【課題】気相成長装置の成長室内の基板以外の部分へのＧａ含有窒化物の随伴的な付着、特に厚膜形成を行いたい場合の当該Ｇａ含有窒化物の随伴的な付着を防止することにより当該付着による様々な問題を解消し、且つ基板上へのＧａ含有窒化物半導体の成長が阻害されることなく、生産性が高いＧａ含有窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】ガリウム化合物を含む第一ガスと、窒素化合物を含む第二ガスを、気相成長装置の成長室内へ供給して、成長室内に設置した基板上にＧａ含有窒化物半導体を成長させるＧａ含有窒化物半導体の製造方法であって、第一ガス及び第二ガスを成長室内へ供給している期間において、平均の成長速度が６６μｍ／ｈ以上となるように、特定の供給量となるＨＣｌガスを含む第三ガスを前記第一ガスの供給口とは別の供給口から前記成長室内へ供給することを特徴とするＧａ含有窒化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化物結晶製造方法と窒化物結晶製造装置に関するもので、結晶の品質向上を目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、準備工程と、その後の結晶育成工程とを有し、前記準備工程は、種基板と、結晶原料である金属ガリウムとナトリウムと、を坩堝に収納するとした第１の工程と、前記結晶育成工程は、前記坩堝を結晶成長容器内に配置し、この結晶成長容器を炉心管内に配置した状態で、この炉心管を加熱手段により所定の温度で加熱し、前記坩堝を原料ガス供給手段により所定の気圧の窒素雰囲気下にした状態で、前記種基板上に結晶を育成するとした第２の工程と、を設けた。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、リン原子がドープされたｎ型（１００）面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜を備えた（１００）面方位を有するダイヤモンド半導体デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】 （１００）面から１０度以下のオフ角を持ち、エピタキシャル成長させるためのダイヤモンド基板と、前記基板上にリンをドープしてエピタキシャル成長させて形成したｎ型ダイヤモンド半導体単結晶膜とを備え、前記ｎ型ダイヤモンド半導体単結晶膜は、前記基板と同じオフ角ならびに（１００）面方位を有することを特徴とするダイヤモンド半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】基板上に材料をエピタキシャル成長させる方法と装置を提供する。
【解決手段】基板(1)上に材料をエピタキシャル成長させる方法である。前記方法が、基板の一領域、またはその近傍において前駆物質をそれぞれの分解温度にまで個々に加熱することにより、前記領域に個々に供給されて前記領域に結合する核種を生成することを含む。また、前記方法は、それぞれの前駆物質からの前記核種が前記領域に順次に、個々に供給されてもよく、前記核種を基板の相対移動により前記領域に個々に供給して、前駆物質の分解が発生する位置に対して前記領域を移動させてもよい。 （もっと読む）

【課題】酸化膜耐圧特性に優れ、Ｃモード特性の高いシリコン結晶で構成されるシリコン
ウエハを提供する。また、前記シリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】窒素及び水素を含有するシリコンウエハであって、泡状のボイド集合体を構
成する複数のボイドが、総ボイド数の５０％以上存在し、ボイド密度が２×１０^４／ｃｍ
^３を超えて１×１０^５／ｃｍ^３未満であるＶ１領域が、前記シリコンウエハの総面積中２
０％以下を占め、ボイド密度が５×１０^２〜２×１０^４／ｃｍ^３であるＶ２領域が、前記
シリコンウエハの総面積中８０％以上を占め、並びに、内部微小欠陥密度が５×１０^８／
ｃｍ^３以上であることを特徴とするシリコンウエハである。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ結晶（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ≦１）の厚みを均一にし、かつ成長速度を向上する結晶の製造方法および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＡｌＧａＮ結晶を成長する工程では、基板２０の主表面２０ａに垂直な方向において主表面に近い側に位置する第１のガス供給部１１ａからＶ族元素の原料を含む第１原料ガスＧ１を基板２０の主表面２０ａ上に供給するとともに、基板２０の主表面２０ａに垂直な方向において第１のガス供給部１１ａより主表面２０ａから遠い側に位置する第２のガス供給部１１ｂから、複数のＩＩＩ族元素の原料である有機金属を含む第２原料ガスＧ２を基板２０の主表面２０ａ上に供給し、第１原料ガスＧ１の流速を第２原料ガスＧ２の流速の０．５以上０．８以下にし、反応容器３内の圧力を２０ｋＰａ以上６０ｋＰａ未満にする。 （もっと読む）

【課題】三角欠陥及び積層欠陥が低減され、キャリア濃度及び膜厚の均一性が高く、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法であって、ガスエッチングによって表面を清浄化した前記基板上に、炭化珪素のエピタキシャル成長に必要とされる量の炭素と珪素の原子数比Ｃ/Ｓｉが０．７〜１．２となるように珪素含有ガス及び炭素含有ガスを供給して、１６００℃より高くかつ１８００℃以下の温度で炭化珪素膜をエピタキシャル成長させる。これにより、前記ＳｉＣエピタキシャル層の表面の三角形状の欠陥密度が１個／ｃｍ^２以下となる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子への適用が可能な低欠陥密度の化合物半導体結晶基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】立方晶｛００１｝面を表面とする単結晶基板上に、エピタキシャル成長により２種類の元素Ａ、Ｂからなる化合物単結晶を成長させる化合物単結晶の製造方法において、反位相領域境界面ならびに元素ＡおよびＢに起因する積層欠陥を、表面に平行な＜１１０＞方向にそれぞれ等価に生じさせながら化合物単結晶を成長させる工程（Ｉ）と、工程（Ｉ）において生じた元素Ａに起因する積層欠陥を、反位相領域境界面と会合消滅させる工程（II）と、工程（Ｉ）において生じた元素Ｂに起因する積層欠陥を、自己消滅させる工程（III）と、反位相領域境界を完全に会合消滅させる工程（IV）と、を有し、工程（IV）は、工程（II）および（III）と並行して、又は、工程（II）および（III）の後に行う。 （もっと読む）

【課題】高性能の発光ダイオードやＬＤ等の光デバイスや電子デバイスを作製するための実用的な大きさのIII族窒化物結晶を成長させることの可能な結晶製造装置を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の結晶製造装置は、原料を含む反応容器１０１と、前記原料と反応して結晶を形成させる気体を前記反応容器に供給する供給管１０８と、前記反応容器１０１の周囲に設けられた加熱用ヒーター１１１と、前記加熱用ヒーター１１１および前記反応容器１０１を覆う外側容器１１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】低い格子欠陥密度で良質なＳｉＣ単結晶を、高い成長速度で、かつ長時間安定して成長させることのできるＳｉＣ単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶基板１５とＳｉを含む原料を加熱かつ融解して得られた融液層１６とを接触させることによって、基板１５上にＳｉＣ単結晶を成長させるＳｉＣ単結晶製造方法において、大気圧下または加圧下で、基板１５との接触部とは反対側の融液層１６の表面１６ｂ側から、Ｓｉを含む分子とＣを含む分子とを含むプラズマ１７を供給し、かつ融液層１６の基板１５との接触部における温度を融液層１６の表面１６ｂにおける温度より低くする。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度が低くて高純度の窒化物結晶をアモノサーマル法によって効率よく成長させる方法を提供する。
【解決手段】反応容器１内または反応容器１に繋がる閉回路内で、アンモニアと反応して鉱化剤を生成する反応性ガスとアンモニアとを接触させて鉱化剤を生成し、反応容器１内にてアンモニアと鉱化剤の存在下でアモノサーマル法によって反応容器１内に入れられた窒化物の結晶成長原料５から窒化物結晶を成長させる窒化物結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを用いた半導体装置を効率よく製造するための半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々が一の方向を向き、かつ第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２が互いに対向するように、第１および第２の炭化珪素基板１１、１２が配置される。この配置する工程の後に、第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２を互いにつなぎ、かつ第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２が互いに対向する空間を埋めるように、第１および第２の炭化珪素基板１１、１２上に炭化珪素層３０が分子線エピタキシ法によって形成される。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスや電子デバイス用基板として好適な平坦性の高い高品質のＳｉＣ単結晶基板の製造を安定して行うことを可能にする技術を提供する。
【解決手段】ＳｉまたはＳｉと他の金属との合金からなる融液にＣが溶解している原料溶液５に結晶成長用基板１を浸漬し、少なくとも基板１の近傍の溶液５を過飽和状態とすることによって基板１上にＳｉＣ単結晶を成長させるＳｉＣ単結晶の製造方法において、(１)融液の材料が少なくとも１種の酸化物を含む、(２)酸素を含む不活性ガス雰囲気下で結晶成長を行う、および(３)酸素を含む不活性ガスを原料溶液に吹き込みながら結晶成長を行う、の少なくとも１つに手法によって、原料溶液５中に酸素を含有させながら、ＳｉＣ単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、５°以下のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板を、その表面の格子乱れ層が３ｎｍ以下となるまで研磨する工程と、水素雰囲気下で、研磨後の基板を１４００〜１６００℃にしてその表面を清浄化する工程と、清浄化後の基板の表面に、炭化珪素のエピタキシャル成長に必要とされる量のＳｉＨ_４ガスとＣ_３Ｈ_８ガスとを濃度比Ｃ/Ｓｉが０．７〜１．２で同時に供給して炭化珪素をエピタキシャル成長させる工程と、ＳｉＨ_４ガスとＣ_３Ｈ_８ガスの供給を同時に停止し、ＳｉＨ_４ガスとＣ_３Ｈ_８ガスとを排気するまで基板温度を保持し、その後降温する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ヘイズレベルが低く、平坦度（エッジロールオフ）に優れ、また、さらには、エピタキシャル成長速度の方位依存性が低減された、半導体デバイスの高集積化に対応できるシリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】原料ガスとしてトリクロロシランとジクロロシランの混合ガスを使用し、１０００〜１１００℃、望ましくは１０４０〜１０８０℃の温度範囲内でシリコンウェーハの表面にシリコン層をエピタキシャル成長させ、得られるエピタキシャルウェーハのヘイズレベルを０．０５０〜０．０８０ｐｐｍ（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製パーティクルカウンター（ＳＰ−１）によるＤＷＮモードでの測定値）とし、エッジロールオフを低い範囲内に維持する。ジクロロシランの使用によるエピタキシャル成長速度の低下を一定範囲内にとどめ、エピタキシャルウェーハの生産効率を比較的良好に維持することができる。 （もっと読む）

【課題】長時間に亘り結晶成長速度が安定しており、良好な品質の窒化アルミニウム単結晶を生産性良好に製造することのできる窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】気相法による窒化アルミニウム単結晶２４の製造方法であって、成長容器２と連通され、窒素ガス導入部１７を具備した原料ガス発生容器１１と、原料ガス発生容器１１の上面に設けられたフィーダー１３と、フィーダー１３の上面に設けられ、原料２１を連続的に供給する原料ホッパー１２とを備え、酸化アルミニウム粉末とカーボン粉末とを混合させてなる原料２１を、原料ガス発生容器１１に供給し、原料ガス発生容器１１を加熱することにより発生させたＡｌガスと、窒素ガス導入部１７より原料ガス発生容器１１へ供給された窒素とを、成長容器２内へ輸送し、成長容器２の成長部で連続的に窒化アルミニウム単結晶２４を成長させる。 （もっと読む）

【課題】成長させる結晶全体の転位密度が低減するＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族金属とアルカリ金属とを含む融液３に窒素原料ガス５を溶解させた溶液６をＩＩＩ族窒化物種結晶１に接触させることにより、ＩＩＩ族窒化物種結晶１からＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法であって、ＩＩＩ族窒化物種結晶１は、（０００−１）Ｎ原子表面１ｎである上面を有し、結晶成長容器２３の内面２３ｉに接触するよう配置された下面を有し、ＩＩＩ族窒化物種結晶１の実質的に側表面１ｓ上に（０００−１）Ｎ原子表面１ｎ，１０ｎに平行な方向にＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる。 （もっと読む）

単結晶CVDダイヤモンド材料にNV中心を導入する方法を開示する。方法の一工程は、単置換型窒素を含むダイヤモンド材料を照射してダイヤモンド材料中に少なくとも0.05ppm、多くても1ppmの濃度で孤立空孔を導入することを含む。方法の別の工程は、照射されたダイヤモンドをアニールして、単置換型窒素欠陥及び導入された孤立空孔の少なくともいくつかからNV中心を形成することを含む。ピンクCVDダイヤモンド材料及びスピントロニクス特性を有するCVDダイヤモンド材料についても記述する。 （もっと読む）

ファンシーな淡い青色又はファンシーな淡い青色／緑色のCVDダイヤモンド材料の製造方法を開示する。本方法は、CVDプロセスで成長した単結晶ダイヤモンド材料に電子を照射して、ダイヤモンド材料中に孤立空孔を導入する工程を含み、照射されたダイヤモンド材料は(又はさらなる照射後処理後に)、全空孔濃度[V_T]×経路長Lが少なくとも0.072ppm・cm、多くても0.36ppm・cmになるような全空孔濃度[V_T]及び経路長Lを有し、かつダイヤモンド材料はファンシーな淡い青色又はファンシーな淡い青色／緑色になる。ファンシーな淡い青色のダイヤモンドをも開示する。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度の少ない高品質な４Ｈ−ＳｉＣ単結晶を得ることが可能な炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】｛０３−３８｝面が露出した４Ｈ−ＳｉＣの種基板１とＳｉＣ原料３２とを対向配置した後、ＳｉＣ原料３２を加熱して昇華させて原料ガスを発生させると共に、種基板１をＳｉＣ原料３２より低い温度にして、種基板１上にＳｉＣ単結晶を成長させる。このときＳｉＣ原料３２にＳｉ原料３５を添加すると、原料ガスにおけるＳｉの蒸気圧が高くなり、結晶成長面における原料ガスのＣとＳｉとの比（Ｃ／Ｓｉ）は小さくなる。ＳｉＣ単結晶を成長させる際、ＳｉＣ単結晶の成長面近傍の原料ガスにおけるＣとＳｉとの比（Ｃ／Ｓｉ）を１未満、望ましくは０．２５以下にすることにより、種基板１からのＳｉの昇華が抑制され、種基板１の端部のエッチングが防止される。 （もっと読む）