【課題】歩留まりを向上することができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置１００の製造方法は以下の工程を有する。第１の主表面１との第２の主表面２とを有する炭化珪素基板８０が準備される。第１の主表面１に電極が形成される。炭化珪素基板８０は六方晶の結晶構造を有し、第１の主表面１の｛０００１｝面に対するオフ角が±８°以内であり、第１の主表面１は、炭化珪素のバンドギャップ以上のエネルギーを有する励起光が照射された場合に、第１の主表面１に生ずる７５０ｎｍ以上の波長域における発光領域３の密度が１×１０⁴cm^-2以下であるような特性を有する。 （もっと読む）

【課題】微小液滴中に少なくとも１個の結晶を効率よく取得する。
【解決手段】結晶成長用容器２では、その内部に、結晶化させる物質を含む溶液の微小液滴１０が配置されている。微小液滴１０は、その最長部の長さが、結晶化させる物質の自然拡散により移動できる最大距離を示す移動可能最大距離Ｒ_ｃ以下となるような大きさに調製されている。 （もっと読む）

【課題】 良好な規格化保持時間を有するエピタキシャル成長させて得られた強誘電体膜の作製方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸ストロンチウム単結晶基板又はシリコン単結晶基板上に、電極層を介して、強誘電体膜をエピタキシャル成長させて形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成された強誘電体膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後から該強誘電体のキュリー温度より１５％高い温度〜１５％低い温度の範囲までの冷却速度をその範囲の温度から室温までの冷却速度より遅くして実施する第１冷却工程と、次いで該第１冷却工程の冷却速度より早い冷却速度で室温まで冷却する第２冷却工程とで実施する。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコン膜における結晶化の程度を示す結晶化指数を容易かつ精度良く取得する。
【解決手段】結晶化指数取得装置１では、微結晶シリコン膜の理論誘電関数を複数の部分誘電関数モデルの合成として表現し、微結晶シリコン膜における結晶化の程度を示す結晶化指数κが、複数の部分誘電関数モデルのうち、結晶シリコン膜の誘電関数における虚部の高エネルギー側のピークに寄与する高エネルギーピークモデルの振幅に基づいて設定される。そして、複数の部分誘電関数モデルに含まれるパラメータ群の各パラメータを結晶化指数κにより表現し、結晶化指数κを変更することにより各パラメータの値を変更し、分光エリプソメータ３により取得された測定誘電関数に対する理論誘電関数のフィッティングが行われる。これにより、微結晶シリコン膜の結晶化指数κを容易かつ精度良く求めることができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴに好適に用いられるＣＺ法により形成されたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により格子間酸素濃度［Ｏｉ］が７．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットに中性子線を照射してリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハに対して少なくとも酸素を含む雰囲気において所定の式を満たす温度Ｔ(℃)で酸化雰囲気アニールをし、前記ウェーハの一面側にポリシリコン層または歪み層を有することを特徴とするＩＧＢＴ用のシリコンウェーハの製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ単結晶体を成長させる際および成長させたＧａＮ単結晶体を基板状などに加工する際、ならびに基板状のＧａＮ単結晶体上に少なくとも１層の半導体層を形成して半導体デバイスを製造する際に、クラックの発生が抑制されるＧａＮ単結晶体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ単結晶体１０は、ウルツ型結晶構造を有し、３０℃において、弾性定数Ｃ₁₁が３４８ＧＰａ以上３６５ＧＰａ以下かつ弾性定数Ｃ₁₃が９０ＧＰａ以上９８ＧＰａ以下、または、弾性定数Ｃ₁₁が３５２ＧＰａ以上３６２ＧＰａ以下かつ弾性定数Ｃ₁₃が８６ＧＰａ以上９３ＧＰａ以下であって、主面の面積が３ｃｍ²以上である。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板１は、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．７×１０^-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板のｃ軸を含む面から［０００１］方向に−１０°以上１０°以下の傾斜角を有する。 （もっと読む）

【課題】４５０ｍｍあるいはそれより大径の大口径シリコン単結晶の結晶欠陥を、これより小さな径の小口径シリコン単結晶と同等の水準で、しかも低コストかつ短時間にて推定することができる大口径シリコン単結晶の結晶欠陥推定方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によりシリコン融液から成長させる４５０ｍｍ径のシリコン単結晶の結晶欠陥を推定する方法であり、４５０ｍｍ径のシリコン単結晶の引き上げ時の熱履歴を、２００ｍｍ径または３００径のシリコン単結晶の引き上げ時の熱履歴により模擬し、この模擬した熱履歴に基づき４５０ｍｍ径のシリコン単結晶のＣＯＰ欠陥を推定する。 （もっと読む）

【課題】半導体材料から成るインゴットブロックの機械的欠陥を検出にあたり、あらゆる種類の半導体材料に適用可能であり、空隙を有する半導体ウェハを早期に分別可能にする。
【解決手段】厚さ１ｃｍ〜１００ｃｍのインゴットブロック１における平坦面６が、流体状結合媒体３を介して結合された超音波ヘッド２により走査される。超音波ヘッド２は各測定点ｘ，ｙごとに、インゴットブロック１の平坦面６に向けて超音波パルス８を発生し、インゴットブロック１から発せられた超音波パルスのエコーを時間に依存して記録する。平坦面６のエコー９と、この面とは反対側の平坦面７のエコー１１と、場合によっては生じる別のエコー１０が検出され、この別のエコー１０から、インゴットブロック１における機械的欠陥４のポジションｘ_ｐ，ｙ_ｐ，ｚ_ｐが求められる。 （もっと読む）

【課題】育成されるサファイア単結晶内部に気泡が含まれ難いサファイア単結晶育成装置を提供すること。
【解決手段】サファイア原料が充填される坩堝１と、坩堝の外周面を加熱する円筒状本体部30を有するカーボン製ヒータ３と、カーボン製断熱材料により構成されかつ坩堝とカーボン製ヒータが収容されて坩堝が保温される断熱空間部６と、断熱空間部底面60に設けられた開口部に嵌入された絶縁筒８と、絶縁筒内に挿入されかつ先端側が上記カーボン製ヒータに接続されたカーボン製ヒータ電極３とを備え、上記サファイア原料融液10から回転引き上げ法によりサファイア単結晶を製造するサファイア単結晶育成装置であって、上記絶縁筒８の内径とカーボン製ヒータ電極３の外径について、絶縁筒とヒータ電極の間で放電が発生しない関係に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶基板の結晶状態を維持し且つ欠陥のない単結晶のナノワイヤを成長させることが可能なナノワイヤ作製方法を提供する。
【解決手段】フリースタンディングナノワイヤの成長を可能とする比較的狭い範囲の成長条件からあえてずらした成長条件でナノワイヤを成長させることにより、フリースタンディングナノワイヤに必要なサイドファセットの形成を不安定にし、結晶基板の表面と平行に且つ当該表面に沿ったナノワイヤの成長を可能とする。また、ナノワイヤの成長途中で、例えばドーパントを切り替えることにより、ｎ型ＩｎＰナノワイヤ３ｎとｐ型ＩｎＰナノワイヤ３ｐを連設することができる。更に、平行な複数のナノワイヤを交差させて網状の半導体膜を得ることもできる。 （もっと読む）

【課題】ゲート酸化膜の厚さが数ｎｍと薄い場合であってもＧＯＩの劣化がないシリコン単結晶ウェーハとその製造方法、並びにＧＯＩ劣化がないことをＴＤＤＢ法などに比べて容易に評価することのできる評価方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、シリコン単結晶インゴットを準備する工程と、シリコン単結晶インゴットをスライスしてスライス基板を複数枚作製する工程と、複数枚のスライス基板に、ラッピング・エッチング・研磨のうち少なくとも１つを行って複数枚の基板に加工する加工工程と、複数枚の基板から少なくとも１枚を抜き取る工程と、抜き取り工程で抜き取った基板の表面粗さをＡＦＭで測定し、波長２０ｎｍ〜５０ｎｍに対応する周波数Ｘ帯の振幅（強度）ｙを求めて合否を判定する工程と、判定が合格の場合は次工程へ送り、不合格の場合は再加工を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】特性の優れたデバイスを再現性よく製造することのできるＧａＮ基板を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化ガリウム基板は、加速電圧が１３ｋＶ以上の電子が照射された際に得られるカソードルミネッセンスのスペクトルのうち、窒化ガリウムのバンドギャップに対応する波長における第１のピークの第１の強度が、第１のピークより長波長側に観測される第２のピークの第２の強度の２倍以上である。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素を用いたデバイスの歩留まり低下の原因となる結晶欠陥の密度を低減することを目的とする。
【解決手段】本発明における炭化珪素半導体基板１０の製造方法は、（a）炭化珪素基板１を準備する工程と、（b）炭化珪素基板１上に第１のエピタキシャル層５を形成する工程と、（c）第１のエピタキシャル層５に発生する結晶欠陥４の位置を特定する工程と、（d）特定した位置において、第１のエピタキシャル層５を除去するように、かつ炭化珪素基板１に溝２１を形成するようにエッチングを行う工程と、（e）第１のエピタキシャル層５および炭化珪素基板１上に第２のエピタキシャル層２を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】主表面上に少なくとも１層の３種類以上の元素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させても高い特性を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体デバイスが得られるＧａＡｓ半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ半導体基板１０は、主表面１０ｍが（１００）面１０ａに対して６〜１６°の傾斜角θを有し、主表面１０ｍにおける塩素原子濃度が１×１０¹³ｃｍ^-2以下である。また、ＧａＡｓ半導体基板１０の製造方法は、ＧａＡｓ半導体ウエハを研磨する研磨工程と、研磨されたＧａＡｓ半導体ウエハを洗浄する１次洗浄工程と、１次洗浄後のＧａＡｓ半導体ウエハの厚さおよび主表面１０ｍの粗さを検査する検査工程と、検査後のＧａＡｓ半導体ウエハを塩酸以外の酸およびアルカリのいずれかにより洗浄する２次洗浄工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】分散性の良い二酸化チタンが得られる火炎溶融法において、産業的に利用分野の広い、特に光触媒粉体やセラミックス成形体原料として好適な５μｍから２００μｍの範囲の平均径を持つ、高純度で分散性の良い二酸化チタン、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】気相法で得た分散性の良い二酸化チタンを原料として、火炎溶融法で、短い高温滞留時間で球状化した二酸化チタンを得る。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造することができる大型で良質な半導体結晶を提供する。
【解決手段】化合物からなる半導体結晶５０であって、直径が６インチ以上であり、平均転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下である。半導体結晶５０においては、平均転位密度が５×１０³ｃｍ^-2以下であることが好ましく、また、直径が８インチ以上であることが好ましい。化合物の材料としては、ＧａＡｓとするか、または、ＣｄＴｅ、ＩｎＡｓおよびＧａＳｂからなる群から選ばれるいずれか１つとする。 （もっと読む）

【課題】ウエーハ表面の加工条件とは異なる観点からナノトポロジー特性を改善し、ナノトポロジー特性、特に２ｍｍ×２ｍｍ角の測定におけるナノトポロジー特性に優れたウエーハを切り出すことのできる単結晶、及びその単結晶を育成する単結晶育成方法を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ法により得られた単結晶であって、結晶成長時の結晶融液の温度変動に起因して単結晶中に取り込まれる不均一縞の間隔が制御されたものである単結晶、及び単結晶引き上げ法により単結晶を育成する単結晶育成方法であって、単結晶育成時の成長速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）とし、結晶融液の温度変動周期をＦ（ｍｉｎ）とし、結晶成長界面の水平面に対する角度をθとした時に、Ｖ×Ｆ／ｓｉｎθが一定の範囲となるように成長速度及び／または温度変動周期を制御して単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】 チョクラルスキー法によって得られたウェーハのＮ領域内に存在する微細な結晶欠陥を検出し、ウェーハの品質を正確に評価することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本発明のＮ領域の検査方法によると、ウェーハ２内に形成されている結晶欠陥４の存在部位と結晶欠陥４の非存在部位に対するエッチング速度が異なる異方性ドライエッチングを実施する。この異方性ドライエッチングにより、ウェーハ２の表面には結晶欠陥４を頂点とする円錐状のエッチング残渣６が残される。このエッチング残渣６を測定し、その測定値を評価することで、ウェーハ２のＮ領域の品質を検査することができる。 （もっと読む）