【課題】発光素子等の半導体装置の特性向上が可能な高品質な結晶性を有する半極性面を成長面とする六方晶系のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板上に成長したＩＩＩ−Ｖ族窒化物層であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物層の成長面が、ｃ面となす角度が１０°以上９０°未満の半極性面であり、前記成長面を回折面として、この成長面に垂直かつｃ軸に平行な面と平行な方向から入射するＸ線に対して得られるＸ線回折強度の角度依存性の半値全幅をａ_１で表したとき、ａ_１≦０．５°を満たすことを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族窒化物層。 （もっと読む）

【課題】結晶方位［１１０］の無転位のシリコン単結晶を育成する方法および転位発生の有無を判定する評価方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により、育成中のシリコン単結晶４の周囲を囲繞するように冷却体６を設けてシリコン単結晶４を強制的に冷却しながら、結晶方位［１１０］のシリコン単結晶４を育成する。育成されたシリコン単結晶４の外表面に形成される晶癖線の有無によって、シリコン単結晶４における転位発生の有無を判定する。シリコン単結晶４の外表面に晶癖線が存在する場合は、良品シリコン単結晶と判定する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド粒子からダイヤモンド−炭化ケイ素−ケイ素複合材料を製造する方法、および、この方法により製造されたダイヤモンド−炭化ケイ素−ケイ素複合材料を提供する。
【解決手段】加工物を形成し、その加工物を加熱し、その加熱温度と加熱時間を、ある一定の、所望とされる量の黒鉛がダイヤモンド粒子の黒鉛化により造り出されるように制御し、それによって中間物を造り、そしてその中間物にケイ素を浸透させることにより、２０〜７５容積％のダイヤモンド粒子、少なくとも５容積％、好ましくは１５容積％より多い炭化ケイ素、およびケイ素を含んで成る、ヤング率が４５０ＧＰａを越える物体を作製する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも、Ｎ領域のＮ（Ｖ）領域とＮ（Ｉ）領域を、簡単かつ時間をかけずに正確に判定することができるシリコン単結晶ウエーハの評価方法、およびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法を用いて作製したシリコン単結晶ウエーハの品質を評価する方法であって、少なくとも、前記シリコン単結晶ウエーハを酸化性雰囲気下で熱処理した後、選択エッチングにより浅いエッチピット（シャローピット）を形成し、該形成したエッチピットから、少なくとも、無欠陥領域のＮ（Ｖ）領域、Ｎ（Ｉ）領域を判別するシリコン単結晶ウエーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】 チョクラルスキー法によって得られたウェーハのＮ領域内に存在する微細な結晶欠陥を検出し、ウェーハの品質を正確に評価することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本発明のＮ領域の検査方法によると、ウェーハ２内に形成されている結晶欠陥４の存在部位と結晶欠陥４の非存在部位に対するエッチング速度が異なる異方性ドライエッチングを実施する。この異方性ドライエッチングにより、ウェーハ２の表面には結晶欠陥４を頂点とする円錐状のエッチング残渣６が残される。このエッチング残渣６を測定し、その測定値を評価することで、ウェーハ２のＮ領域の品質を検査することができる。 （もっと読む）

【課題】 単結晶シリコンの酸素濃度に依存せずに結晶欠陥領域を正確かつ簡便に短時間に分析することができる、金属汚染及び熱処理を利用した単結晶シリコンの結晶欠陥領域の区分方法を提供する。
【解決手段】 単結晶シリコンインゴットの片またはシリコンウェーハで形成されたサンプルを備えた後、サンプルの少なくとも一面に金属を１×１０^１４〜５×１０^１６ａｔｏｍｓ／cm²濃度で汚染させて、その汚染されたサンプルを熱処理し、その熱処理されたサンプルで汚染された面または汚染された面の反対面を観察して結晶欠陥領域を区分する結晶欠陥領域の区分方法。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶の質と成長方向及び／又はそれに垂直な平面内における均等な配列とをそれぞれに有するIII−Ｎバルク結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】III−Ｎバルク結晶を製造する方法であって、IIIは、周期表のIII族のうちＡｌ、Ｇａ及びＩｎから選択された少なくとも１つの元素を指し、前記III−Ｎバルク結晶を、気相エピタキシーによって基板又はテンプレート上に成長させ、前記III−Ｎバルク結晶の成長速度を、リアルタイムで測定するIII−Ｎバルク結晶の製造方法である。エピタキシャル成長の間、成長速度のその場での測定及び動的制御によって、実際の成長速度を本質的に一定に維持する。その結果、良好な結晶の質と成長方向及び／又はそれに垂直な平面内における均等な配列とをそれぞれに有するIII−Ｎバルク結晶及びそれに付随して分離され個別化された単一のIII−Ｎ結晶基板の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ある引き上げ速度プロファイルで育成されたSi単結晶の欠陥領域あるいは無欠陥領域のタイプを明確に検出し、このデータを次の引き上げにフィードバックすることよって、欠陥領域のないSi単結晶を安定して育成する。
【解決手段】ＣＺ法によるSi単結晶インゴットの製造に際し、先行して育成されたSi単結晶インゴットの横断面における原子空孔の濃度分布を、原子空孔の直接観測法によって検出し、それを後続の引き上げ処理にフィードバックして、後続の引き上げにおける速度プロファイルを調整する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線やそれ以外の手段による精密測定を行うことなく、フッ化物単結晶表面の（１１１）面からの方位のずれを十分簡易に把握することができるフッ化物結晶の熱処理方法を提供する。
【解決手段】多孔質部材７を備える基台６Ｃ上に、（１１１）面とのなす角度が−１５〜＋１５°である平滑面を有するフッ化物の単結晶１１を、平滑面と多孔質部材７とが対面接触するように載置した状態で、熱処理炉１０内において最高温度が１０００℃以上となるように単結晶１１に加熱処理を施すフッ化物結晶の熱処理方法。 （もっと読む）

【課題】微小電子（microelectronic）素子製造方法及び装置に関するもので、より詳しくはシリコンインゴット製造方法及びそれによって製造されたシリコンインゴット及びウェーハを提供する。
【解決手段】シリコンインゴットがインタースチシャル固まりを防止できるくらい十分高いが、べーカンシー固まりをべーカンシー豊富領域Ｖ内に制限できるくらい十分低いインゴットの引上速度プロファイルで、ホットゾーン炉内の溶融物からインゴットを軸方向に引上させることで製作される。このように引上されたインゴットは各べーカンシー固まりを含むその中央のべーカンシー豊富領域Ｖと、べーカンシー豊富領域Ｖとウェーハの縁部分の間に位置しながらべーカンシー固まり及びインタースチシャル固まりがない無欠陥領域Ｐを有する複数個のセミ-無欠陥ウェーハＷ_１乃至Ｗ_４にスライシングされる。 （もっと読む）

【課題】転位密度の小さい、良好なＧａＮ系半導体層を形成することができる、半導体層成長用基板と、それを用いた、特性に優れた半導体装置とを提供する。
【解決手段】半導体層成長用基板は、ＧａＮ系半導体層を成長させるための主面の、Ｘ線反射率法によるＸ線反射率曲線の半値幅を１００秒以下とし、かつ、前記主面に、原子ステップ構造を形成した。半導体装置は、前記半導体層成長用基板と、前記半導体層成長用基板の主面上にエピタキシャル成長させたＧａＮ系半導体層とを備える。 （もっと読む）

【課題】窒素が添加された高抵抗のシリコン単結晶インゴットを原料として用いた場合においても、本来必要とされる中性子照射量を正確に把握し、目標抵抗率を正確に得るための中性子照射シリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、フローティングゾーン法（ＦＺ法）により窒素を添加しながら平均抵抗率が１０００Ω・ｃｍ以上であるシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、該シリコン単結晶インゴットに中性子照射する工程と、該中性子照射によって受けた損傷を回復する熱処理を行う工程とを有する中性子照射シリコン単結晶の製造方法において、少なくとも前記シリコン単結晶インゴットに中性子照射する工程の前に、シリコン単結晶にドナー消去熱処理を行い、該ドナー消去熱処理を行ったシリコン単結晶の抵抗率から中性子照射量を算出して中性子照射を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの作製時にＧａＮ結晶基板におけるクラックおよび割れの発生を低減することができるＧａＮ結晶基板、それを含む半導体デバイス、その半導体デバイスの製造方法ならびにそのＧａＮ結晶基板の識別方法を提供する。
【解決手段】面積が１０ｃｍ²以上の表面を有するＧａＮ結晶基板であって、ＧａＮ結晶基板の表面の周縁から５ｍｍ内側までの領域を除いた領域内におけるＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトの最大値と最小値との差が０．５ｃｍ^-1以下であるＧａＮ結晶基板、それを含む半導体デバイス、その半導体デバイスの製造方法ならびにそのＧａＮ結晶基板の識別方法である。 （もっと読む）

【課題】表層部において所望の欠陥密度を有するアニールウエーハを安定して供給する方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエーハをアニールしてアニールウエーハを製造する際に原料となるシリコンウエーハを選定する方法であって、前記アニールする前後のシリコンウエーハの表層部における欠陥について測定する工程と、前記測定により得られたデータからアニール前後の表層部における欠陥について相関関係を求める工程と、前記相関関係に基づき、前記アニール後に表層部において所望の欠陥密度を有するアニールウエーハとなり得るシリコンウエーハを原料として選定する工程とを含むことを特徴とするシリコンウエーハの選定方法。 （もっと読む）

【課題】 既存のものよりはるかに結晶性に優れ、光学材料、電極、導電体、ガスセンサ、光記録材料等の種々のデバイスへの応用に有利な酸化ガリウム単結晶を提供する。
【解決手段】 放射光をＸ線源としたＸ線ロッキングカーブ測定により得られるＸ線ロッキングカーブの半値幅が０．０８°以下であることを特徴とする酸化ガリウム（β-Ga₂O₃）単結晶である。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶ウェーハの無欠陥領域を目視により速やかに判定することができるシリコン単結晶ウェーハの品質評価方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハの表面を密度５〜１０Ｅ１０atom/cm²のＦｅで汚染して、前記シリコンウェーハを熱処理炉内に投入し、９００℃〜１２００℃の温度で２時間以上保持する熱処理第１工程と、次に、５００℃〜７００℃の温度で２時間以上保持する熱処理第２工程とを有し、前記熱処理工程をいずれもドライ酸素雰囲気中で熱処理を行うことによりシリコン単結晶ウェーハの表面に汚染元素誘起欠陥を発生させ、シリコン単結晶の無欠陥領域を目視で判定する。 （もっと読む）

【課題】従来容易には検出することができなかった電気抵抗率が１０ｍΩ・ｃｍ未満である超低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥、特にＢＭＤの特性を、有害なクロムを含有しないクロムレスのエッチング液を用いて選択エッチングすることにより評価し、利用することを可能にする、選択エッチング方法を提供する。
【解決手段】容量組成が、０．０２以上０．１以下のフッ酸と、０．５以上０．６以下の硝酸と、０．２以上０．２５以下の酢酸と、水とを少なくとも含有する選択エッチング液を用いて、電気抵抗率が１０ｍΩ・ｃｍ未満のシリコン単結晶基板を０．１μｍ／ｍｉｎより大きな速度でエッチングし、前記シリコン単結晶基板の表面にＢＭＤを顕在化させることを特徴とする選択エッチング方法。 （もっと読む）

【課題】安全性が高く、かつ、精度良く短時間で簡便にウェーハ表面の結晶欠陥を評価する方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハの表面に酸化膜を形成するための熱処理を行った後、前記シリコンウェーハをアルゴンを含む雰囲気で熱処理して前記シリコンウェーハ表面に酸化膜ホールを形成し、該酸化膜ホールを検出することによって、前記シリコンウェーハ表面に存在する結晶欠陥を評価する。 （もっと読む）

【課題】 蛋白質の結晶化実験あるいは結晶化条件のスクリーニングを、迅速かつ経済的に、高い信頼性をもって実施することができる蛋白質結晶化装置を提供する。
【解決手段】 蛋白質結晶化剤を保持した２以上の結晶化剤保持部１６を有する蛋白質結晶化用マイクロアレイ１８と、前記蛋白質結晶化用マイクロアレイ１８と積層されるプレート２４とを有し、前記プレート２４は、前記結晶化剤保持部１６に対応し蛋白質含有試料を充填可能な結晶化区画３２と、該結晶化区画３２の間に設けられた凹部３４とを有することを特徴とする蛋白質結晶化装置。 （もっと読む）

光触媒として高い光触媒活性が期待できる比表面積が大きく、結晶性が高くて内部欠陥が少ない酸化チタン粒子を得る。また、高温に加熱されてもルチル型結晶構造に転位しずらく、焼結が進行しにくい酸化チタン粒子を得る。光触媒となる酸化チタン粒子として、その形状が箱型形状の多面体のものを用いる。この酸化チタン粒子をなす多面体は、１以上の酸化チタンの単結晶多面体から構成されている。また、この単結晶多面体の扁平率を、０．３３〜３．０とするとさらに結晶性が高くなる。さらに、多面体が６面体ないし１０面体であることが好ましい。また、ルチル転位率Ｒ（７００−２４）が７．５％以下で、ルチル転位率Ｒ（５００−２４）が２．０％以下とする。石英ガラス製の合成管内に四塩化チタン蒸気と酸素を供給し、合成管の外部から酸水素炎バーナで加熱し、熱酸化してかかる形状の酸化チタン粒子を製造する。
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