【課題】酸化亜鉛膜の結晶化処理の低温化、処理時間の短縮化を図る。
【解決手段】基材Ｗに酸化亜鉛膜ｆをスピンコート法やプラズマＣＶＤ等で成膜する。この基材Ｗを温調手段４０で３５０℃程度に加熱、温調しながら、酸素と窒素の混合ガス等からなる結晶化用処理ガスをプラズマ照射手段１０にてプラズマ化し、このプラズマを基材Ｗに照射する。 （もっと読む）

【課題】常圧付近の比較的低い圧力で、良質の第１３族金属窒化物結晶を工業的に安価に製造する。
【解決手段】周期表第１３族の金属元素を含む融液中に、周期表第１３族の金属元素と周期表第１３族以外の金属元素との複合窒化物を含む原料、及びシードを配置し、少なくとも融液の一部を強制的に流動させることによりシードの表面に第１３族金属窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】本発明はナノ板状構造のダイヤモンドを形成する方法、特に電気化学的方法を使用して六角形のナノ板状構造のダイヤモンドを形成する方法を提供する。
【解決手段】ナノ板状構造のダイヤモンドの形成方法は、多数の孔隙を有するナノ型板を提供するステップと、電気化学的方法を使用して、前記ナノ型板の孔隙でナノ板状構造のダイヤモンドを形成するステップと、前記ナノ型板を除去して、前記ナノ板状構造のダイヤモンドを分離するステップとを含む。既存の形成方法より均一な厚さと大きさを有するナノ板状構造のダイヤモンドを合成することができる。 （もっと読む）

【課題】石英ルツボ内表面に生成される結晶相の剥離を防止して安定した大口径のシリコン単結晶引上げが可能なシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、石英ルツボ１内で多結晶シリコンを溶融しこの融液７から単結晶１１を引上げるシリコン単結晶の製造方法において、前記石英ルツボとして合成石英ルツボを用い、当該石英ルツボ側に直流電源装置１０により負の電圧を印加するとともに、石英ルツボ内の多結晶シリコンにバリウムを添加してシリコン単結晶を育成する。前記シリコン融液中のバリウムの濃度は０．１〜２ｐｐｍが望ましい。また、前記印加する電圧は１〜３０Ｖが望ましい。 （もっと読む）

【課題】多結晶の成長やエピフロントでの融液の取り込みがなく、多形制御に対する自由度の高い手法によって、液相エピタキシー法により高品質のバルク単結晶を製造する。
【解決手段】単結晶原料の融液を収容する坩堝を、融液保持部３と、スリットを有し、冷却機構を備えた、導電性材質から構成された第１の側壁部（低温壁）１と、冷却機構を有しない第２の側壁部（高温壁）２とから構成する。側壁部の外周に配置した通電コイル８に高周波電流を通電すると、原料が誘導加熱されてて融液となり、融液はローレンツ力によって隆起すると電磁攪拌される。基板６は、図示のように上方から挿入される結晶保持具５の先端に取付けてもよく（引き上げ法）、或いは融液保持部３の上面を平面にして、この上面に取付けてもよい。その場合は融液保持部３を単結晶の成長につれて下方に移動させる。 （もっと読む）

【課題】単結晶に欠陥が発生することを抑制でき、良質で大口径の単結晶が効率よく製造できる窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】排気口１８が設けられた加熱炉本体２と、加熱炉本体２内に配置される種子結晶１１を保持するサセプタ１２と、加熱炉本体２内に塩化水素ガス及び水素ガスを導入すると共に、塩化水素ガスと反応する金属Ａｌが配置される内部反応管４と、加熱炉本体２内にアンモニアガスを導入する反応ガス導入管５と、前記加熱炉本体２内に活性窒素を導入する活性窒素導入管６とを備える。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線解析用の試料として使用可能な品質と大きさのタンパク質結晶を、少量のタンパク質溶液を用いて、高い結晶化成功率と短い結晶成長時間で生成するマイクロ流体デバイスおよびタンパク質結晶化装置を提供する。
【解決手段】過飽和タンパク質溶液３１と沈殿剤溶液３２を、マイクロ流路の周囲に電極１７を備えたマイクロ流体デバイスへ導入し、交流電界を、ある特定の周波数を単独で、あるいは異なる複数の周波数を重畳して印加しながらタンパク質を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】生体高分子の結晶核の形成及び結晶化の成功率と作業効率を高められる結晶成長方法及び装置を提供する。
【解決手段】生体高分子を蒸気拡散法によって結晶成長させる装置において、生体高分子を含有する溶液１１を表面張力により基板２６の間隙に保持し、その基板の間隙近傍に位置して対を成す電極３１によって、間隙に保持された溶液に対して交流電場を印加することで、生体高分子に誘起双極子を誘起して溶液中を移動させ、結晶核の形成を促進する。誘電泳動効果により形成された蛋白質の結晶核は、溶液中に浮遊しながら成長し単結晶となる。 （もっと読む）

【課題】
簡単な波長変換機構を用いた、小型・高効率な真空紫外域レーザ光源として使用可能な常誘電体の擬似位相整合結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】
液体から結晶成長する部分に外部電場を印加することによって育成する結晶の対称性を制御し、結晶の対称性が逆転した結晶を繰り返し、周期的に育成することを特徴とする疑似位相整合結晶の製造方法で、結晶の対称性が逆転には、炉内の温度勾配と外部電場を利用し、常誘電体の二次非線形光学結晶として四ホウ酸リチウムを使用することを特徴とする疑似位相整合結晶の製造方法。 （もっと読む）

【目的】 高レベル放射性廃棄物に含まれているセシウム１３７（¹³⁷Ｃｓ）を簡単に抽
出して固定化することができるチタン酸ホランダイト単結晶の製造方法を提供する。
【構成】 モリブデン酸セシウムと酸化チタンを１０：０．５〜２のモル比で混合した混合塩を空気中で９００〜１１００℃の温度範囲で溶融して電気分解する。 （もっと読む）

本発明は、強誘電体又は非強誘電性の誘電体を用いて圧電セラミックを製造する方法であって、前記誘電体に対して、非晶質の結晶化を進行させる最中に電場を加えて結晶軸が配向した圧電セラミックを製造する過程からなることを特徴とする。詳しくは、Ｌｉ₂ＯとＢ₂Ｏ₃を１：２で混合して溶融させた後に急冷法で非晶質Ｌｉ₂Ｂ₄Ｏ₇を製造し、この非晶質Ｌｉ₂Ｂ₄Ｏ₇の平板の両面にスパッター方法を用いて電極とする金を蒸着させた後に、周波数１〜50Hz、0.1〜10V/mmの電場を加え、450℃以上の電気炉で非晶質を結晶化させる過程からなることを特徴とする。
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【課題】結晶成長時に電場や磁場を印加することにより、酸化物単結晶を容易に製造するための酸化物単結晶の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】非一致溶融組成を有する酸化物単結晶の製造方法において、酸化物単結晶１７の原料である融液５に対し、５０（ｋＶ／ｍ）以上の直流の電場、又は、実効値が５０（ｋＶ／ｍ）以上の交流の電場と、１０００（Ｏｅ）以上の磁場を印加しながら酸化物単結晶１７の結晶化を行う工程を有する。 （もっと読む）

【課題】単結晶育成時の有転位化を防止し、長時間に亘る単結晶引上げの操業に際しても、単結晶歩留まりを向上させることができる単結晶の引上げ方法および引上げ装置を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、石英坩堝内で結晶用シリコン原料を溶融しこの溶融液から単結晶を引上げて成長させる方法において、前記石英坩堝にＮａ、ＫおよびＬｉのうち１種または２種以上のアルカリ金属イオンを含有させ、当該石英坩堝の内壁と外壁に外壁側が正極となるよう直流電圧を印加するシリコン単結晶の引上げ方法、およびそれを用いる引上げ装置である。前記石英坩堝の内壁と外壁との電位差を０．１Ｖ以上、１５Ｖ以下にすること、または／および前記石英坩堝における前記アルカリ金属イオン含有量の合計を０．０５ｐｐｍ以上、５ｐｐｍ以下にすることが望ましい。 （もっと読む）

本発明によれば、線形溶融ゾーンからの成長によって半導体リボンを連続的に製造するための方法が提供される。溶融ゾーンの生成は、前記材料を融解させるだけの十分に強烈な直流電流又は交流電流を好ましくは前記材料の電極を使用してリボンの表面に平行に、且つ、成長の方向に直角に印加することによって達成される。溶融ゾーンは、原料が融解する１つ以上のリザーバからの液体状態の材料の移動によって供給される。前記電極及び前記１つ以上のリザーバは、前記材料によってのみ構成されることが好ましく、それにより異物による汚染が回避される。本発明は、例えば光起電性用途のためのシリコン・リボン製造産業に適用することができる。

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