パルス状マイクロ波プラズマを使用して高速に電子製品向け品質のダイヤモンド膜を製造する方法であって、真空チャンバ内で、少なくとも水素と炭素を含んでいる気体をパルス状放電に曝すことによって、基板付近に有限の体積のプラズマが形成され、パルス状放電は、プラズマ中で少なくとも炭素含有ラジカルを得て、基板上にダイヤモンド膜を形成するために炭素含有ラジカルを基板上に被着させるように、一連の複数の低電力状態および複数の高電力状態と、ピーク吸収電力Ｐ_cとを有している、方法。基板を７００℃と１０００℃との間の基板温度に維持しながら、少なくとも１００Ｗ／ｃｍ³のピーク電力密度でもって、プラズマの体積内に電力が注入される。
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【課題】 払い出される有機金属の量を安定させる有機金属原料供給方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 冷媒４を満たした恒温槽５内に浸漬した容器１中に液体または固体の有機金属３を収納し、前記容器１内にガスを導入することでそのガスと共に前記有機金属３を蒸気として前記容器１から払い出す有機金属供給方法において、前記容器１に振動を与えて前記有機金属の析出を防止することで、払い出される有機金属の量を安定させる。 （もっと読む）

【目的】エピタキシャル成長面の凹凸が小さく、良好な特性を有し、生産性に優れた半導体エピタキシャル基板を提供する。
【構成】基板の結晶学的面方位が、１つの｛１００｝面の結晶学的面方位から傾いており、その傾きの大きさが0.05°以上0.6°以下である単結晶砒化ガリウム基板上にエピタキシャル成長により結晶が形成されており、エピタキシャル結晶の少なくとも一部がＩｎ_x Ｇａ_(1-x) Ａｓ結晶（ただし０＜ｘ＜１）であり、かつエピタキシャル成長が熱分解気相成長方法によって行われることを特徴とする半導体エピタキシャル基板。 （もっと読む）

基板１２を反応管１１内に載置する工程の後、３族元素を含む第１の材料ガスを反応管内の基板上に供給する工程と、窒素元素を含む第２の材料ガスを反応管内の基板上に供給する工程と、を交互に行うことにより、窒化物半導体結晶を基板上に直接堆積する窒化物半導体の結晶成長方法である。第１の材料ガスに含まれる３族元素のモル数に対する第２の材料ガスに含まれる窒素元素のモル数の比は２００以上である。
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【課題】ＳｉＧｅ膜を堆積させる効率的な方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、プロセス室（２）内において少なくとも１つの半導体膜を少なくとも１つの基板上に堆積し、半導体膜が複数の成分からなり、成分が、個々のインジェクションユニット（５）を介して液体の又は液体に溶解した原料（３）が不連続に吐出されることによって、温度制御された蒸発室（４）内で蒸発され、この蒸気がキャリアガス（７）によってプロセス室に導入される、膜の堆積方法に関する。Ｓｉを含有する第１の原料とＧｅを含有する第２の原料（３）の流量の時間経過が、インジェクション圧、インジェクション周波数、及び、１つ以上の他のインジェクションユニットのデューティ比に対するデューティ比の位相関係等のデューティ比パラメータ等の、割り当てられたインジェクションユニット（５）が決定する流量パラメータを介して、個々に制御又は変化される。 （もっと読む）

本発明は、有機材料を含む贈り物からより恒久不変的な記念品を作るための方法であって、ここで前記贈り物は束の間の美しさを有し、且つ受取人に対する贈り主の感情を象徴するものである。本方法は、贈り物の束の間の美しさを、受取人に対する贈り主の感情を象徴する、より恒久不変または永遠の具現化物に転換させることを含む。これは贈り物の有機材料を人造ダイヤモンドに転換することによって好都合に実施できる。この人造ダイヤモンドは、贈り物の有機材料を炭素または炭素含有化合物に転換し、次いで前記炭素または炭素含有化合物を人造ダイヤモンドに転化することによって製造することができる。 （もっと読む）

シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜の一括的又は選択的エピタキシャル堆積の清浄な基板表面を調製する方法。更に、シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜を成長させる方法であって、基板洗浄方法と膜成長方法の双方が７５０℃未満、典型的には約７００℃〜約５００℃の温度で行われる前記方法。洗浄方法と膜成長方法は、シリコン含有膜が成長している処理容積において波長が約３１０ｎｍ〜約１２０ｎｍの範囲にある放射線の使用を用いる。反応性洗浄又は膜形成成分化学種の具体的な分圧範囲と組み合わせたこの放射線の使用は、業界で以前に知られている温度より低い温度で基板洗浄とエピタキシャル膜成長を可能にする。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニック構造を形成する方法が記述される。それらの方法は、基板上にダイヤモンド層を形成し、そこではダイヤモンド層の一部が欠陥を含み、その後、ダイヤモンド層から欠陥を除去することによってダイヤモンド層内に空孔を形成する。 （もっと読む）