【課題】 光学素子または光学素子成形用金型の加工用などのダイヤモンド工具で、特に先端切れ刃が微小の工具であっても摩耗の進展が遅く、しかも折損しにくい超精密切削加工用ダイヤモンド工具を提案する。
【解決手段】 窒素濃度が１〜１００ｐｐｍの気相合成単結晶ダイヤモンドに切れ刃を形成したダイヤモンド工具とする。切れ刃は、直線状の第１の縁部と、第１の縁部に交差する方向に形成された第２の縁部と、第１の縁部の端部と第２の縁部の端部とを結ぶ円弧状の第３の縁部とを有し、第１の縁部と前記第２の縁部とがなす角は、４５°以下である工具や、切れ刃の長さが１ｍｍ以下でかつ切れ刃は自由曲線、円弧、直線のいずれかを組み合わせた総形形状の切れ刃である工具であっても、折損しにくく摩耗も進展しにくいので、工具寿命を大幅に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】簡便に行え、基体の硬さや形状によらず、良好なダイヤモンド膜の形成を可能にする前処理、及びダイヤモンド膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】基体５にリード線１１を接続し、基体５を前処理液１３に浸漬する。前処理液１３は、微粒子を、電解質を濃度１Ｍで含む電解質溶液に懸濁させたものであり、微粒子の量は、電解質溶液１００ｍｌあたり、０．２５〜０．３５ｇである。次に、電源３を用い、基体５とルツボ９との間で通電し、電解処理を行う。通電は、交流または直流である。通電の条件は、交流の場合には、電圧１０Ｖ、周波数６０Ｈｚ、通電時間１分間であり、直流の場合には、電圧１２Ｖ、通電時間３０秒間である。その後、基体５の表面にダイヤモンド膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによって製造されるダイヤモンド構造体側壁の表面粗さの制御方法を提供する。
【解決手段】試料ホルダーＰ５に保持されたダイヤモンド試料Ｐ１をドライエッチングする方法において、ダイヤモンド試料Ｐ１と試料ホルダーＰ５の間に第3の層Ｐ３を形成して、ダイヤモンド試料Ｐ１の側壁の表面粗さを制御する。また、エッチングガス雰囲気中におけるダイヤモンド試料Ｐ１の表面温度を−１５０〜８００℃の範囲で制御する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法で基板表面に合成したダイヤモンド膜に対して、レーザの使用により従来に比較して安定に平滑化加工する技術を提供する。
【解決手段】加工点近傍のダイヤモンド膜１２の表面の法線１５に対して８０°以上９０°未満の角度でレーザ４を照射し、レーザ４の反射効果を利用してダイヤモンド膜表面を安定に平滑化加工する。レーザ４にはＹＡＧレーザの第５高調波を用いる。さらに、減圧下でレーザを照射する。また、レーザ４のビーム径をビームエクスパンダ２で広げてから、アパチャ３で強度の均一な部分を切り出し、均一性の良いレーザをダイヤモンド膜表面に集光させる。さらに、ダイヤモンド膜１２上で反射したレーザ４を検出することにより、加工が完了したと判定する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上の任意の場所にダイヤモンドの薄膜を合成する方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板４にダイヤモンドを合成する方法であって、（Ａ）所望の形状にマスキングする工程、（Ｂ）ダイヤモンドパウダーによりガラス基板４表面を傷つける工程、（Ｃ）内部に加熱手段を有する密閉されたチャンバ内にガラス基板４を設置し、チャンバ内に水素及びダイヤモンドの炭素源としての液体炭素源を導入する工程、（Ｄ）加熱手段２にて加熱し、液体炭素源から炭素を蒸発させてガラス基板４上にダイヤモンドとして析出させる工程を有するダイヤモンドの合成方法である。 （もっと読む）

【課題】切削工具、耐磨工具等の機械的用途、及び半導体材料、電子部品、光学部品等の機能品用途に適したダイヤモンド単結晶及びその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶全体にわたり、波数１３３２ｃｍ^−１（波長７．５μｍ）のピーク吸収係数が０．０５ｃｍ^−１以上１０ｃｍ^−１以下である化学気相合成法により得られたダイヤモンド単結晶であり、この単結晶は化学気相合成時の気相における元素の組成比率を、水素原子に対する炭素原子濃度が２％以上１０％以下かつ、炭素原子に対する窒素原子濃度が０．１％以上６％以下かつ、炭素原子に対する酸素原子濃度が０．１％以上５％以下とすることによって得られる。 （もっと読む）

【課題】比較的深い溝、穴及び貫通孔が精度良くダイヤモンドに形成可能なダイヤモンド構造体の製造方法とダイヤモンド構造体とを提供すること。
【解決手段】積層体５４に含まれる第２層５８〜第５層６４は、第１層５６に対するウェットエッチングに対しエッチング耐性のある材料から成り、第５層６４は、第２層５８〜第４層６２に対しドライエッチングが行われる場合、各ドライエッチングに対してエッチング耐性のある材料から成る。 （もっと読む）

【課題】 基材の表面にダイヤモンド膜が被覆されたダイヤモンド膜被覆部材におけるダイヤモンド膜の密着力を評価する場合に、ダイヤモンド膜被覆部材の形状に関わらず、正確かつ容易にしかも低いランニングコストで評価できる膜密着力の評価方法及び評価装置を提供する。
【解決手段】 ダイヤモンド膜被覆部材１をステージ２に固定し、レーザー発振部３より発振されたレーザー８をレーザー照射部４で照射方向を制御しながらダイヤモンド膜被覆部材１に照射する装置を使い、ダイヤモンド膜１ａ表面の一部にレーザー８を照射し、ダイヤモンド膜１ａを除去した後、ダイヤモンド膜１ａが除去された面積を測定し、この面積の値を元に膜密着力を評価する。 （もっと読む）

【課題】３次元形状試料に対して、均一に気相合成ダイヤモンド膜を効率良くコーティングするための装置を提供する。
【解決手段】熱フィラメント法による気相ダイヤモンド膜のコーティング方法において、コーティング装置の内部に、加熱用フィラメント１、加熱用フィラメント１の近傍に配置した被コーティング試料４及びフィラメント加熱用の上部電極と下部電極を配置し、コーティング装置本体に上部電極を固定すると共に、該上部電極にフィラメント１の上端部を固定し、フィラメント１の下端部を移動自在な下部電極に固定して、下部電極がフィラメント１により吊持された状態とし、下部電極の重量及びフィラメント１の自重によりフィラメント１を緊張させると共に、該緊張したフィラメント１を通電加熱し、かつダイヤモンド原料となるガスを供給して、ダイヤモンド膜を試料４に気相ダイヤモンド膜をコーティングする。 （もっと読む）

【課題】 単結晶ダイヤモンドを有するダイヤモンド製品を製造する場合に、ダイヤモンドの形状が複雑であっても、表面欠陥の少ないダイヤモンド製品の製造方法を提案する。
【解決手段】 ダイヤモンド研磨するにあたり、ダイヤモンドを機械研磨し、その後、大気中で加熱されて酸化銅が形成された銅板を前記ダイヤモンドに静的に接触させ、所定時間その状態を保持してダイヤモンドを摩耗させることにより、ダイヤモンド表面のマイクロクラックを除去して高品位なダイヤモンド製品を製造する。銅板の表面粗さは、機械研磨されたダイヤモンドの表面粗さ以下とするのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】気相合成法によってダイヤモンド単結晶を成長させる方法において、規則正しい成長面を有し、かつ不純物含有が非常に少ない高品質のダイヤモンド単結晶を比較的簡単な方法によって製造することが可能であり、大型ダイヤモンド単結晶の合成方法として有効に利用できる新規なダイヤモンド単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波ＣＶＤ法によってダイヤモンド単結晶を成長させる方法であって、種結晶としてダイヤモンド(110)基板を用い、原料ガス流量比を、水素１００に対してメタン０．２〜２０、窒素０．１２未満とし、CVDチャンバー内の圧力を１３ｋＰａ〜３３ｋＰａ、成長温度を９５０℃〜１２５０℃として結晶成長を行うことにより、ダイヤモンド単結晶の（110）面に平行であって、最大高さが１〜１０μｍの表面粗さの成長面を有するダイヤモンド単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】異種単結晶基板の上に成長したダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜の特性を改善し、単結晶に近づける方法を提供する。
【解決手段】異種単結晶基板の上に成長するダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜上に、１カ所もしくは複数箇所の凸部を形成し、形成した凸部を起点としてダイヤモンドをステップフロー成長させる。凸部の形成は、対応部分の選択成長により、もしくは、他の部分をレーザ加工やウェットあるいはドライエッチングすることにより形成される。また、ステップフロー成長は比較的低メタン濃度、高温での成長により得ることができる。 （もっと読む）

本発明は、Ｘ線トポグラフィーにより特徴付けられる拡張欠陥密度が、０．０１４ｃｍ^２を超える面積にわたって４００／ｃｍ^２未満である、単結晶ＣＶＤダイヤモンド材料に関する。本発明は、更に、基板が、０．０１４ｃｍ^２を超える面積にわたって４００／ｃｍ^２未満の、Ｘ線トポグラフィーにより特徴付けられる拡張欠陥の密度；０．１ｍｍ^３を超える容量にわたって１×１０^−５未満の光学等方性；及び２０アーク秒未満の、（００４）反射に対するＦＷＨＭ Ｘ線ロッキングカーブ幅の少なくとも１つを有する、その上でＣＶＤ単結晶ダイヤモンドを成長させるための基板を選択する工程を含む、前請求項のいずれかに記載のＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料の製造方法に関する。
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本発明は、速い成長速度で製造される無色の単結晶ダイヤモンドの新たな利用および用途を対象とする。本発明はまた、速い成長速度で様々な色の単結晶ダイヤモンドを製造する方法、ならびにこのような着色した単結晶ダイヤモンドの新たな利用および用途も対象とする。
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【解決手段】 極めて微細な結晶粒径の焼結多結晶ダイヤモンド（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａ
ｌｌｉｎｅ ｄｉａｍｏｎｄ ｍａｔｅｒｉａｌ：ＰＣＤ）材料は、高圧／高温（ｈｉｇ
ｈ ｐｒｅｓｓｕｒｅ／ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ：ＨＰ／ＨＴ）処理下で、事
前に混合する触媒金属とともにダイヤモンド粉末を焼結することにより作製する。前記Ｐ
ＣＤ材料は、焼結後の平均ダイヤモンド結晶粒構造寸法が１．０μｍ未満である。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも約３０ＭＰａ ｍ^1/2の靭性を有するマイクロ波プラズマ化学気相析出によって成長させた単結晶ダイヤモンドに関する。本発明は、少なくとも約３０ＭＰａ ｍ^1/2の靭性を有する単結晶ダイヤモンドを生成する方法にも関する。本発明はさらに、単結晶ＣＶＤダイヤモンドを単結晶ダイヤモンド基材上に三次元で生成するプロセスに関する。
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本発明は、一実施形態では、合成ダイヤモンド、および複数の種ダイヤモンド上でそうしたダイヤモンドを成長させ、その成長ダイヤモンドにイオンを注入し、複数の種ダイヤモンドから成長ダイヤモンドを分離する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 切削バイト等の工具や掘削ビットとして十分な強度、硬度、耐熱性を有する緻密で均質なダイヤモンド単相の多結晶体を、低価格で提供することを目的とする。
【解決手段】 非ダイヤモンド型炭素物質を含む原料組成物を、超高圧高温下で焼結助剤や触媒の添加なしに直接的にダイヤモンドに変換焼結された、実質的にダイヤモンドのみからなる多結晶体であって、当該多結晶体が、最大粒径が１００ｎｍ以下かつ平均粒径が５０ｎｍ以下の微粒ダイヤモンド結晶と、粒径が５０ｎｍ以上かつ１００００ｎｍ以下の板状もしくは粒状の粗粒ダイヤモンド結晶との混合組織を有する高硬度ダイヤモンド多結晶体とする。 （もっと読む）

本発明は、ナノ粒子（４０）を有する層（１１０）を基板（１００）上に製造するための方法に関する。本発明の課題は、特別簡単に実施でき、かつ製造すべき層の構成および組成に関し極めて大きな裁量の余地を提供する、ナノ粒子を含有する層を製造するための方法を提供することである。この課題は、第１プロセス室（１０）内でナノ粒子（４０）を遊離させ、ナノ粒子流（５０）を生成し、該ナノ粒子流（５０）を第２プロセス室（８０）内に誘導し、ナノ粒子（４０）を第２プロセス室（８０）内で基板（１００）上に堆積させることによって解決される。
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【課題】 母材型基板を用いてダイヤモンド部品を製造する際に、ダイヤモンド部品のサイズが大きい場合や形状が複雑である場合にも、母材型基板から短時間でダイヤモンド部品を分離回収することができる方法を提供する。
【解決手段】 母材型基板上に中間犠牲層を被覆し、その上にダイヤモンド層を堆積した後、エッチングにより中間犠牲層を除去してダイヤモンド部品を分離するに際して、母材型基板として多孔質体を用いるか、エッチング溶液に超音波振動を印加する。また、電解溶液に浸漬して電気分解することにより、中間犠牲層を電解除去することもできる。 （もっと読む）