【課題】大口径のＣ面を有する窒化物半導体や、ｍ軸方向に厚い窒化物半導体を効率よく簡便に製造することができる実用的な製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶系の結晶構造を有するシード１０、窒素元素を含有する溶媒、周期表１３族金属元素を含む原料物質９、及び鉱化剤を入れたオートクレーブ３内の温度および圧力を、溶媒が超臨界状態及び／又は亜臨界状態となるように制御してシード１０の表面にアモノサーマル的に窒化物半導体を結晶成長させる工程を含む窒化物半導体の製造方法において、シード１０上のｍ軸方向の結晶成長速度をシード１０上のｃ軸方向の結晶成長速度の１．５倍以上にする。 （もっと読む）

超臨界アンモニアと窒素の混合ガス中でＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法と、この方法で成長されたＩＩＩ族結晶。ＩＩＩ族窒化物結晶は、超臨界アンモニア中の反応容器の中で、多結晶のＩＩＩ族窒化物、非晶質ＩＩＩ族窒化物、ＩＩＩ族金属、またはこれらの混合物である原材料または栄養剤と、ＩＩＩ族窒化物単結晶である種結晶を用いて成長される。高品質ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるために、結晶化温度は５５０℃以上に設定される。理論計算によれば、この温度でのＮＨ₃分解はかなり大きいことが示される。しかしながら、ＮＨ₃分解は反応容器をＮＨ₃で充填した後に更なるＮ₂圧力を加えることによって回避できる。
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ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＩｎＧａＮおよびＡｌＧａＮＩｎＮの１つから選択される窒化物結晶および結晶組成物を成長させる方法が提供される。この組成物は、単一の核から成長し、直径が少なくとも１ｍｍであり、横歪みおよび傾斜境界がなく、約１０^４ｃｍ^−２未満の転位密度を有する真の単結晶を含む。 （もっと読む）

安熱法という成長技術を用いて、窒素面またはＭ面を有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物薄膜を成長する方法が開示される。この方法は、耐圧釜を用いるステップと、耐圧釜を加熱するステップと、耐圧釜にアンモニアを導入するステップとを含み、平坦な窒素面またはＭ面の窒化ガリウムの薄膜及びバルクＧａＮを作製する。
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【課題】波長２００ｎｍ以下のレーザ光照射を長期間にわたって照射した場合に生じるレーザ光の波長域での透過率の低下を抑制可能な人工水晶部材およびその製造方法の提供。
【解決手段】波長２００ｎｍ以下のレーザ光が照射される光学素子に用いられる人工水晶部材であって、人工水晶部材のＡｌ含有量が２００ｐｐｂ以下である人工水晶部材。また、Ａｌ含有量が２００ｐｐｂ以下およびＮａ含有量が１００ｐｐｂ以下である人工水晶部材。さらに、Ａｌ含有量が２００ｐｐｂ以下およびＬｉ含有量が１５０ｐｐｂ以下である人工水晶部材。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好な窒化物単結晶を速い速度で成長させる方法を提供する。
【解決手段】シード、窒素元素を含有する溶媒、周期表１３族金属元素を含む原料物質、および前記溶媒の１．５〜１５ｍｏｌ％の量の鉱化剤を入れたオートクレーブ内の温度および圧力を、前記溶媒が超臨界状態および／または亜臨界状態となるように制御して前記シードの表面にアモノサーマル法により窒化物単結晶を成長させる。 （もっと読む）

耐圧釜を用いて超臨界アンモニアの中で窒化ガリウム（ＧａＮ）結晶を成長する方法を開示する。大表面積のＧａＮ結晶が作られるが、それはカルシウム、マグネシウム、またはバナジウム、または１％未満のインジウムを含み得る。
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【課題】粒子径が２０ｎｍ以下の無機微粒子からなる高屈折率材料を提供する。
【解決手段】下記一般式；
（１−ｘ）ＴｉＯ_２・ｘＭＴｉＯ_３
（式中、ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｂａから選ばれる原子を表し、ｘは０．１〜０．９の数である）で表されることを特徴とする酸化チタン・チタン酸アルカリ土類複合微粒子、及びアルカリ土類金属イオンとチタニアゾルとを、超臨界又は亜臨界状態の水中にて水熱反応させることからなる、一次粒子径が２０ｎｍ以下であり、酸化チタンの光触媒活性を抑制した、高結晶性酸化チタン・チタン酸アルカリ土類複合微粒子の製造方法。
【効果】光学用ポリマーとの複合化によりポリマーの透明性を低下させることなく高屈折率光学材料を製造し、提供することができる。 （もっと読む）

【課題】固体状の鉱化剤の溶媒に対する溶解速度を制御し、溶媒中の鉱化剤の溶解度をコントロールすることで、結晶の成長速度を好適に維持し、鉱化剤や種結晶等の寿命を延ばすことができる結晶製造方法および結晶製造装置を提供する。
【解決手段】反応容器中で、（１）超臨界状態および／または亜臨界状態の溶媒、並びに、（２）固体状の鉱化剤を用い、結晶を成長させる結晶製造方法であって、前記鉱化剤の前記溶媒との全接触面積の合計が、前記反応容器の内部水平断面積の２〜８０％であることを特徴とする結晶製造方法およびこれに用いられる結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】溶媒の熱対流による原料の舞い上がりを防止し、粉体の原料を用いた場合であっても高品質な結晶を製造でき且つ原料効率の高い結晶製造方法および結晶製造装置を提供する。
【解決手段】反応容器中で、（１）超臨界状態および／または亜臨界状態の溶媒、並びに、（２）原料を用い、結晶を成長させる結晶製造方法であって、前記反応容器は前記原料を充填する原料充填部としてるつぼを備え、且つ、前記るつぼへの原料の充填量がｈ≧Ｄ／２（ｈはるつぼの上端から充填した原料上面までの距離、Ｄはるつぼの内直径）を満たす、或いは、前記るつぼが一つ以上の開口部を有する蓋を有することを特徴とする結晶製造方法およびこれに用いられる結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】アモノサーマル法による単結晶窒化物の製造において、原料としての窒化物含有成型体ならびにこれを用いた単結晶窒化物の製造方法を提供する。
【解決手段】周期表第１３族元素の窒化物と鉱化剤とを含有する窒化物含有組成物をプレス成型等により窒化物含有成型体Ｂを成型する。つづいて、該窒化物含有成型体Ｂと種結晶Ａとを、超臨界状態のアンモニア及び／又はアンモニア誘導体（溶媒Ｃ）中に配置することにより、窒化物含有成型体Ｂを構成する窒化物含有組成物を超臨界状態のアンモニア及び／又はアンモニア誘導体に溶解し、溶解した窒化物含有成型体Ｂを種結晶Ａに供給して結晶育成する。 （もっと読む）

【課題】 強誘電特性を示すタンタル酸カリウム微結晶及び薄膜の製造方法、この製造方法により得られた強誘電材料用タンタル酸カリウム微結晶及び薄膜、及びその応用製品を提供する。
【解決手段】 酸化タンタルを、低濃度の酸化カリウム水溶液と混合して、超臨界水熱条件下で水熱処理をすることにより、基本構造が、次の一般式；
Ｔａ_２Ｏ_５・ｘＫ_２Ｏ （式中、ｘは、０．９〜１．１の数である。）
で表される、強誘電材料用タンタル酸カリウム微結晶及び薄膜を製造する方法、この方法により得られた、強誘電材料用のタンタル酸カリウム微結晶及び薄膜、及び薄膜部材を構成要素として含むことを特徴とする強誘電・圧電機能が付加された製品。 （もっと読む）

高品質のＩＩＩ族窒化物バルク単結晶を成長する方法を開示する。ＩＩＩ族窒化物バルク結晶は、粒径が少なくとも１０μｍ以上のＩＩＩ族窒化物多結晶あるいはＩＩＩ族金属である原材料すなわち栄養素と、ＩＩＩ族窒化物単結晶である種結晶とを用いて、超臨界アンモニア中で耐圧釜において成長される。ＩＩＩ族窒化物多結晶は６００℃以上の還元雰囲気で熱処理することによって、前に行った安熱法工程で用いたものを再利用することができる。耐圧釜はアンモニアで満たされた内室を備えている。そこでは、耐圧釜が加熱されてアンモニアが超臨界状態になると、アンモニアは内室から耐圧釜の中へ放出され、超臨界アンモニアの対流が原材料を輸送して、輸送された原材料を種結晶上に堆積するが、原材料の未溶解粒子が輸送され種結晶上に堆積することを防ぐ。
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【課題】 青色発光ダイオードなどに利用する結晶基板に水晶基板を用いたときに、工程で加熱することにより結晶の転移を原因とするクラックや破損を解決するためになされた。
【解決手段】 本発明では、発光ダイオードなどのＭＯＣＶＤでキューリー点を超える温度に加熱されたときに生じる、結晶構造の変化を受けないようにするため、α水晶に戻らないようにβ水晶のままとするため水晶結晶内にAlイオンと１族金属イオン、例えばＬｉ等のイオンを水熱合成法により取り込まれることにより解決した。 （もっと読む）

【課題】各種デバイス用基板として有用な高純度で均一な六方晶系ウルツ鉱型単結晶を提供する。
【解決手段】柱状の種結晶から少なくともｍ面について結晶成長させることによって得られたＡＸ（Ａは陽性元素、Ｘは陰性元素）で表される六方晶系のウルツ鉱型化合物単結晶であって、陽性元素Ａ以外の金属のうち２価の金属および３価の金属の濃度が１０ｐｐｍ以下でかつ、それらの濃度のばらつきがいずれも１００％以内である結晶。 （もっと読む）

高圧高温処理条件下で、実質的に空気を含まない環境中に１種以上の反応体及び超臨界流体を収容するためのカプセル。本カプセルは、閉鎖端、閉鎖端に接して閉鎖端から延在する１以上の壁体、及び閉鎖端の反対側で１以上の壁体に接する封鎖端を含んでいる。１以上の壁体、閉鎖端及び封鎖端は、反応体と、高温及び高圧で超臨界流体になる溶媒とを収容するための内室を内部に画成する。本カプセルは変形可能な材料で形成されており、流体不透過性であると共に、処理条件下で反応体及び超臨界流体に対して化学的に不活性である。処理条件は、一般に５ｋｂａｒ及び５５０℃を超え、好ましくは５〜８０ｋｂａｒの圧力及び５５０〜約１５００℃の温度にある。本発明は、カプセルに溶媒を充填してカプセルを密封する方法並びにカプセルを密封するための装置も包含する。
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約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された１以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）及びレーザーダイオード（ＬＤ）用途のような照明用途、並びにＧａＮを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に１以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイスも提供される。
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【課題】単結晶原料の単結晶育成用溶液への溶解速度を一定にする。
【解決手段】スラリー状原料にバインダを混合してバインダ混合原料を作製する（ステップＳ６）。ステップＳ６において作製したスラリー状のバインダ混合原料を脱水状態にさせ（ステップＳ７）、その後にスラリー状のバインダ混合原料を乾燥させる（ステップＳ８）。ステップＳ８において乾燥させたバインダ混合原料の粒を一定に揃えてバインダ混合原料の各位置における密度を均一にさせる（ステップＳ９）。そして、ステップＳ９の後、バインダ混合原料を、予め設定した形状寸法に成形する（ステップＳ１０）。ステップＳ１０により成形したバインダ混合原料を焼成して、焼成体５２を形成する（ステップＳ１１）。 （もっと読む）

【課題】単結晶原料から単結晶を育成する際に、単結晶原料の表面から浮遊して発生する微結晶を抑制する。
【解決手段】原料を焼成装置を用いて焼成し、焼成体を形成する（焼成工程）。そして、焼成工程において形成した焼成体を、再度、焼成工程より低い温度で焼成して、焼成体を形成する（第２の焼成工程）。次に、焼成工程及び第２の焼成工程において焼成させた焼成体の表面の表面処理を行う（表面処理工程）。ここでいう表面処理は、エッチング溶液を用いた化学的エッチングにより行われる（エッチング手段）。そして、表面処理された焼成体を、分割線Ａに沿って多数個に切断して、複数個の単結晶原料５が作製される。 （もっと読む）

【課題】 ０．５ｍｍ以上のシリカ多孔体結晶を再現性よく、効率的に合成する方法を提供する。
【解決手段】 水熱反応によりシリカ多孔体結晶を合成する方法において、水熱合成容器内の一部に珪素の高濃度領域を形成し、シリカ多孔体結晶の骨格構成元素の一部または全部の供給源として、珪素および酸素を含む化合物からなり、表面平滑化処理したバルク体を、少なくともその一部が前記珪素の高濃度域内にあるように存在させて水熱反応を行うことを特徴とするシリカ多孔体結晶の製造方法。 （もっと読む）