【課題】難加工物、特に近年電子デバイスの材料として重要性が高まっているＳｉＣやＧａＮ等を、加工効率が高く且つ数十μｍ以上の空間波長領域にわたって精度が高く加工する。
【解決手段】フッ化水素酸等のハロゲンを含む分子が溶けた処理液２２中に、ＧａＮやＳｉＣ等の被加工物２８を配し、モリブデンまたはモリブデン化合物からなる触媒２６を被加工物２８の被加工面に接触または極近接させながら該触媒２６と被加工物２８とを相対移動させて被加工物２８の被加工面を加工する。 （もっと読む）

【課題】 フッ化物強誘電体単結晶における特定の分極面を有する領域のみを選択的にエッチングする方法を提供すること。
【解決手段】 フッ化物強誘電体単結晶における負の分極面を有する領域をエッチングする方法は、塩酸を加熱するステップと、塩酸をフッ化物強誘電体単結晶に付与するステップとを包含する。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶の質と成長方向及び／又はそれに垂直な平面内における均等な配列とをそれぞれに有するIII−Ｎバルク結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】III−Ｎバルク結晶を製造する方法であって、IIIは、周期表のIII族のうちＡｌ、Ｇａ及びＩｎから選択された少なくとも１つの元素を指し、前記III−Ｎバルク結晶を、気相エピタキシーによって基板又はテンプレート上に成長させ、前記III−Ｎバルク結晶の成長速度を、リアルタイムで測定するIII−Ｎバルク結晶の製造方法である。エピタキシャル成長の間、成長速度のその場での測定及び動的制御によって、実際の成長速度を本質的に一定に維持する。その結果、良好な結晶の質と成長方向及び／又はそれに垂直な平面内における均等な配列とをそれぞれに有するIII−Ｎバルク結晶及びそれに付随して分離され個別化された単一のIII−Ｎ結晶基板の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】前記方法は、半導体ウェーハを結晶から分離し、半導体ウェーハの前面および裏面から材料を切除する連続加工工程で処理し、以下の加工工程：
機械的加工工程、半導体ウェーハを酸化し、半導体ウェーハの前面からフッ化水素を含有するガス状エッチング剤を用いて２０〜７０℃の温度で材料を切除するエッチング工程、および半導体ウェーハの前面を研磨する研磨工程を有し、その際半導体ウェーハの前面を研磨する加工工程が全体として５μｍ以下である材料の切除を生じる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ結晶基板の最表面の（０００１）面に対するオフ角が０．５°よりも大きい場合でもより正確な転位密度が測定可能な転位の検出方法、その検出方法を用いた転位数の測定方法および転位密度の測定方法ならびにその転位密度の測定方法により転位密度が測定されたＧａＮ結晶基板および転位密度の算出方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ結晶基板の最表面の（０００１）面に対するオフ角を０．５°以下とする工程と、ＧａＮ結晶基板の最表面をエッチング液によりエッチングする工程と、を含む、転位の検出方法、その検出方法を用いた転位数の測定方法および転位密度の測定方法ならびにその転位密度の測定方法により転位密度が測定されたＧａＮ結晶基板および転位密度の算出方法である。 （もっと読む）

【課題】結晶成長面上に結晶性のよい半導体層を成長させることが可能な、裏面の反りの小さいＧａＮ結晶基板およびその製造方法、ならびに半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶基板は、結晶成長面１０ｃの反対側の面である裏面１０ｒの反りｗ_(R)が−５０μｍ≦ｗ≦５０μｍであり、裏面１０ｒの面粗さＲａ_(R)をＲａ_(R)≦１０μｍ、裏面１０ｒの面粗さＲｙ_(R)をＲｙ_(R)≦７５μｍとすることができる。また、本半導体デバイスの製造方法は、基板として上記ＧａＮ結晶基板１０を選択し、このＧａＮ結晶基板１０の結晶成長面１０ｃ側に少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物結晶層２０を成長させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】電子工学、光学、又は光電子工学に応用するための、弾性的に歪みのない結晶材料製層を形成する方法の提供。
【解決手段】張力下で（又は圧縮して）弾性的に歪みのある第１の結晶層１と、圧縮して（又は張力下で）弾性的に歪みのある第２の結晶層２とを備え、前記第２の層が前記第１の層に隣接している構造体３０を用いて、それらの２つの層間での拡散ステップを備え、それにより２つの層のそれぞれの組成物間の差がほぼ同じになるまで次第に低減され、その後、それらの２つの層が、全体として均質な組成物を有する、結晶材料製のただ単一の最終層を形成する。それらの２つの層のそれぞれの組成物と、厚さと、歪みの程度とを最初に選択することにより、拡散後に、全体として弾性的な歪みを示さない最終層を構成する材料が得られることを特徴とする。 （もっと読む）

複数の粒子を有する多結晶金属窒化物を含む組成物が提供される。これらの粒子は、拝金粒子サイズ、傾斜角度、不純物含有、気孔率、密度、及び金属窒化物における金属の分子分率、のような特徴の一つかそれ以上の柱状構造を有する。金属窒化物は、窒素含有材料が第ＩＩＩ族金属とチャンバー内で反応し、金属窒化物を生成して、少なくともチャンバー内の第ＩＩＩ族金属の導入、窒素含有材料とハロゲン化水素のチャンバーへの流入の工程からなる方法を介して生成される。第ＩＩＩ族金属が原材料材料として原材料注入口を通じてチャンバーに導入されて、第ＩＩＩ族金属窒化物グループの準備の方法が提供される。

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【課題】 より簡便に炭化ケイ素基板の表面のマイクロパイプを閉塞することができる炭化ケイ素基板の表面再構成方法を提供する。
【解決手段】 炭化ケイ素基板１の表面上にシリコン膜２を形成するシリコン膜形成工程と、シリコン膜２の表面上に多結晶炭化ケイ素基板を設置することなく炭化ケイ素基板１およびシリコン膜２を熱処理する熱処理工程と、を含む、炭化ケイ素基板の表面再構成方法である。ここで、熱処理工程後にシリコン膜を除去するシリコン膜除去工程を含んでいてもよい。また、熱処理工程後にシリコン膜を酸化して酸化シリコン膜とする酸化シリコン膜形成工程と、酸化シリコン膜を除去する酸化シリコン膜除去工程と、を含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】 底面を持ち、かつ配列制御を自由に行うことのできる微小穴の配列形成方法を提供すること。
【解決手段】 （０００１）面、または（０００１）面から１０度以内のオフ角度を持った面を主面として有する単結晶サファイヤ基板１の表面に対して、所望の位置にアレイ状にエッチングの起点となる微小欠陥２を形成し、該微小欠陥２にエッチングを行ってエッチピット２ａを形成し、該エッチピット２ａに熱処理を行うことを特徴とする、アレイ状に微小穴を配列形成する方法である。 （もっと読む）

【課題】 水晶板などの圧電素板をエッチング加工する際に使用する湿式のエッチング装置で、被加工物である水晶板などの圧電素板が均一にムラが無くエッチング処理ができる装置を実現することを目的とする。
【解決手段】 課題を解決するために本発明は、エッチング溶液を蓄える容器の中に、圧電素板を格納し揺動する受皿を配置し、前記受皿の下方から前記エッチング溶液を噴射する噴射口を有し、前記受皿の上部には一定間隔で細線を配置した構造を有するもので、従来の回転式のエッチング装置の欠点を改善したもので、エッチング溶液中に圧電素板を格納する受皿を設けて、前記受皿の下方からエッチング溶液を受皿に向けて噴射することで、受皿の中の圧電素板が水流により浮き上がり、受皿の上部に配置する細線で圧電素板の向きを変え、上述の動作を連続的に行うことで、受皿に格納する圧電素板を効率よく回転させることにより課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】従来容易には検出することができなかった電気抵抗率が１０ｍΩ・ｃｍ未満である超低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥、特にＢＭＤの特性を、有害なクロムを含有しないクロムレスのエッチング液を用いて選択エッチングすることにより評価し、利用することを可能にする、選択エッチング方法を提供する。
【解決手段】容量組成が、０．０２以上０．１以下のフッ酸と、０．５以上０．６以下の硝酸と、０．２以上０．２５以下の酢酸と、水とを少なくとも含有する選択エッチング液を用いて、電気抵抗率が１０ｍΩ・ｃｍ未満のシリコン単結晶基板を０．１μｍ／ｍｉｎより大きな速度でエッチングし、前記シリコン単結晶基板の表面にＢＭＤを顕在化させることを特徴とする選択エッチング方法。 （もっと読む）

【課題】光源の反射面として用いられる、優れた表面平滑度を有する半導体基板の４５度面を形成するための方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の｛１１０｝面又は｛１００｝面と結晶学的に等価な面を形成する方法が以下のステップを含んでいる。まず、｛１００｝面又は｛１１０｝面と結晶学的に等価な上面を有する半導体基板を用意する。次に、エッチング窓を有するエッチングマスクを、｛１００｝面又は｛１１０｝面と結晶学的に等価な面に形成する。エッチング窓は、半導体基板の＜１００＞方向又は＜１１０＞方向と結晶学的に等価な方向に対してある傾斜角度をなす向きの側壁を有する。傾斜角度は、０度より大きくて９０度より小さく、且つ４５度に等しくない。その後、エッチング窓を用いて選択的な異方性エッチング処理を行い、半導体基板に｛１１０｝面又は｛１００｝面と結晶学的に等価な面を形成する。 （もっと読む）

炭化珪素ベースのバイポーラデバイスにおいて、積層欠陥核生成を減らし、そして順方向電圧（Ｖｆ）ドリフトを低下させるための基板とエピタキシャル層とを作製する方法を開示している。本発明方法は、炭化珪素基板の表面を非選択性エッチングして、表面損傷及び表面下損傷の両方を除去する工程；その後で、選択性エッチングによって同じ表面をエッチングし、それによって、その後に終端する傾向があるか又は該基板表面上でその次のエピタキシャル層成長中に貫通欠陥として伝播する傾向がある該基板表面に達している少なくともいくらかのベーサルプレーン転位からエッチング生成構造を発生させる工程、そして、その後に、二回エッチングされた表面上に炭化珪素の第一エピタキシャル層を成長させる工程を含む。
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