５の残りの質量１ｋｇあたり、ドーパントを毎分０．０１〜０．０３５ｇ／ｍｉｎ・ｋｇの速度で前記融液５に添加する。ドーパント点か速度を前記範囲にすることにより、良好な歩留まりを確保しつつ、シリコン単結晶６が有転位化することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】試料管の貫通孔を通過した粉状体の昇華性ドーパントが、融液に落下することを防止可能なシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶引上装置１は、引上炉２と、引上炉２の内部又は外部に設けられ、融液５に供給する昇華性ドーパント２３を収容する試料容器６と、引上炉２の内部に設けられ、試料容器６に接合されて試料容器６から供給される昇華性ドーパントを融液５に供給する中空の供給部７と、供給部７の外側に設けられ、融液５からシリコン単結晶４１への輻射熱を遮蔽する筒状の熱遮蔽部材８と、供給部７の内側に設けられ、引上炉２の内部の不純物を除去するように排出されるガスが引上炉２の上下方向に流通する整流筒１５と、を備え、熱遮蔽部材８は、熱遮蔽部材８の内壁面に整流筒１５を載置する載置部１８を、試料容器６の移動範囲の少なくとも下方側に備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で試料管を供給部に送ることが可能であると共に、メンテナンス性の向上したシリコン単結晶引上装置を提供すること。
【解決手段】シリコン単結晶引上装置１は、ドープされたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により融液から引き上げるシリコン単結晶引上装置１であって、融液が収容される引上炉２と、引上炉２に外付けされ、引上炉２の内部と連通する中空の試料室１００と、融液に供給する昇華性ドーパントが収容される試料管６と、試料管６を支持する支持体１２０と、支持体１２０を試料室１００の内部で支持した状態で移動させることにより、支持体１２０に支持された試料管６を引上炉２の内部に移動させる移動手段１１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】１×１０^１６ｃｍ^−３以下のキャリア濃度の領域でキャリア補償の影響を低減可能なエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】エピタキシャル基板Ｅは、窒化ガリウム基板１１及び窒化ガリウムエピタキシャル膜１３を備える。窒化ガリウム基板１１の主面１１ａにおいて、転位密度が１×１０^８ｃｍ^−２以下であるとき、窒化ガリウムエピタキシャル膜１３中の電子トラップの密度が低減される。窒化ガリウム基板主面１１ａのオフ角が０．３度以上であるとき、窒化ガリウムエピタキシャル膜１３は低い電子トラップの密度を有する。窒化ガリウムエピタキシャル膜１３が１×１０^１６ｃｍ^−３以下のドナー濃度及び３×１０^１５ｃｍ^−３以下のアクセプタ濃度を有するので、窒化ガリウムエピタキシャル膜１３における補償が低く、窒化ガリウムエピタキシャル膜に１×１０^１６ｃｍ^−３以下のキャリア濃度が提供される。 （もっと読む）

水素、炭素源及び酸素源を含む雰囲気中で、基板上でのダイヤモンドの堆積を起こすために十分な圧力及び温度において基板を提供し、マイクロ波プラズマ球を設定することを含む、マイクロ波プラズマ支援化学気相堆積によりダイヤモンドを製造する方法であって、ダイヤモンドを４００ｔｏｒｒ超の圧力下で少なくとも２００μｍ／時間の成長速度において実質的に窒素を含まない、又は少量の窒素を含む雰囲気から堆積させる方法。 （もっと読む）

【課題】直胴部を育成する前に、現実の比抵抗を把握し、原料融液中のドーパント濃度を適正に調整することにより、良品率の高いシリコン単結晶を製造することができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】ルツボ２内の原料融液６に種結晶８を着液させた状態で、種結晶８を保持する引き上げ軸７とルツボ２との間に電圧を印加してこのときの電流値を測定する。その後種結晶８の引き上げに伴って直胴部９ｃを育成する前に、電圧の印加および電流値の測定を行い、測定した電流値に基づく抵抗の変化量Δρから結晶部位９ｄの比抵抗ρ（ＲＴ）を算出し、この比抵抗の算出値ρ（ＲＴ）が目標値となるように、原料融液６にドーパント原料およびシリコン原料のうちの少なくとも一方を供給する。 （もっと読む）

砒化ガリウム出発原料を溶融し、次いで砒化ガリウム溶融物を凝固させることによって、ドープされた砒化ガリウム単結を製造する方法であって、前記砒化ガリウム溶融物は、化学量論的組成に対して過剰なガリウムを含み、前記溶融物又は得られる結晶のホウ素濃度は、少なくとも５ｘ１０^１７ｃｍ^−３である方法が開示される。このように得られた結晶は、特に近赤外線の範囲において、低転位密度や高導電性、更に優れた低光吸収性を独自に組み合わせた特徴を有する。
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【課題】育成されたままの状態で製品出荷される、しかもライフタイム測定が困難な低抵抗のシリコン単結晶における金属汚染の有無を判定する方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりシリコン単結晶を引き上げる際に、トップ側で高抵抗の単結晶の引き上げを行って高抵抗部Ｌｂを育成した後、溶融液にドーパントを供給して（白抜き矢印の部位まで引き上げた時点で供給）、低抵抗の単結晶の引上げを行い、得られたシリコン単結晶の高抵抗部のライフタイムを測定することにより、低抵抗の単結晶の金属汚染の判定を行う。前記高抵抗の単結晶の直径を、低抵抗の単結晶の直径よりも小さくする実施形態、あるいは、徐々に増大させる工程および徐々に減少させる工程を含む実施形態を採れば、製品としての低抵抗シリコン単結晶の歩留まり向上等に有効である。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の直胴部の前半部までが形成される時間の長短によることなく、昇華性ドーパントが確実に高濃度に添加された、所望の抵抗率を有するシリコン単結晶を成長することができるシリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ドープされたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により融液から引上げるシリコン単結晶引上装置１ａであって、昇華性ドーパントを収納する収納手段として引上炉２の上部に設置された試料皿２０ａを用いる。試料皿２０ａの中には昇華性ドーパントを入れ、駆動手段２５ａによってヒンジに接続された試料皿２０ａを斜めに傾けて、昇華性ドーパントを供給管２２の一端に接続されたドープ管２１ａに投入していく。試料皿２０ａから駆動手段２５ａを用いて順次供給手段に投入することにより、１バッチの結晶成長において所望のタイミングで高濃度の昇華性ドーパントを供給することができる。 （もっと読む）

【課題】ドープが行われた後の結晶の領域において成長軸方向の比抵抗プロファイルが急激に変化したシリコン単結晶を引き上げることのできるシリコン単結晶引上装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ドープされたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により融液から引上げるシリコン単結晶引上装置１ａであって、昇華性ドーパントを収納する収納手段として、例えば引上炉２の上部に設置された試料皿２０ａを複数用いる。試料皿２０ａの中には昇華性ドーパントを入れ、駆動手段２５ａによって、ヒンジに接続された試料皿２０ａを斜めに傾けて、昇華性ドーパントを供給管２２の一端に接続されたドープ管２１ａに投入していく。複数の試料皿２０ａから駆動手段２５ａを用いて順次供給手段に投入することにより、１バッチの結晶成長において所望のタイミングで高濃度の昇華性ドーパントを複数回供給することができる。 （もっと読む）

【課題】均質なＳｉドープＧａＮ結晶を製造することができるIII 族窒化物半導体製造装置を提供する。
【解決手段】III 族窒化物半導体製造装置は、窒素とシランを供給する供給管１５と、坩堝１１にＧａ融液を供給するＧａ供給装置１６と、坩堝１１にＮａ融液を供給するＮａ供給装置１７と、を有している。従来のようにドーパントを供給する配管を別途設けずに、窒素とドーパントを混合して１つの供給管１５で供給するようにしている。そのためデッドスペースが増えないので、Ｎａの蒸発が抑制され、高品質なＳｉドープＧａＮ結晶を製造することができる。 （もっと読む）