半導体ウェハ（１）を横方向に分断する本発明の方法では、成長基板（２）を準備し、この成長基板（２）に半導体層列（３）をエピタキシ成長させる。ここではこの半導体層列には、分離層（４）として設けられた層と、成長の方向に見てこの分離層に続く少なくとも１つの機能半導体層（５）とが含まれている。引き続いてこの機能半導体層（５）を通して分離層（４）にイオン打ち込み、半導体層をこの分離層（４）に沿って分断し、上記の成長基板（２）を含む半導体ウェハ（１）の部分（１ａ）が切り離される。
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シリコン基板上に少なくとも２ミクロンの厚さの単結晶ＧａＮ薄膜を成長させる方法を開示する。該方法は、プレレイヤー、シリコン基板上のＡｌＮを含むバッファ層、及び、該ＡｌＮバッファ層の頂部に交互に堆積された複数のＧａＮ層及びＡｌＮ層を成長させることを含む。複数のＧａＮ層及びＡｌＮ層の堆積条件及びタイミングを制御することにより、単結晶ＧａＮ薄膜は、クラック又はピット無しで２ミクロンより厚く成長させることができる。
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【課題】光照射による窒化物半導体の熱分解を効率良く行い，安定した基板の分離を行うことを目的とする。
【解決手段】サファイア基板１０１上に，ＧａＮ緩衝層，ＧａＮ層１０２，Ａｌ_０．１５Ｇａ_０．８５Ｎ層とＧａＮ層とを交互に積層した多層膜１０３，さらに多層膜１０３上にＧａＮ層１０４を形成し，レーザ光をサファイア基板１０１側から全面にわたって走査することにより，ＧａＮ層１０２を分解し，自立基板１０５を得て，更に多層膜１０３をＧａＮ層１０４の表面が露出するまで研磨することで，ＧａＮ基板１０６を得る。
【効果】多層膜１０３の熱伝導率が低いために，効率的かつ安定してＧａＮ層１０２の熱分解が可能となり，光照射によるＧａＮ層１０２の熱分解を効率良く安定に行い，安定したＧａＮ層１０４の分離を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 従来のＳｉ半導体製造プロセスを利用して、大口径の基板として得ることができ、製造効率およびコスト面においても優位である窒化ガリウム系化合物半導体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ単結晶基板１表面にβ−ＳｉＣ層を気相成長により積層させて、厚さ０．１μｍ以上５μｍ以下のβ−ＳｉＣ層２からなる中間層を形成し、前記中間層の上に、窒化ガリウム系化合物層３を気相成長させることにより、窒化ガリウム系化合物半導体を製造する。 （もっと読む）

【課題】 窒化物エピタキシャル層製造方法及びその構造の提供。
【解決手段】 本発明の窒化物エピタキシャル層製造方法により形成される構造は、基材とされる基板と、該基板上に堆積され窒化アルミニウムガリウムインジウム（Ａｌ_1-x-y Ｇａ_x Ｉｎ_y Ｎ）材料で形成された少なくとも一つの第１中間層と、第１中間層の上に堆積され窒化シリコン（Ｓｉ_x Ｎ_y ）或いは窒化マグネシウム（Ｍｇ_x Ｎ_y ）材料で形成された少なくとも一つの第２中間層と、最上層の第１中間層或いは第２中間層の上に堆積され窒化物材料で形成された窒化物エピタキシャル層と、を具えている。そのうち、第２中間層が後続エピタキシャル層を成長させるマスクを形成し、後続エピタキシャル層の結晶欠陥数を減らし、エピタキシャル層の品質を改善する。 （もっと読む）

【課題】 基板及びその上に形成される単結晶ダイヤモンド膜に剥離及び破損等が発生することなく、大面積の単結晶ダイヤモンド膜を合成することができる単結晶ダイヤモンド合成用基板、その製造方法及び単結晶ダイヤモンド膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 基体１上に単結晶白金層２と単結晶イリジウム層３とをこの順に形成する。次に、有機溶剤中に炭素微粉末４を分散した溶液を単結晶イリジウム層３表面に塗布した後、加熱して有機溶剤を除去することにより、単結晶イリジウム層３表面に炭素微粉末４を分散配置する。その後、この炭素微粉末４及び単結晶イリジウム層３を覆うように、単結晶白金層５を形成し、単結晶イリジウム層３と単結晶白金層５との界面に炭素微粉末４が分散されている単結晶ダイヤモンド合成用基板１０とする。 （もっと読む）

基板が堆積チャンバー内に配置される。基板上にケイ素を含む第一の種の単層を化学吸着させるのに有効な条件で、チャンバーにトリメチルシランを流し、チャンバーに第一の不活性ガスを流す。第一の不活性ガスは第一の流量で流す。第一の種の単層を形成した後、酸化剤と化学吸着された第一の種とが反応し、基板上に二酸化ケイ素含有単層を形成するのに有効な条件で、チャンバーに酸化剤を流し、チャンバーに第二の不活性ガスを流す。第二の不活性ガス流は第一の流量未満である第二の流量を有する。基板上に二酸化ケイ素含有層を形成するのに有効となるように（ａ）トリメチルシラン及び第一の不活性ガス流及び（ｂ）酸化剤及び第二の不活性ガス流を連続的に繰り返す。他の態様や特徴が企図される。 （もっと読む）