本発明は、水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。これらの化合物は、式：ＳｉＨｎ１（ＧｅＨｎ２）ｙによって定義される。式中、ｙは２，３または４であり；ｎ１は、０，１，２または３であって原子価を満たし；ｎ２は、化合物中の各Ｇｅ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たす。
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【課題】鋳型構造を用いずに金属ナノワイヤを成長させ、外部環境検出ナノワイヤセンサおよび外部環境ナノワイヤセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】外部環境ナノワイヤセンサおよびその製造方法を提供する。上記方法は、シリコンなどの基板１０２から第１の複数のナノワイヤ１０８を成長させ、インシュレータ層１２０を第１の複数のナノワイヤ１０８上に堆積させ、エッチングによって第１の複数のナノワイヤの先端部１１６を露出させ、電極の端部１１４が第１の複数のナノワイヤの先端部１１６の上にまたがるようにパターン化された金属の電極１１２を形成し、エッチングによって電極の端部１１４の下にある第１の複数のナノワイヤ１０８を露出させる方法である。また、上記方法では成長プロモーション層が基板の上に形成される構成としてもよい。上記構成物は、選択的に形成された成長プロモーション層から成長し、露出されたナノワイヤを含む。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物結晶を安定して結晶成長する結晶成長装置を提供する。
【解決手段】金属Ｎａと金属Ｇａとの混合融液２９０を保持する坩堝１０は、内部反応容器２０内に配置される。外部反応容器３００は、内部反応容器２０の周囲を覆う。抑制／導入栓６０は、坩堝１０と内部反応容器２０との連結部よりも下側の配管３０内に固定され、金属融液１９０の表面張力によって金属融液１９０を保持するとともに、配管３０内の窒素ガスを金属融液１９０を介して空間２３内へ供給する。ガスボンベ１４０は、圧力調整器１３０を介して窒素ガスを配管３０へ供給する。支持装置５０は、種結晶５を混合融液２９０に常時接触させる。制御装置３７０は、空間２３の圧力Ｐｉｎと外部反応容器３００内の圧力Ｐｏｕｔとの圧力差を結晶成長装置１００が異常と判定される所定値よりも小さい値に設定する。 （もっと読む）

【課題】従来の製品よりも、反りが顕著に減少したサファイア基板／窒化ガリウム積層体を提供する。
【解決手段】窒化ガリウムの膜厚を「Ｘ」とし、積層体の反りの程度を示す曲率半径値を「Ｙ」と記すとき、膜厚に対する曲率半径を表す関数グラフが下式を満たし、この式において、Ｙ_０値が６．２３±１．１５、Ａ値が７０．０４±１．９２、Ｔ値が１．５９±０．１２である時に描かれる関数グラフと一致するか、又は膜厚Ｘに対する曲率半径値Ｙのグラフ図上で該関数グラフの右側に位置するように、サファイア基板上に蝕刻トレンチ（Ｔｒｅｎｃｈ）構造を形成した。


上式中のＹは曲率半径値（単位：ｍ）であり、Ｘは窒化ガリウムの膜厚（単位：μｍ）であり、常数Ｙ_０、Ａ及びＴは、正の数である。 （もっと読む）

【課題】結晶サイズが大きいＩＩＩ族窒化物結晶を結晶成長する結晶成長装置を提供する。
【解決手段】反応容器１０は、金属Ｎａと金属Ｇａとの混合融液２９０を保持する。外部反応容器２０は、反応容器１０の周囲を覆う。配管３０は、反応容器１０の下側において外部反応容器２０に連結される。抑制／導入栓６０は、反応容器１０と外部反応容器２０との連結部よりも下側の配管３０内に固定される。抑制／導入栓６０および金属融液１９０は、混合融液２９０から蒸発した金属Ｎａ蒸気の配管３０内への拡散を防止するとともに、空間２３内の圧力と空間３１内の圧力との差圧によって配管３０内の窒素ガスを空間２３内へ供給する。支持装置５０は、種結晶５を混合融液２９０に浸漬または接触させる。そして、種結晶５が混合融液２９０によってエッチングされた後、ＧａＮ結晶が種結晶５から結晶成長する。 （もっと読む）

【解決手段】 化学気相堆積法（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎＣＶＤ）を用いた炭素ケイ酸のエピタキシャル成長方法が提供される。この方法は、ハロゲン化炭素前駆体を利用し、更にケイ素及び炭素を含むハロゲン含有中間体化学生成物間の気相相互作用制御するものである。また、デバイス品質であるエピタキシャル層を、低い成長温度で尚且つ軸上又は低いオフ角の基板表面上にて達成される可能性が確認された。当該成長方法は、ＳｉＣ基板表面の非ケイ素カートリッジ領域に形成されるウインドウの中に成長を制限させることにより、所望の形と大きさのＳｉＣデバイス領域の形成に適用可能である。本願明細書に記載された当該発明を適用させることにより、高品質炭化ケイ素物質及びデバイスの製造に大きな利益を与えるものである。 （もっと読む）

【課題】各種の半導体デバイスに適用可能な大口径で結晶性のよいＡｌＮ結晶基板を提供する。
【解決手段】気相成長法により、反応容器内に設けられた結晶成長容器１２内の結晶成長室２４内に配置した種結晶基板２上にＡｌＮ結晶４を成長させる方法において、加熱により、カーボン含有ガス生成室２３内に配置された金属酸化物３から発生した金属酸化物ガスは、カーボン含有ガス生成室２３の内壁１２ｓを形成するグラファイト中のカーボンと反応してカーボン含有ガスであるＣＯガスおよび／またはＣＯ2ガスを生成し、Ｎ2（窒素）ガスとともに、開口部２１ｈを介して結晶成長室２４に供給される。結晶成長室２４内に供給されるカーボン含有ガスの量を増減させることにより、種結晶基板２上の結晶不成長領域（図示せず）が消滅して、種結晶基板２の表面全体にＡｌＮ結晶４が成長する。 （もっと読む）

連続的堆積処理でＳｉ膜を成膜する方法が供される。当該方法は、処理チャンバ内に基板を供する工程、前記基板を塩素化されたシランガスに曝露することによって塩素化されたＳｉ膜を成膜する工程、及び前記塩素化されたＳｉ膜をドライエッチングすることによって前記Ｓｉ膜の塩素含有量を減少させる工程、を有する。Ｓｉ膜は基板上に、選択的又は非選択的に堆積されて良い。堆積は自己制限的であっても良いし、非自己制限的であっても良い。他の実施例は、連続的堆積処理でＳｉＧｅ膜を成膜する方法を供する。
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例えば、光学用途に適している、ハイカラーを有するＣＶＤダイヤモンド層を形成する方法。この方法は、第１の種類の不純物原子がＣＶＤ合成雰囲気中に存在することにより引き起こされるカラーに対する悪影響に対抗するために第２の種類の不純物原子種を含む気体源を加えることを含む。説明される方法は、単結晶ダイヤモンド及び多結晶ダイヤモンドの両方の生成に適用される。 （もっと読む）

パターニングされたマスクを通してエッチングされたテンプレート材料の側壁からの選択横方向エピタキシャル成長法を用いることにより作製したＩＩＩ族窒化物のａ｛１１−２０｝面およびｍ｛１−１００｝面のような無極性の面、または｛１０−１ｎ｝面のような半極性の面における貫通転位密度を低減する方法を提供する。該方法は、無極性または半極性のＧａＮテンプレートのようなテンプレート材料上にパターニングされたマスクを成膜する工程と、マスク内の開口を通して色々な深さにテンプレート材料をエッチングする工程と、溝の底から垂直に成長する材料が側壁の上部に到達する前に、側壁の上部から横方向に成長した材料を合体させることによって無極性または半極性のＩＩＩ族窒化物を成長する工程を含む。合体した部分はマスクの開口を通して成長して、誘電体マスクの上を横方向に成長して、やがて完全に合体した連続的な膜が得られる。
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【課題】結晶性のよいIII族窒化物半導体層を形成することができるIII族窒化物半導体層の形成方法、III族窒化物半導体基板の製造方法、III族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０上に平面形状が正方形形状の被覆部１２２を有するマスク１２を形成する。マスク１２の被覆部１２２の角部１２２ＡにＧａＮ半導体層の３次元核１４０を形成する。この３次元核１４０をさらに成長させて、サファイア基板１０の基板面に対して傾斜したファセット面１４１Ａを有する構造体１４１を形成する。さらに、構造体１４１を成長させ、構造体１４１同士を合体させてＧａＮ半導体層を形成する。 （もっと読む）

本発明は、極性が制御されたＩＩＩ族窒化物の薄膜、及びこのような極性が制御された薄膜で被覆された基板の製造方法を提供する。詳細には、本発明は、ＩＩＩ族極性の薄膜、Ｎ極性の薄膜、又はＩＩＩ族極性部分とＮ極性部分の両方が的確な位置に選択的にパターン化された薄膜の成長を促進するために基板表面を最適化する基板前処理ステップを提供する。本発明の方法は、特に、ＣＶＤ法での使用に好適である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、欠陥の少ない結晶性に優れた炭化珪素単結晶ウェハを取り出せる炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶インゴットを提供する。
【解決手段】 成長結晶中の添加元素濃度が、成長結晶中で種結晶中と同じ濃度から、所定の濃度変化率の範囲内にて漸増あるいは漸減して所望の濃度まで変化させる炭化珪素単結晶の製造方法、及び、この方法により製造される炭化珪素単結晶インゴットである。 （もっと読む）

【課題】 酸素をｎ型ドーパントとして取り込むことができる窒化ガリウム単結晶の成長方法を提供すること。
【解決手段】 Ｃ面以外の面を表面（上面）にもつ種結晶を用いて、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外の表面を保ちつつ窒化ガリウム結晶を気相成長させることにより当該表面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。または、Ｃ面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外のファセット面を発生させ当該ファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶をｃ軸方向に気相成長させることによりファセット面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。 （もっと読む）

【課題】 ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造に用いられるＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）基板を提供する。
【解決手段】
基材として、サファイア、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、Ｇａ_２Ｏ_３のいずれかを用いて、基材上にＭＯＣＶＤ法により、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）層を形成し、その後、基材を除去してＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）基板を製造する。その際、成長速度を５μｍ／時間以上、原料のＶ／ＩＩＩ比を１０００以下、成膜温度を１２００℃以上とする。 （もっと読む）

【課題】 酸素をｎ型ドーパントとして取り込むことができる窒化ガリウム単結晶の成長方法を提供すること。
【解決手段】 Ｃ面以外の面を表面（上面）にもつ種結晶を用いて、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外の表面を保ちつつ窒化ガリウム結晶を気相成長させることにより当該表面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。または、Ｃ面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外のファセット面を発生させ当該ファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶をｃ軸方向に気相成長させることによりファセット面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。 （もっと読む）

【課題】リン原子がドープされたn型(100)面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド基板が、(100)面方位ダイヤモンドであり、気相成長手段により、水素、炭化水素及びリン化合物を気相中に存在させ、気相中の炭素原子に対するリン原子の比が0.1%以上であり、水素原子に対する炭素原子の比が0.05%以上である条件で(100)面方位ダイヤモンドを基板上にエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＶＰＥ法による窒化物系半導体のエピタキシャル成長速度を高める新たなエピタキシャル成長方法を提供する
【解決手段】ＭＯＶＰＥ法において一定条件下でV／III比を下げることにより、１０μｍ／Ｈｒ以上の成長速度が得られ、またこれをＲ面サファイア基板上のＡ面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、Ａ面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子デバイスへの応用を行う。 （もっと読む）

【課題】 表面が平坦で且つ表面に非配向結晶が存在せず、従来よりも薄い膜厚で結晶粒径を大きくすることができる高配向ダイヤモンド膜及びその製造方法並びに高配向ダイヤモンド膜を備えた電子デバイスを提供する。
【解決手段】 原料ガスとしてメタン及び水素の混合ガスを使用して、ＣＶＤ法により、基板３上にダイヤモンド結晶を｛１１１｝セクタ成長させてダイヤモンド層１を形成する。次に、原料ガスとしてメタン、水素及び酸素の混合ガスを使用し、プラズマＣＶＤ法により、ダイヤモンド層１上にダイヤモンド結晶を｛１００｝セクタ成長させてダイヤモンド層２を形成する。このとき、原料ガスの圧力を１３３ｈＰａ以上とし、原料ガスの組成を（［Ｃ］−［Ｏ］）／［ＣＨ_３＋Ｈ_２＋Ｏ_２］が−０．２×１０^−２以上で且つ［Ｏ］／［Ｃ］が１．２以下になるようにし、更に、基板温度を７５０℃を超え１０００℃未満とする。 （もっと読む）

本発明は、種付け昇華システムにおいて炭化ケイ素の高品質のバルク単結晶を製造する方法の改良である。第一の態様において、この改良は、結晶成長の最初の１ミリメートルにおいて高濃度の窒素原子を添加することによって、成長しつつある結晶におけるマクロステップの数を減少させることを含む。 （もっと読む）