【課題】凹部が浅く扁平であるＰＳＳ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｓａｐｐｈｉｒｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）を用いた場合であっても、ＰＳＳと窒化物半導体膜との間に空洞を確実に形成することのできる、ＰＳＳ／窒化物エピウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）からなる低温バッファ層を、凹部の底面上と凸部の上面上とで低温バッファ層の成長速度および／またはＡｌ組成ｘが異なるように成長させる工程と、この工程に続いて窒化物半導体膜を成長させる工程とを有し、窒化物半導体膜を成長させる工程の初期において、凹部の底面上における窒化物半導体の成長速度が、凸部の上面上における窒化物半導体の成長速度よりも小さくなるように、低温バッファ層の膜厚を設定する。 （もっと読む）

【課題】超伝導体層を鋳型緩衝層に直接蒸着させることができる、簡略化された層構造を有する被覆導体の提供。
【解決手段】二軸配向組織化基板と、一般式ＲＥ_2-xＢ_2+xＯ₇（ここで、Ｒｅは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選択される少なくとも１種の金属であり、Ｂは、Ｚｒ及びＨｆから選択される少なくとも１種の金属であり、−０．４≦ｘ≦＋０．７である。）を有する材料から構成される鋳型緩衝層と、該鋳型緩衝層上に直接被覆され、ハイブリッド液相エピタキシーにより得られる超伝導体層とを備える被覆導体を提供する。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く、かつ、不純物の濃度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、液相法により少なくとも１種類の金属元素を含有する溶媒とＩＩＩ族元素とを含む結晶成長用液体２を用いて第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、金属元素の少なくとも１種類を含む結晶処理用液体４中で第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を熱処理する工程と、熱処理がされた第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０上に気相法により第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

半導体発光装置は、ｎ型領域７１とｐ型領域７３との間に配された発光層７２を含むウルツ鉱ＩＩＩ族窒化物半導体構造を含んでいる。テンプレート層１８及び転位曲げ層２０は、発光層７２の前に成長される。テンプレート層１８は、前記テンプレート層内の前記転位の少なくとも７０％がエッジ転位２９、３０、３１、３２であるように、成長される。前記テンプレート層内のエッジ転位２９、３０、３１、３２の少なくとも一部は、前記転位曲げ層内まで続いている。転位曲げ層２０は、テンプレート層１８とは異なる大きさの歪みを有するように成長される。テンプレート層１８と転位曲げ層２０との間の界面における歪みの変化は、前記テンプレート層のエッジ転位２９、３０、３１、３２の少なくとも一部を、前記転位曲げ層内の異なる方位に曲げさせる。曲げエッジ転位３３よりも上方に成長される半導体材料は、減少された歪みを呈し得る。
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【課題】ＺｎＯ単結晶層に基づく良質の結晶成長が可能な、新たな窒化物単結晶基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】窒化物単結晶基板の製造方法は、母基板３１上に酸化膜または窒化膜から成る犠牲層３２を形成する段階と、犠牲層３２上に多結晶状のＺｎＯ層３３を形成する段階と、ＺｎＯ層３３を部分的に分解してナノサイズのＺｎＯパターン３３’を形成する段階と、ＺｎＯパターン３３’をシードとして窒化物バッファ層３４を形成する段階と、窒化物バッファ層３４上に窒化物単結晶３５を成長させる段階と、犠牲層３２を化学的に除去することにより母基板３１から窒化物単結晶３５を分離させる段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】品質の良い非極性面ＩＩＩ族窒化物の単結晶からなる自立基板を高い生産性で得る方法を提供する。
【解決手段】非極性面ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２を基板１上に気相成長法により形成する。下地膜２上に金属膜を形成する。この金属膜を窒化することによって、空隙を有する金属窒化物膜４を設ける。金属窒化膜４上に種結晶膜５を気相成長法により形成する。非極性面ＩＩＩ族窒化物の単結晶６を種結晶膜５上にフラックス法によって育成する。単結晶６は金属窒化物膜４に沿って基板１から容易に剥離する。 （もっと読む）

【課題】品質の良い非極性面ＩＩＩ族窒化物の単結晶からなる自立基板を高い生産性で得る方法を提供することである。
【解決手段】非極性面ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２を基板１上に気相成長法により形成する。下地膜２上に、細長い開口部４を輪郭づけるマスク３を形成する。次いで、非極性面ＩＩＩ族窒化物からなり、ａ軸、ｃ軸およびｍ軸の結晶方位を有する種結晶膜６を気相成長法によって形成する。非極性面ＩＩＩ族窒化物１０を種結晶膜６上にフラックス法によって育成する。種結晶膜のｃ軸と開口部の長手方向とがなす角度が３０°以上である。 （もっと読む）

【課題】品質の良い非極性面ＩＩＩ族窒化物の単結晶からなる自立基板を高い生産性で得る方法を提供することである。
【解決手段】非極性面ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２Ａを基板１上に気相成長法により形成する。下地膜上に、ストライプ状の開口部４を輪郭づけるマスク３を形成する。非極性面ＩＩＩ族窒化物からなり、ａ軸、ｃ軸およびｍ軸の結晶方位を有する種結晶膜６をマスクを被覆するように気相成長法によって形成する。非極性面ＩＩＩ族窒化物８を種結晶膜６上にフラックス法によって育成する。種結晶膜６のｃ軸と開口部４の長手方向Ｚとがなす角度θが４０°以上、９０°以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡単な工程により、安価でストレスフリーなＧａＮ系窒化物半導体の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板を準備する工程と、該基板上にＧａＮドット及びＮＨ_４Ｃｌ層を形成する工程と、ＧａＮドット及びＮＨ_４Ｃｌ層上に低温ＧａＮバッファ層を形成する工程、低温ＧａＮバッファ層上にＧａＮ系窒化物半導体層を形成する工程と、基板温度を常温に戻すことによりＧａＮ系窒化物半導体層を基板より自然剥離させる工程とを含む、ＧａＮ系窒化物半導体自立基板の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】 表面の平坦化が図られたＧａＮ基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るＧａＮ基板２８は、ＧａＮ単結晶からなる基板１４と、基板１４上にエピタキシャル成長された、ＡｌＧａＮ（０＜ｘ≦１）からなる中間層２４と、中間層２４上にエピタキシャル成長された、ＧａＮからなる上層２６とを備えることを特徴とする。中間層２４はＡｌＧａＮからなり、このＡｌＧａＮは、汚染物質が付着している領域を含む主面１４ａの全域に成長する。そのため、中間層２４は基板１４上に正常に成長しており、その成長面２４ａは平坦である。このように中間層２４の成長面２４ａが平坦であるため、中間層２４上にエピタキシャル成長される上層２６の成長面２６ａも平坦となっている。 （もっと読む）

第１のバルク結晶半導体材料、及び第１のバルク結晶半導体材料の表面上に設けられた第２のバルク結晶半導体材料を備えた半導体デバイス構造であって、第１のバルク結晶半導体材料の表面には意図的に形成される中間領域が存在していても存在していなくてもよく、第２のバルク結晶半導体材料は第１のバルク結晶半導体材料とは異なるＩＩ−ＶＩ族の材料である。ここにおいて、第１及び／または第２のバルク結晶半導体材料の部分が選択的に除去され、その除去された第１及び／または第２のバルク結晶半導体材料により減少された厚さを有するパターン化エリアを形成し、好ましくは第１及び／または第２のバルク結晶半導体材料の表面のパターン化エリアを露出する。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコンで構成された薄膜トランジスタなどの半導体素子において結晶粒界の欠陥や結晶シリコン中に含まれる触媒金属や不純物の影響を受けない半導体薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に第１の結晶シリコン層１０２が形成され、第１の結晶シリコン層１０２の上に第２の結晶シリコン層１０３が形成される半導体薄膜において、第２の結晶シリコン層１０３は、第１の結晶シリコン層１０２の結晶性を継承するようにエピタキシャル成長によって形成され、第２の結晶シリコン層１０３には、第１の結晶シリコン層１０２よりも、不純物の量が少なく、水素又はハロゲン元素が多く含まれることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サイズを低減させた装置、及びその作成方法を提供する。
【解決手段】装置は、第一の結晶性物質層、第一の結晶性物質層の近傍に配置され、第一の界面で電子ガスを形成させる第二の結晶性物質層、及び第一の界面の部分に電場を付与する強誘電性ドメインを有する第一の強誘電性層を包含する。 （もっと読む）

【課題】 高価なＧａＮの薄膜を堆積した種結晶基板を用いることなく、結晶性に優れたＧａＮ単結晶等の窒化物単結晶を得ること。
【解決手段】 窒化物単結晶の製造方法は、種結晶基板４の表面に化学式ＸＮ（ただし、ＸはＧａ，Ａｌ及びＩｎから選ばれる少なくとも１種である。）で表される窒化物単結晶８をフラックス法によって成長させる窒化物単結晶８の製造方法であって、種結晶基板４は窒化物単結晶８を成長させる成長面が窒素で終端されている。 （もっと読む）

【課題】表面状態や断面形状が良好なIII族窒化物半導体の厚膜結晶を成長させることができる下地基板を提供する。
【解決手段】第１結晶成長面１１０と第１結晶成長面１１０と同じ方向に面している第２結晶成長面１０９を有する下地基板１１２であって、第１結晶成長面１１０の周縁の５０％以上または全周縁に下向きの段差を介して第２結晶成長面１０９が連接している。ここで、第１結晶成長面１１０は円形とし、第２結晶成長面１０９は環状であり、第１結晶成長面１１０と同心とする。 （もっと読む）

【課題】 大面積かつ高品質のＡｌＮ単結晶などのIII族窒化物単結晶からなる基板を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】 α−アルミナ単結晶の｛１ −１ ０ ２｝面または｛−１ １ ０ ４｝面と８０°〜１００°の角度で交差する面をα−アルミナ単結晶基板の主面とし、該α−アルミナ単結晶基板の主面上に、前記III族窒化物単結晶をエピタキシャル成長させることにより、該α−アルミナ単結晶基板の厚みの０．３倍以上の厚みとなる前記III族窒化物単結晶よりなる層を積層した積層基板を製造し、α−アルミナ単結晶を分離することを特徴とするIII族窒化物単結晶基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶性、光学特性に優れた水晶単結晶薄膜を提供する。
【解決手段】基板５の表面に、六方晶を形成する物質によりアモルファス結晶のバッファ層を堆積させ、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、およびテトラブトキシシランの群から選択された一種または複数種の珪素アルコキシドを珪素源とし、この珪素源を大気圧下において気化して導入し、導入された珪素源を酸素Ｏ_２と反応させてバッファ層上にエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】低転位密度であるとともに、キャリア濃度のばらつきが小さい表面層を十分な厚さで有するIII−V族窒化物系半導体の自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】III-V族窒化物系半導体結晶の成長の初期又は途中の段階では結晶成長界面に複数の凹凸を出しながら結晶成長を行い、次いで前記凹凸を埋めるように結晶成長を行って前記結晶成長界面を平坦化し、さらに平坦化した結晶成長界面の形状を保ったまま10μm以上の厚さにわたって結晶成長を継続するIII-V族窒化物系半導体基板の製造方法自立したIII−V族窒化物系半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、立方晶構造を有するＩＶ族基板材料のＩＶ族基板表面を有する基板上に堆積されている、ＩＩＩ族窒化物層構造を有する窒化物半導体部材に関する。ＩＶ族基板表面は（表面再構成を考慮せずに）、Ｃ２対称性の元素セルを有するが、Ｃ２対称性より高度の回転対称性の元素セルは有さない。ＩＩＩ族窒化物層構造はＩＶ族基板表面と直接隣接するところに、三元もしくは四元のＡｌ_1-x-yＩｎ_xＧａ_yＮ［ただし、０≦ｘ、ｙ＜１、かつｘ＋ｙ≦１］から成るシード層を有する。これにより価値の高い、単結晶性の成長が得られる。この利点は、高レベルな結晶品質が得られること、ｃ平面、ａ平面、およびｍ平面のＧａＮ成長、ならびにとりわけシリコン基板の完全な、または部分的な除去が容易に可能なことにある。と言うのもこれは、湿式化学的方法により（１１１）配向性の基板上では、より容易に可能だからである。
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【課題】 III−Ｖ族窒化物と格子定数及び熱膨張係数が整合した基板を用い、その基板上に結晶性の良好なIII−Ｖ族窒化物単結晶膜を成長させた発光素子やダイオード等の半導体素子を提供する。
【解決手段】 １０ｐｐｂ以上０.１モル％以下の遷移金属を含有し、Ｘ線回折におけるロッキングカーブの半値幅が１.５分以下で、主面が（０００１）劈開面もしくは（１−１００）劈開面と垂直な研磨面から構成されるIII−Ｖ族窒化物単結晶基板１１上に、直接又はIII−Ｖ族窒化物の低温バッファー層１３を介して、ＭＯＣＶＤ法によって窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化インジウム及びこれらの物質からなる混晶の中から選ばれた少なくとも１種のIII−Ｖ族窒化物の単結晶膜１２、１４、１５を成膜することによって形成された半導体素子。 （もっと読む）