少なくとも約１００ｍｍの直径と、約２５ｃｍ^-2未満のマイクロパイプ密度とを有する高品質のＳｉＣ単結晶ウェハを開示する。
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少なくとも約３インチの直径と、約２０００ｃｍ^-2未満の１ｃらせん転位密度とを有する高品質のＳｉＣ単結晶ウェハを開示する。
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【課題】
ウェーハの品質検査の精度を向上させて、作業効率及び歩留まりを向上させる。
【解決手段】
結晶育成速度Ｖにはシリコン単結晶が所定品質に保たれるような許容範囲が存在する。この許容範囲を予め求めておく。シリコン単結晶を引き上げる際に結晶育成速度Ｖのログデータを測定し、このログデータを用いて結晶育成速度Ｖの実績値を求める。そして許容範囲と実績値を比較する。許容範囲内にある結晶育成速度Ｖに対応するシリコン単結晶の部位を所定の規格を満たす良品部位と判定し、許容範囲外にある結晶育成速度Ｖに対応するシリコン単結晶の部位を所定の規格を満たさない不良部位と判定する。
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【課題】 内部透過率などの光学特性に優れた結晶を再現性よく製造することができる結晶製造方法を提供する。
【解決手段】 結晶性物質の原料から単結晶を成長させる結晶製造方法であって、前記単結晶の成長の基点となる種結晶に含まれる不純物の濃度を検出するステップと、前記検出ステップで検出された前記不純物の濃度が、前記原料の不純物の濃度以下である前記種結晶を前記坩堝に収納するステップと、前記収納ステップで前記坩堝に収納された前記種結晶を介して前記単結晶を成長させるステップとを有することを特徴とする結晶製造方法を提供する。 （もっと読む）

シード上で少なくともシード成長方向に本質的に垂直な方向で成長され、シード中に存在する結晶欠陥の伝播が本質的になく、転位密度が10⁴/cm²を超えず、シードの転位密度に比べかなり低く、結晶格子曲率半径が大きく、好ましくは15mより長く、より好ましくは30mより長く、最も好ましくは約70mであり、シードの結晶格子の曲率半径よりかなり長い、バルク単結晶ガリウム含有窒化物。
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シリコン単結晶中の初期酸素濃度と、シリコン単結晶が結晶成長の際に受ける４００℃から５５０℃の間の熱履歴に応じて発生するサーマルドナーの濃度と、を特定することによって、シリコン単結晶を熱処理した場合にその熱処理過程でシリコン単結晶中に発生する酸素析出物の核発生速度を求める。さらにシリコン単結晶に加える熱処理条件を特定することによって、任意の熱処理条件における酸素析出物の密度および酸素析出量を演算によって予測する。 （もっと読む）