【課題】切削工具、耐磨工具等の機械的用途、及び半導体材料、電子部品、光学部品等の機能品用途に適したダイヤモンド単結晶及びその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶全体にわたり、波数１３３２ｃｍ^−１（波長７．５μｍ）のピーク吸収係数が０．０５ｃｍ^−１以上１０ｃｍ^−１以下である化学気相合成法により得られたダイヤモンド単結晶であり、この単結晶は化学気相合成時の気相における元素の組成比率を、水素原子に対する炭素原子濃度が２％以上１０％以下かつ、炭素原子に対する窒素原子濃度が０．１％以上６％以下かつ、炭素原子に対する酸素原子濃度が０．１％以上５％以下とすることによって得られる。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む方法であり、前記半導体層を成膜する際、スパッタに用いるチャンバ内に、窒素及びアルゴンを供給してスパッタする。 （もっと読む）

【解決手段】シリコン単結晶をチョクラルスキー法により引き上げ、前記引き上げの間にホウ素、水素及び窒素でドープし、かつエピタキシャル被覆されたｐ^-ドープされた半導体ウェハに加工する、ｐ^-ドープされかつエピタキシャル被覆された半導体ウェハの製造方法
【効果】本発明の方法により製造されたエピウェハは、そのゲッター能力及び低い層欠陥密度のために、大規模集積電子素子の作成に適している （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により引き上げられたシリコン結晶を原料素材としても、従来のＦＺ法で得られる製品単結晶と同等の抵抗率分布を有する成長結晶を得ることができるシリコン単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造方法は、ＣＺ法により引き上げられたＰ型又はＮ型のシリコン結晶を原料素材６とし、原料素材６の導電型と同じ導電型の不純物をガスドープ装置４により供給しつつ、誘導加熱コイル３により再結晶化させて製品単結晶８を得る。 （もっと読む）

【課題】HVPE法によりアルミニウム系III族窒化物などのIII族窒化物を成長するにあたり、従来法と同等程度の良好な品質を有しかつ高い収率で製造する方法およびそれに用いる装置を提供する。
【解決手段】三塩化アルミニウムガス等のIII族ハロゲン化物ガスとアンモニアガス等の窒素源ガスとを成長室４１内で反応させて、成長室４１内に保持された基板４３上にIII族窒化物を成長させる窒化アルミニウム等のIII族窒化物の製造方法において、III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを予め混合して混合ガスとした後、ガス混合時並びに導入時の温度を制御するなどの方法によりガス中に析出物を実質的に生成させることなく成長室４１内に導入して反応させる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶基板上に高品質で欠陥の少ない炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板上にエピタキシャル欠陥の発生を抑えるための炭化珪素単結晶薄膜を有することを特徴とするエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及び、その製造方法で、上記炭化珪素単結晶薄膜の表面粗さのRa値が0.5nm以上1.0nm以下であり、その炭化珪素単結晶薄膜をエピタキシャル成長する際の材料ガス中に含まれる、炭素と珪素の原子数比(C/Si比)が1.0以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反りがない高品質の半導体用窒化ガリウム単結晶厚膜、特に、ｃ面（｛０００１｝面）窒化ガリウム単結晶厚膜を製造する方法に関する。
【解決手段】本発明は特に、ＨＶＰＥを使用して窒化ガリウム単結晶厚膜のｃ面（｛０００１｝面）を製造する方法である。窒化ガリウム膜は、塩化水素（ＨＣｌ）ガスとアンモニアガスを供給することによって基板上に成長される。基板上に窒化ガリウム膜を得て、基板上の窒化ガリウム膜上の窒化ガリウム厚膜が成長する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板と窒化物半導体層との間に低温バッファ層を介在させることなく、平坦で高品質の無極性窒化物半導体層を結晶成長させる窒化物半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体層の形成方法は、窒化物系半導体層の形成前にサファイア基板の一主面を８００℃から１２００℃の範囲の温度で窒化処理し、その窒化処理されたサファイア基板面上に有機金属気相成長法により窒化物半導体層を結晶成長させる。 （もっと読む）

本発明は、得られる基板が０．５マイクロ秒〜１０００マイクロ秒のキャリアライフタイムを有するように、シリコンカーバイド材料を基板上に堆積させる方法であって、ａ．クロロシランガスと、炭素含有ガスと、水素ガスとを含む混合ガスを、基板を含有する反応チャンバ内に導入すること、及びｂ．１０００℃より高いが２０００℃より低い温度に基板を加熱することを含むが、但し、反応チャンバ内の圧力は０．１ｔｏｒｒ〜７６０ｔｏｒｒの範囲に維持されるものとする、シリコンカーバイド材料を基板上に堆積させる方法に関する。本発明はまた、得られる基板が０．５マイクロ秒〜１０００マイクロ秒のキャリアライフタイムを有するように、シリコンカーバイド材料を基板上に堆積させる方法であって、ａ．非塩素化ケイ素含有ガスと、塩化水素と、炭素含有ガスと、水素ガスとを含む混合ガスを、基板を含有する反応チャンバ内に導入すること、及びｂ．１０００℃より高いが２０００℃より低い温度に基板を加熱することを含むが、但し、反応チャンバ内の圧力は０．１ｔｏｒｒ〜７６０ｔｏｒｒの範囲に維持されるものとする、シリコンカーバイド材料を基板上に堆積させる方法に関する。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系化合物半導体エピタキシャル成長条件としての、サファイア基板のＲ面からのオフ角αとＶ／III比ρの調整
【解決手段】サファイア基板にIII族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長させる際、Ｖ族元素の供給量とIII族元素の供給量の比であるＶ／III比を適正な値よりも小さいρ₁と大きいρ₂とで交互に行う。Ｖ／III比を適正な値よりも小さいρ₁のみで行うと、ｃ軸方向の不連続（ｍ軸方向に延びた凹部等の非平滑部）が表面に表れる（５．Ａ〜５．Ｄ）。エピタキシャル膜のＡ面内でｍ軸指向の成長が生じるからである。Ｖ／III比ρを適正な値よりも大きいρ₂のみで行うと、ｍ軸方向の不連続（ｃ軸方向に延びた凹部等の非平滑部）が表面に表れる（５．Ｅ〜５．Ｈ）。エピタキシャル膜のＡ面内でｃ軸指向の成長が生じるからである。そこでＶ／III比を当該ρ₁とρ₂とで交互に切り替える。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系化合物半導体エピタキシャル成長条件としての、サファイア基板のＲ面からのオフ角αとＶ／III比ρの最適化
【解決手段】サファイア基板にIII族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長させるIII族窒化物系化合物半導体の製造方法において、Ｖ族元素の供給量とIII族元素の供給量の比であるＶ／III比ρと、サファイア基板のｒ軸から、オフ面の法線がｃ軸に近づく側を正として単位を度としたオフ角αとを次の式（１）の関係を満たすようにする。
【数１】
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【課題】抵抗率のばらつきが少ないリンが高濃度にドーピングされた低抵抗リンドープダイヤモンド薄膜付きダイヤモンド単結晶の製造方法及び低抵抗リンドープダイヤモンド薄膜付きダイヤモンド単結晶を提供する。
【解決手段】原料ガス中のリン原子／炭素原子比を３％以上の条件で抵抗率３００Ωｃｍ以下の低抵抗リンドープダイヤモンドエピタキシャル薄膜２１を｛１１１｝単結晶基板１０の主面に成長させる方法であって、主面のオフ角は０．５０°以上２．７５°以下である。また、低抵抗リンドープダイヤモンド薄膜付きダイヤモンド単結晶２０は、｛１１１｝単結晶基板１０の主面のオフ角が０．５０°以上２．７５°以下であって、且つ、低抵抗リンドープダイヤモンドエピタキシャル薄膜２１の抵抗率が３００Ωｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】４Ｈ型ＳｉＣ等の所望の結晶多形である単結晶を成長させることができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器内に炭化珪素からなる種結晶を配置し、反応容器内に導入されたＳｉ成分およびＣ成分を含有する原料ガスを用いて、種結晶表面に炭化珪素からなる単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、ｔ７〜ｔ８の単結晶の成長初期過程では、投入原料中のＳｉ／Ｃ比を約２．２に設定し、ｔ８〜ｔ９の単結晶の高速成長過程では、投入原料中のＳｉ／Ｃ比を約１に設定することで、単結晶の成長初期過程では、単結晶の高速成長過程よりも、投入原料中のＳｉ／Ｃ比を高くする。これにより、ＳｉＣ種結晶と同一多形のＳｉＣ単結晶を安定して成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】特定の結晶面を備えていて高品質で表面が均一な窒化物半導体結晶を製造すること。
【解決手段】表面に少なくともＣ面を備え、かつ、該Ｃ面と直接隣接する面がＭ面でもＡ面でもないことを特徴とする六方晶系の種結晶を用いて結晶成長することにより窒化物半導体結晶を製造する。 （もっと読む）

電解槽（１２５）は電解液（１２３）を保持するための容器を備える。導電的にドーピングした単結晶ダイヤモンド陽極電極（１１０）は電解液（１２３）内に位置するように配置されている。導電性陰極電極（１２０）も同様に配置されている。電源（１３０）に接続するために、導体は電極に連結されている。電解液（１２３）が電極を通過して流れるように、容器に電解液入口（１５０）と電解液出口（１５５）が取り付けられている。一実施形態では、陽極電極（１１０）を陰極（１２０）電極の下流に配置し、酸素および／またはオゾンの生成によって水を含む電解液（１２３）が精製されるようになっている。
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【課題】より高い熱伝導率を有するＧａＮ系材料の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｇｒｏｗｔｈ）法によって窒化ガリウム系材料を成長させる。この成長は、Ｈ_２ガスを含むキャリアガスＧ１と、ＧａＣｌガスＧ２と、ＮＨ_３ガスＧ３とを反応室１０に供給し、成長温度を９００（℃）以上かつ１２００（℃）以下とし、成長圧力を８．０８×１０^４（Ｐａ）以上かつ１．２１×１０^５（Ｐａ）以下とし、ＧａＣｌガスＧ２の分圧を１．０×１０^２（Ｐａ）以上かつ１．０×１０^４（Ｐａ）以下とし、ＮＨ_３ガスＧ３の分圧を９．１×１０^２（Ｐａ）以上かつ２．０×１０^４（Ｐａ）以下として実施する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波プラズマＣＶＤ法を用いて、高濃度の窒素原子がドープされたｎ型半導体ダイヤモンド膜の製造方法を提供する。
【解決手段】メチルアミン、ジメチルアミン、及びトリメチルアミンから選ばれた１種類又は２種類以上のガスを水素で希釈した混合ガス、又はメチルアミン、ジメチルアミン、及びトリメチルアミンから選ばれた１種類又は２種類以上のガスと炭化水素ガスと水素ガスとの混合ガスを原料ガスとして使用し、ガス圧８０Ｔｏｒｒ（１０６６４Ｐａ）以上の条件下で、マイクロ波プラズマ化学気相蒸着法を用いて、基板表面に窒素原子を１０^２０ｃｍ^−３以上含む窒素ドープダイヤモンド膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 バルク炭化ケイ素単結晶の利用率の向上と素子特性の向上、さらに劈開性の向上を図ることができる炭化ケイ素単結晶ウェハの製造方法及びその製造方法により得られた炭化ケイ素単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】 表面が表面粗さ２ｎｍ以下のホモエピタキシャル成長面で（０００１）ｃ面からのオフ角が０．４度以下であることを特徴とするα型（六方晶）炭化ケイ素単結晶ウェハ。 （もっと読む）

複数の粒子を有する多結晶金属窒化物を含む組成物が提供される。これらの粒子は、拝金粒子サイズ、傾斜角度、不純物含有、気孔率、密度、及び金属窒化物における金属の分子分率、のような特徴の一つかそれ以上の柱状構造を有する。金属窒化物は、窒素含有材料が第ＩＩＩ族金属とチャンバー内で反応し、金属窒化物を生成して、少なくともチャンバー内の第ＩＩＩ族金属の導入、窒素含有材料とハロゲン化水素のチャンバーへの流入の工程からなる方法を介して生成される。第ＩＩＩ族金属が原材料材料として原材料注入口を通じてチャンバーに導入されて、第ＩＩＩ族金属窒化物グループの準備の方法が提供される。

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３Ｄ島または特徴が成長パラメーターを調整することのみで生み出される、エピタキシャル・ラテラル・オーバーグロース技術の新たな修正法を用いて、高特性自立ＧａＮが得られる。これらの島を平滑化させること（２Ｄ成長）は、次いで高い横方向成長を生じる成長条件を設けることにより達成される。３Ｄ‐２Ｄ成長の繰返しは貫通転位のマルチベンディングをもたらし、こうして厚い層、即ち貫通転位密度１０^６ｃｍ^−２以下の自立ＧａＮを生産する。 （もっと読む）