【課題】非常に平坦性で完全な透明性と鏡面性をもつｍ面窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を成長する方法。
【解決手段】本方法は、選択横方向成長技術によって構造欠陥密度の大幅な低減を実現する。高品質で、一様で、厚いｍ面ＧａＮ膜は分極のないデバイスの成長のための基板として用いるために作製される。 （もっと読む）

本発明は、サファイヤ基板上にＳｉ_ａＣ_ｂＮ_ｃ
（ｃ，ｂ＞０，ａ≧０）の組成からなる第１層を形成する第１段階と、Ｓｉ_ａＣ_ｂＮ_ｃ
（ｃ，ｂ＞０，ａ≧０）の組成からなる第１層の上にＧａＮ成分を含む窒化膜を形成する第２段階と、を含むことを特徴とするＧａＮ系窒化膜の形成方法に関する。
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エピタキシャル炭化ケイ素層が、結晶学的方向に向かってオフアクシスに方向付けられた炭化ケイ素基板の表面内に第１の形態を形成することによって作製される。第１の形態は、結晶学的方向に対して非平行（すなわち、斜めまたは直角）に方向付けられた少なくとも１つの側壁を備える。次いで、第１のエピタキシャル炭化ケイ素層を、第１の形態を備える炭化ケイ素基板の表面上に成長させる。次いで、第２の形態が．、第１のエピタキシャル層内に形成される。第２の形態は、結晶学的方向に対して非平行に方向付けられた少なくとも１つの側壁を備える。次いで、第２のエピタキシャル炭化ケイ素層が、第２の形態を備える第１のエピタキシャル炭化ケイ素層の表面上に成長される。
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新たな微細構造を有する薄膜タンタルフィルムが提供される。該フィルムは、ナノ結晶、単結晶および非晶質等の微細構造を有する。このようなフィルムは、非常に良好な拡散バリア特性を有し、マイクロエレクトロニクスデバイスにおいて有利である。パルスレーザ沈着法（ＰＬＤ）および分子ビームエピタクシー（ＭＢＥ）沈着法を使用してこのようなフィルムを形成する方法と、このようなフィルムを含むマイクロエレクトロニクスデバイスも提供する。
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オフアクシス基板上の単結晶炭化珪素エピタキシャル層が、基板をエピタキシャル成長反応炉に配置し、基板上にエピタキシャル炭化珪素の第１の層を成長させ、エピタキシャル炭化珪素の第１の層の成長を中断し、第１の層の厚みを減少させるために該第１の層をエッチングし、エピタキシャル炭化珪素の第１の層の上にエピタキシャル炭化珪素の第２の層を再成長させて製造される。ニンジン状欠陥を、エピタキシャル成長処理を中断し、成長した層をエッチングし、エピタキシャル炭化珪素の第２の層を再成長させる工程によって終止できる。成長中断／エッチング／再成長の処理は複数回反復可能である。炭化珪素エピタキシャル層は、内部で終止する少なくとも１つのニンジン状欠陥を有する。半導体構造は、オフアクシス炭化珪素基板上の炭化珪素エピタキシャル層と、基板とエピタキシャル層の境界面の近傍に核形成点を有し内部で終止するニンジン状欠陥とを含む。

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本発明は、異方性の結晶種層がその上のエピタキシャル有機層の結晶構造を制御している層状有機構造物に関する。前記構造物は、順に、基材と、３．４±０．３Åの分子間間隔を有する全体的に秩序のある結晶種層と、有機化合物の少なくとも一つのエピタキシャル層とを有する。前記種層は、共役ｐ系を有する少なくとも一つの多環式有機化合物のディスク状分子を有する。有機化合物の少なくとも一つの層は、前記種層上にエピタキシャルに堆積されている。本発明はさらに、層状有機構造物の製造方法を提供する。前記方法は、全体的に秩序のある異方性の結晶種層を基材上にカスケード結晶化プロセスにより形成することを含む。前記種層は、３．４±０．３Åの分子間間隔を有し、かつそれは、共役ｐ系を有する少なくとも一つの多環式有機化合物のディスク状分子を有する棒状超分子によって形成される。層状有機構造物を得るよう、気相または液相から前記種層上に一つのエピタキシャル有機層をエピタキシャルに堆積させる。
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【課題】 水晶単結晶薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の水晶エピタキシャル薄膜の製造方法は、大気圧下において、桂素源として珪素のアルコキシドを気化し、反応促進剤である塩化水素とともに基板上に導入する工程と、珪酸エチルと酸素を反応させて基板上に水晶を堆積させる工程を含むものである。前記薄膜は結晶性、光学特性の優れた単結晶水晶薄膜である。 （もっと読む）