【課題】半導体材料から成るインゴットブロックの機械的欠陥を検出にあたり、あらゆる種類の半導体材料に適用可能であり、空隙を有する半導体ウェハを早期に分別可能にする。
【解決手段】厚さ１ｃｍ〜１００ｃｍのインゴットブロック１における平坦面６が、流体状結合媒体３を介して結合された超音波ヘッド２により走査される。超音波ヘッド２は各測定点ｘ，ｙごとに、インゴットブロック１の平坦面６に向けて超音波パルス８を発生し、インゴットブロック１から発せられた超音波パルスのエコーを時間に依存して記録する。平坦面６のエコー９と、この面とは反対側の平坦面７のエコー１１と、場合によっては生じる別のエコー１０が検出され、この別のエコー１０から、インゴットブロック１における機械的欠陥４のポジションｘ_ｐ，ｙ_ｐ，ｚ_ｐが求められる。 （もっと読む）

【課題】パーフェクト領域に存在するＲＩＥ欠陥を熱処理によって低減することができる、シリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】先ず酸素濃度が１．２×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³（旧ＡＳＴＭ）未満であるシリコン単結晶インゴットを引上げる。次に、このインゴットから切出されかつ反応性イオンエッチング法によるＲＩＥ欠陥密度が１×１０⁴〜１×１０¹⁰個／ｃｍ³である領域を含むシリコンウェーハについて、水素および／またはアルゴンガス雰囲気下で９００〜１０００℃まで２〜５℃／分の範囲内の第１の昇温速度で加熱し、１０００℃を越え１２００℃以下の範囲内の所定温度まで２℃／分以下の範囲内の第２の昇温速度で加熱し、更に上記所定温度で５〜１８０分間保持する熱処理を行うことにより、表面からの深さ２〜１０μｍの範囲内の所定の深さにおける反応性イオンエッチング法によるＲＩＥ欠陥密度を１×１０⁴個／ｃｍ³以下とする。 （もっと読む）

【課題】酸素析出物の非常に少ないシリコン単結晶を育成する方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により育成されたＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴットから評価用試料を切り出し、as-grown状態の評価用試料にＲＩＥを施した場合に、酸化シリコンを含む欠陥を起因とした突起物が評価用試料の表面に形成されない条件で、シリコン単結晶インゴットの引き上げを行う。ＲＩＥを行うと、微小酸素析出物をも検出可能であることから、ＲＩＥによる評価で突起物が形成されない条件にて引き上げを行うことにより、微小酸素析出物を含まないシリコン単結晶を育成することが可能となる。このため、ＩＧＢＴのように、ウェーハのバルクの品質に影響されるデバイス用の高品質なシリコン単結晶を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】単離GRP94リガンド結合ドメインポリペプチド、その三次元結晶構造、およびそれを用いたHsp90タンパク質のモジュレーターの設計方法を提供する。
【解決手段】実質的に純粋な結晶であるGRP94リガンド結合ドメインポリペプチド、及び該結晶化ポリペプチドの作成方法。また、Hsp90タンパク質のモジュレーターを決定する方法、GRP94ポリペプチドの活性を選択的にモジュレートするモジュレーターを設計する方法、及びGRP94モジュレーターを同定する方法。更に１つのHsp90ポリペプチドの生物学的活性をGRP94と比較して選択的にモジュレートするHsp90モジュレーターを同定する方法。 （もっと読む）

【課題】ＯＳＦ（Oxidation Induced Stacking Fault）領域の位置や広さを指標とすることなく引き上げ速度の制御方向を判断することによって、後続の引き上げの速度プロファイルをフィードバック調整する方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴット２０を育成し、シリコン単結晶インゴット２０からシリコンウェーハを切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハに対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。顕在化した突起発生領域に基づいて、後続の育成工程における育成条件をフィードバック調整する。これにより、欠陥を顕在化させるための熱処理を行うことなく、より直近のバッチに対してフィードバックすることができる。 （もっと読む）

【課題】予め実験的に求めていたパラメーターにより結晶欠陥の密度やサイズを予測する手法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶中における結晶欠陥のサイズおよび密度を予測する結晶欠陥状態予測方法であって、
実験データを解析し関連する物理パラメーターを抽出し、その物理パラメーターについてデータベースを構築する工程と、
前記データベースのデータを用いて、結晶欠陥のサイズおよび密度を算出する工程と、
を有するとともに、
前記データベースが、結晶欠陥の密度およびサイズに大きく影響を与える独立要素と、
該独立要素に従属する従属要素としての結晶欠陥のサイズ分布中における最大サイズと最小サイズとを有してなる。 （もっと読む）

【課題】 数μｍから数十μｍ程度の大きさの軟磁性フェライト粒子は、レーザーコピーで使用されるキャリア粉、電波吸収体や圧粉磁芯といった用途に需要がある。しかしこの大きさの軟磁性フェライトは、粉砕法で作製するには小さすぎ、成長法で作製するには大きすぎる。また、粉体の形状も一定にできなかった。
【解決手段】 材料となるフェライトと塩化鉄を混合し、９００℃以上１３００℃以下で焼成することで、フェライトが液相の塩化鉄中で結晶成長し、数十μｍの大きさの八面体の粒子を得る。 （もっと読む）

【課題】本発明によれば、結晶性が向上したＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を生産性良く得ることができる。
【解決手段】サファイア基板表面に、シード層として、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させ、ついでＩＩＩ族窒化物半導体からなる、下地層、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を反応炉を用いて製造するに際し、少なくとも下地層を成膜したＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体ウエハーを反応炉から取り出し、ついで次の成膜を別の反応炉で行なう。 （もっと読む）

【課題】デバイス配線パターンの微細化に伴い特に問題視されるデバイス熱処理工程で発生するスリップ転位を抑制し、パターンずれを防止するために効果的なＢＭＤの密度とサイズを有するシリコンウェーハとその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハであって、酸素析出物を析出させる析出熱処理前後における酸素濃度変化量をΔＯ_ｉ（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）（ＪＥＩＤＡ）、ＲＩＥ法によって検出される酸素析出物の密度をＤ（個／ｃｍ^３）とした時に、ΔＯ_ｉ／（Ｄ×１０^６）≦５、かつＤ≧１×１０^１０の関係を満たすものであることを特徴とするシリコンウェーハ。 （もっと読む）

【課題】ゲート酸化膜の厚さが数ｎｍと薄い場合であってもＧＯＩの劣化がないシリコン単結晶ウェーハとその製造方法、並びにＧＯＩ劣化がないことをＴＤＤＢ法などに比べて容易に評価することのできる評価方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、シリコン単結晶インゴットを準備する工程と、シリコン単結晶インゴットをスライスしてスライス基板を複数枚作製する工程と、複数枚のスライス基板に、ラッピング・エッチング・研磨のうち少なくとも１つを行って複数枚の基板に加工する加工工程と、複数枚の基板から少なくとも１枚を抜き取る工程と、抜き取り工程で抜き取った基板の表面粗さをＡＦＭで測定し、波長２０ｎｍ〜５０ｎｍに対応する周波数Ｘ帯の振幅（強度）ｙを求めて合否を判定する工程と、判定が合格の場合は次工程へ送り、不合格の場合は再加工を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

ナノ体積マイクロキャピラリー結晶化システムは、従来の凍結保護用の結晶取り出し、もしくは内部で成長するタンパク質結晶のその場Ｘ線回折研究を可能にする結晶カードにおける、結晶化条件のナノリットル体積スクリーニングを可能にする。本システムは、結晶化反応混液の調合を結晶化実験の準備と統合させる。本システムは、結晶化相空間を効率的に利用するための結晶化実験における勾配スクリーニング、或いは１つの包括的ハイブリッド結晶化トライアルを実行するためのスパースマトリックスおよび勾配スクリーニングの組み合わせのいずれかを研究者が選択することを可能にする。
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【課題】 創薬において重要であるインフルエンザ菌（Ｈａｅｍｏｐｈｉｌｕｓ ｉｎｆｌｕｅｎｚａｅ）ペニシリン結合タンパク質（ＰＢＰ）３トランスペプチダーゼドメインの結晶、及び、立体構造情報を提供することを目的とする。
【解決手段】 インフルエンザ菌（Ｈａｅｍｏｐｈｉｌｕｓ ｉｎｆｌｕｅｎｚａｅ）ペニシリン結合タンパク質（ＰＢＰ）３のトランスペプチダーゼドメインを調製し、高品質の結晶、及び、その製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ドープされた炭素によってデバイス製造工程等における熱処理時にドナーが発生しても、所望の抵抗率を有するシリコン単結晶ウェーハとすることのできるシリコン単結晶の育成方法及び該シリコン単結晶から作製されたシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶の育成方法であって、チョクラルスキー法によって炭素及び抵抗調整用ドーパントをドーピングしてシリコン単結晶を育成する際に、炭素ドープに伴って発生する抵抗率のシフト量を予め計算し、前記抵抗調整用ドーパントのドープ量を前記シフト分に応じて調整することを特徴とするシリコン単結晶の育成方法。 （もっと読む）

【課題】微量試料で迅速かつ経済的に多種類の結晶化条件で結晶化を行うことができ、かつ微量試料であっても２ヶ月以上の長期間にわたって結晶析出を観察することのできる結晶の観察方法を提供する。
【解決手段】複数の結晶化区画３２及び該結晶化区画３２それぞれを区分する凹部３４が設けられたマイクロプレート２４と、結晶化区画３２に対応する位置に、蛋白質結晶化剤を含有する複数の結晶化剤保持部１６を有するマイクロアレイ１８とを備えた蛋白質結晶化装置を用いて、マイクロアレイ１８を支持体２０に収納し、該支持体２０とマイクロプレート２４とを重ね合わせる組み立て工程と、前記組み立て工程の後に、前記凹部に水を充填する水充填工程と、前記水充填工程の後に、析出した結晶をマイクロプレート越しに観察する観察工程とを含む結晶の観察方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＦ−１の結晶とその生産方法、さらにＩＧＦ−１間接アゴニストを同定する方法を提供する。
【解決手段】ＩＧＦ−１を含む水溶液を、沈殿剤を含むリザーバ液と混合し、生成した混合物を結晶化、場合によっては再結晶化を行い分離する、ＩＧＦ−１の結晶化方法。さらに、結合タンパク質ＩＧＦＢＰ−１又はＩＧＦＢＰ−３のＩＧＦ−１に対する結合の阻害レベルのスタンダードとして、界面活性剤を使用し、また構造に基づく薬剤設計のため、間接アゴニストの候補が結合するＩＧＦ−１の結合ポケットの座標を使用して、ＩＧＦ−１間接アゴニストを同定する方法。 （もっと読む）

ごくわずかな揮発で一致溶融する化合物から結晶を成長させる方法を提供する。１又はそれ以上の結晶試料の組成を測定する。結晶組成の一致状態からの偏差を求める。初期溶融物組成及び原料物質組成の偏差に対する補正を決定する。この組成の補正を使用して結晶を成長させ、表面弾性基板製造のための再現性のある材料を生み出す。 （もっと読む）

【課題】種結晶を用いた昇華システムにおいて形成された結晶の欠陥レベルが低く、より大きく、高品質のＳｉＣ単結晶ウェハを製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも約１００ｍｍの直径と、約２５ｃｍ^−２未満のマイクロパイプ密度とを有し、また、３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、２Ｈおよび１５Ｒポリタイプからなる群から選択されるポリタイプを有するＳｉＣ単結晶ウェハ。なお、マイクロパイプ密度は、表面上にある全マイクロパイプの総数を、ウェハの表面積で割ったものを表す。 （もっと読む）

【課題】コンピュータシミュレーションによって得られる酸素析出物（ＢＭＤ）の挙動を、赤外線トモグラフ法で得られる画像イメージで表示することによって、ＢＭＤの挙動を直感的、視覚的に理解することを可能にする方法を提供する。
【解決手段】あらかじめコンピュータシミュレーションによって準備される、半導体単結晶中の酸素析出物の密度の情報をコンピュータに入力する入力処理と、この密度に対して、表示装置の表示領域に相当する体積を乗ずることにより、表示領域中の酸素析出物の個数を算出する個数算出処理と、乱数を用いて、個数分の前記表示領域中の酸素析出物の位置座標を生成する座標生成処理と、位置座標に応じて、表示装置に表示領域中の酸素析出物を画像として表示する出力処理を有することを特徴とするコンピュータを用いた半導体単結晶中の酸素析出物を画像化して表示する方法。 （もっと読む）

【課題】より大きい生物学的高分子またはその凝集体等の標的物質の結晶化において高スループットスクリーニングを実施するための方法およびミクロ流体構造を提供する。
【解決手段】標的物質の結晶化の高スループットスクリーニングが、標的物質の溶液を、微細製作された流体デバイスの複数のチャンバ９１０２ａ、９１０２ｂ内に同時に導入することによって達成される。次いで、この微細製作された流体デバイスは、チャンバ９１０２ａ、９１０２ｂ内の溶液条件を変更するように操作され、それによって、多数の結晶化環境を同時に提供する。標的物質を結晶化するためのシステムの１実施形態は、一定容積の標的物質の溶液を含むように構成された微細製作チャンバを備えるエラストマーブロック、およびチャンバと流体連絡した微細製作フローチャネル、一定容積の結晶化剤をチャンバ内に導入するフローチャネルを備える。 （もっと読む）

単結晶体の結晶方位を解析する工程と、前記単結晶体の選択された結晶方向と前記単結晶体の第１の主外面の面に沿う結晶方向の投影との間の方位差角を計算する工程とを有する、単結晶体の結晶方位を変化させる方法が開示される。前記方法は、前記第１の主外面の少なくとも一部から材料を除去して前記方位差角を変化させる工程をさらに有する。
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