化学気相輸送法（CVT）を用いて、低温低圧で、基板にダイヤモンドコーティングを製作する方法であって、ワイヤ巻付グラファイト組立部材と、基板とをチャンバ室内に提供するステップと、チャンバ室に水素を充填するステップと、チャンバ室の内部圧力を真空にしてから、水素を再度充填するステップと、1気圧未満の水素を含有したままチャンバ室を密閉するステップと、基板が125℃〜750℃の範囲に加熱されるまで、グラファイト棒に電流を流すステップと、を有する方法によって、優れた特性が得られる温度で、高品質ダイヤモンドが形成される。
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本発明は、低コストで実用化することが可能な人工コランダム結晶およびその製造方法を提供することを主目的とするものである。
本発明は、｛１１３｝面、｛０１２｝面、｛１０４｝面、｛１１０｝面、｛１０１｝面、｛１１６｝面、｛２１１｝面、｛１２２｝面、｛２１４｝面、｛１００｝面、｛１２５｝面、｛２２３｝面、｛１３１｝面、および｛３１２｝面からなる群から選択される少なくとも１つの結晶面を有することを特徴とする人工コランダム結晶を提供する。また、原料およびフラックスを含有する試料を加熱し、フラックスの蒸発を駆動力として結晶を析出および成長させるフラックス蒸発法により、上記人工コランダム結晶を製造することを特徴とする人工コランダム結晶の製造方法を提供する。 （もっと読む）

ウェーハスケール処理、例えば、ダイヤモンドプレートの上に電子又は他の装置構造体を製造する時のウェーハスケール処理をするのに適したダイヤモンドプレートのタイル張り状配列体である。ダイヤモンドプレートを、支持層、好ましくは多結晶質ダイヤモンド支持層に固定し、それぞれの固定されたダイヤモンドプレートの主要表面の少なくとも一つが、更に処理するために露出された製造表面を定めるように、実質的に平面状の配列として固定する。支持層は裏打層でもよく、その場合、ダイヤモンド基体の主要面のただ一つだけが更に処理するため露出されており、或いは支持層は、両方の主要表面が更に処理するため露出されるように、それぞれのダイヤモンド基体の間に伸びていてもよい。 （もっと読む）

マイクロ波プラズマ化学蒸着により成長した単結晶ダイヤモンドは、５０〜９０ ＧＰａの硬さおよび１１〜２０ ＭＰａ ｍ^1/2の破壊靱性を有する。単結晶ダイヤモンドを成長させる方法は、ホルダーに種晶ダイヤモンドを入れ、単結晶ダイヤモンドが１１〜２０ ＭＰａ ｍ^1/2の破壊靱性を有するように約１０００℃から約１１００℃の温度で単結晶ダイヤモンドを成長させることを含む。
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