【課題】シリコンブロックからウェーハを切り出す際や、切り出したウェーハに発電層を積層する際に、ウェーハが破損するのを防止するためのシリコンブロックの処理方法を提供する。
【解決手段】多結晶または単結晶のシリコンブロック１をスライスしてシリコンウェーハを形成する前に行うシリコンブロックの処理方法において、シリコンブロックは、矩形の端面を有する四角柱形状に形成されていて、シリコンブロックを端面に平行な方向にスライスしてシリコンウェーハとする前に、シリコンブロックの柱面から加工歪みを除去する加工歪み除去工程を実施する。前記加工歪み除去工程としては、例えば、粒径が５μｍ以下のダイヤモンド砥粒を含む研削砥石６を用いて前記シリコンブロック１の柱面３を研削して加工歪を除去する方法が用いられる。このほかに、エッチングによって前記シリコンブロックの柱面から加工歪みを除去する方法を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】様々な量の銅原子を含有するシリコンウェーハの再生処理に対応が可能で、銅原子の含有量を効果的に減少させることができる再生シリコンウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、再生対象となる銅原子を含むシリコンウェーハから銅原子が除去された再生シリコンウェーハを製造する方法であって、再生対象である前記シリコンウェーハを加熱することにより、前記シリコンウェーハの内部に含まれる銅原子を表面に移動させる加熱工程Ｓ２と、前記シリコンウェーハの表面に移動した銅原子をエッチングにより除去するエッチング工程Ｓ３と、エッチング工程Ｓ３を経たシリコンウェーハを加熱した後に、表面における銅原子の存在量を全反射蛍光エックス線分析法により定量して、前記シリコンウェーハの再生の程度を判定する判定工程Ｓ４と、を含むことを特徴とする再生シリコンウェーハの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ゲート酸化膜の厚さが数ｎｍと薄い場合であってもＧＯＩの劣化がないシリコン単結晶ウェーハとその製造方法、並びにＧＯＩ劣化がないことをＴＤＤＢ法などに比べて容易に評価することのできる評価方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、シリコン単結晶インゴットを準備する工程と、シリコン単結晶インゴットをスライスしてスライス基板を複数枚作製する工程と、複数枚のスライス基板に、ラッピング・エッチング・研磨のうち少なくとも１つを行って複数枚の基板に加工する加工工程と、複数枚の基板から少なくとも１枚を抜き取る工程と、抜き取り工程で抜き取った基板の表面粗さをＡＦＭで測定し、波長２０ｎｍ〜５０ｎｍに対応する周波数Ｘ帯の振幅（強度）ｙを求めて合否を判定する工程と、判定が合格の場合は次工程へ送り、不合格の場合は再加工を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 シリコン粒子を安定的かつ高効率に単結晶化するとともに、単結晶の結晶シリコン粒子を一括的にかつ低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 結晶シリコン粒子の製造方法は、シリコン粒子１０１をその形状を保持したままシリコンの融点Ｔｍ以上の温度Ｔ１に加熱して内部のシリコンを溶融させて、温度Ｔ１から融点Ｔｍ未満であって１３８３℃以上の温度Ｔ２まで過冷却する工程１と、次に溶融したシリコン粒子１０１が全て凝固するまでＴｍ未満であって１３８３℃以上の範囲内の所定の温度に保持する工程２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物の結晶体の基板を製造する際における剥離バッファー層をエッチングするための時間を短縮する方法を提供する。
【解決手段】基板の製造方法は、下地基板の上にバッファー層を形成するバッファー層形成工程Ｓ１と、バッファー層の上に、バッファー層の一部を覆うマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程Ｓ２と、バッファー層及びマスクパターンを覆うように、ＩＩＩ族窒化物の結晶体を成長させる成長工程Ｓ５と、マスクパターンの第１のエッチャントを用いてマスクパターンを選択的にエッチングすることにより、バッファー層の第２のエッチャントを供給するための経路を形成する経路形成工程Ｓ６と、経路を介して第２のエッチャントを供給してバッファー層を選択的にエッチングすることにより、結晶体を下地基板から分離する分離工程Ｓ７とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハにおいて、熱処理の低温化又は短時間化を図りスリップ発生を抑制し、良好な表面ラフネスを得ること。
【解決手段】雰囲気ガスＧ中でシリコンウェーハＷを熱処理して内部に新たに空孔を形成する熱処理工程を有し、該熱処理工程の前記雰囲気ガスは、Ｎ_２ が分解可能な温度よりも低い分解温度の窒化ガスを含む。 （もっと読む）

【課題】特性の優れたデバイスを再現性よく製造することのできるＧａＮ基板を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化ガリウム基板は、加速電圧が１３ｋＶ以上の電子が照射された際に得られるカソードルミネッセンスのスペクトルのうち、窒化ガリウムのバンドギャップに対応する波長における第１のピークの第１の強度が、第１のピークより長波長側に観測される第２のピークの第２の強度の２倍以上である。 （もっと読む）

【課題】成長用基板を繰り返し使用し、製造コストを低くすることができる窒化物半導体基板及び窒化物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素、窒化ガリウム、及び窒化アルミニウムのうちのいずれかからなる単結晶基板を成長用基板１０とし、成長用基板１０上に窒化アルミニウムからなる剥離層１１と、窒化ガリウムからなる半導体層１２を形成する。あるいはさらにIII−Ｖ族窒化物半導体層を形成する。表面に半導体素子を形成した後、剥離層１１を溶解除去することにより、成長用基板１０を分離、除去する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ処理を実施することなく、0.5ｎｍ（ＲＭＳ）以下の表面粗さの単結晶炭化シリコン層を有するＳｉＣウエハを製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１の表面に緩衝層２を形成する（Ｓ１）。緩衝層２を通して炭素イオンＣ＋を注入することによりシリコン基板１内にシリコンと炭素の混在した炭素含有層３を形成する（Ｓ２）。シリコン基板１から緩衝層２を選択的に除去することにより炭素含有層３を露出させる（Ｓ３）。シリコン基板１を熱処理して炭素含有層３を単結晶化させることにより単結晶炭化シリコン層４を形成する（Ｓ４）。熱処理の過程で単結晶炭化シリコン層４の表面に形成された酸化層５を除去することにより単結晶炭化シリコン層４を露出させる（Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】結晶成長面上に結晶性のよい半導体層を成長させることが可能な、裏面の反りの小さいＧａＮ結晶基板およびその製造方法、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶基板は、結晶成長面の反対側の面である裏面に関して、反り曲面が最適平面に対して一方側に最も大きな変位値と最適平面との距離および他方側に最も大きな変位値と最適平面との距離の和として算出される裏面の長さ５．０８ｃｍ当りの反りｗ_(R)が、−３５μｍ≦ｗ_(R)≦４５μｍである。また、本半導体デバイスの製造方法は、基板として上記ＧａＮ結晶基板１０を選択し、このＧａＮ結晶基板１０の結晶成長面１０ｃ側に少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物結晶層２０を成長させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】結晶成長に適した品質の良い表面を有するＺｎＯ系基板及びＺｎＯ系基板の処理方法を提供する。
【解決手段】
Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ基板（０≦Ｘ＜１）の結晶成長を行う側の主面をＸ線光電子により分光した場合、Ｚｎ原子の２ｐ３／２内殻電子の励起ピークエネルギーが、１０２１．７５ｅＶ〜１０２２．２５ｅＶの範囲に存在するように主面を形成する。このための基板処理方法として、Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ基板の結晶成長を行う側の表面における最終処理は、酸化処理が行われる。以上により、ＺｎＯ系基板においてダメージのない主面を得ることができ、薄膜成長に適した表面となる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表面近傍にデヌードゾーンが十分確保されていると共に、ウェーハのバルク領域内で十分なゲッタリング効果が得られるように制御された欠陥分布をもつシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】本発明によるシリコンウェーハは、半導体素子のアクティブ領域が形成されるシリコンウェーハの前面から背面までの酸素析出物の濃度プロファイルが、前面及び背面から所定深さで各々第１ピーク及び第２ピークを示し、前記前面及び背面から各々第１ピーク及び第２ピークに達する前にデヌードゾーンが形成され、前記第１ピーク及び第２ピーク間のバルク領域で酸素析出物の濃度プロファイルが凹状であることを特徴とする制御された酸素析出物分布をもつ。 （もっと読む）

【課題】光波長変換素子の光学端面に形成された加工変質層を中性のスラリーで除去できるケミカルメカニカルポリッシング方法を提供する。
【解決手段】光波長変換素子の光学端面を平均粒径２０μｍの第１の砥粒を使ってメカニカルポリッシングを行う第１の研磨工程と、前記光学端面を平均粒径０．１２５から１μｍの第２の砥粒を使ってメカニカルポリッシングを行う第２の研磨工程と、前記光学端面を平均粒径２００μｍの以下の第３の砥粒からなる研磨スラリーを用いてケミカルメカニカルポリッシングを行う第３の研磨工程とから成る光波長変換素子の光学端面研磨方法。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥を抑制して良好な表面性を有するとともに、凹凸の表面段差を小さく抑制したエピタキシャル層を形成することができるＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板は、同一の結晶方位をもつＩＩＩ−Ｖ族窒化物系の半導体単結晶により構成されている。結晶成長時に（０００１）Ｃ面で成長した領域とＣ面以外の結晶面であるファセット面で成長した領域との段差は、エッチング速度及びエッチング量を制御することで、０．３μｍ以下となるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で且つ短時間で、多数のウェーハ形状材料のエッジの不純物回収、洗浄、及びエッチングが可能な装置及び方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ形状材料を実質的に垂直で保持しながら回転させるウェーハ回転手段を備えたウェーハ回転装置と、ウェーハの保持装置と、ウェーハを浸漬させてウェーハエッジ部分から不純物を回収する装置とを備えているウェーハエッジの不純物回収装置であって、ウェーハを浸漬させてウェーハエッジ部分から不純物を回収する手段としての薬液ホルダーと、少なくともウェーハの一部を前記薬液ホルダーの薬液に浸漬させた状態でウェーハをシーケンシャルに、ウェーハの所定部分を所定の回転速度で回転させるウェーハ回転手段を備え、薬液にウェーハを接触させた状態で回転させることにより、ウェーハのエッジ部から不純物を溶出させ、回収する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも、Ｎ領域のＮ（Ｖ）領域とＮ（Ｉ）領域を、簡単かつ時間をかけずに正確に判定することができるシリコン単結晶ウエーハの評価方法、およびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法を用いて作製したシリコン単結晶ウエーハの品質を評価する方法であって、少なくとも、前記シリコン単結晶ウエーハを酸化性雰囲気下で熱処理した後、選択エッチングにより浅いエッチピット（シャローピット）を形成し、該形成したエッチピットから、少なくとも、無欠陥領域のＮ（Ｖ）領域、Ｎ（Ｉ）領域を判別するシリコン単結晶ウエーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】ガラスなどの絶縁基板やその他半導体、金属などの基板上にＳｉ結晶半導体薄膜をＳｉの融点以下の温度で形成する方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＺｎ−Ｓｉ二元合金系を出発材料とし、その液体もしくは過冷却液体の状態から熱平衡状態でのＳｉの析出、残存Ｚｎの冷却固化、そしてエッチング等による該Ｚｎの除去を経て基板に支持されたＳｉ薄膜４−１が形成される。 （もっと読む）

【課題】ウエーハ表層にＤＺ層が形成されてデバイス特性が優れていると同時に、ゲッタリングサイトとして機能する酸素析出物をバルク領域内に十分に形成できるシリコン単結晶ウエーハを安価に製造することが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶ウエーハの製造方法であって、チョクラルスキー法により作製した径方向の全面がＮ領域のシリコン単結晶ウエーハを酸化性雰囲気下で急速熱処理し、該酸化性雰囲気下の急速熱処理で形成された酸化膜を除去してから、窒化性雰囲気、Ａｒ雰囲気、またはこれらの混合雰囲気下で急速熱処理するシリコン単結晶ウエーハの製造方法。 （もっと読む）

ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＩｎＧａＮおよびＡｌＧａＮＩｎＮの１つから選択される窒化物結晶および結晶組成物を成長させる方法が提供される。この組成物は、単一の核から成長し、直径が少なくとも１ｍｍであり、横歪みおよび傾斜境界がなく、約１０^４ｃｍ^−２未満の転位密度を有する真の単結晶を含む。 （もっと読む）

【課題】平坦度の向上と、LPD の検出サイズの縮小化を図ることができるエピタキシャルウェーハの製造方法等を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウェーハの製造方法であって、シリコン単結晶ウェーハの主表面上にシリコンをエピタキシャル成長させる工程と、前記エピタキシャル成長工程と、前記ウェーハの主表面を特定の処理液で１００℃以下の温度で処理し、前記ウェーハの主表面上に付着したパーティクルを除去しつつ、所定膜厚の酸化膜を形成するウェーハ平坦化前処理工程と、前記主表面を鏡面研磨する表面研磨工程とを具えるエピタキシャルウェーハの製造方法である。 （もっと読む）