本発明は、単結晶ワイヤおよびその製造方法を開示する。この方法は、金、銅、銀、アルミニウムおよびニッケルよりなる群から選択された少なくとも１種の金属を成長坩堝に収容させる段階と、成長坩堝に収容された金属を加熱して溶融させる段階と、金属結晶をシードとして用いてチョコラルスキまたはブリッジマン方法によって単結晶を成長させる段階と、育成された単結晶を放電加工を用いて切断する段階と、切断された前記単結晶を線材に形成させる段階とを含んでなる。本方法において、前記育成された金属単結晶は放電加工によって円形欠片に形成し、前記欠片はワイヤカット放電加工によって単結晶ワイヤに形成する。前記単結晶ワイヤは、指輪、パンダント、またはオーディオと映像機器間を連結する高品位ケーブル内部の線材として活用される。また、放電加工によって円形欠片に形成された単結晶は、基板および蒸着用ターゲットとして用いられる。 （もっと読む）

本発明は、式Ａ_eＬｎ_fＸ_(3f+e)（この式のＬｎは一つ以上の希土類を表し、ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩのうちから選ばれる一つ以上のハロゲン原子を表し、そしてＡはＫ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ又はＣｓなどの一つ以上のアルカリを表し、ｅはゼロであってもよいが３ｆ以下であり、ｆは１以上である）の多結晶性ハロゲン化物ブロックであり、水とオキシハロゲン化物の含有量が少ない多結晶性ハロゲン化物ブロックの作製方法に関する。該方法は、少なくとも一つのＬｎ−Ｘ結合を有する少なくとも１種の化合物と、所望のオキシハロゲン化物含有量を得るために十分な量のＮＨ₄Ｘとの混合物を加熱する工程であり、結果として希土類ハロゲン化物を含む溶融物を生じさせる加熱工程を含み、この加熱工程の後には冷却工程が続き、前記加熱工程は、３００℃に到達した後は、前記溶融物が得られる以前には２００℃よりも低い温度に決して低下しない。結果として得られるブロックは、並外れたシンチレーション特性を備えた非常に純粋な単結晶の成長を可能にする。 （もっと読む）

【課題】 構造欠陥密度が低減され、真空紫外光照射時の透過率低下が少ないフッ化物単結晶の製造方法であって、結晶成長段階での精密制御を必要としない製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】 ルツボに充填したフッ化物を真空炉内で加熱してフッ化物融液とする融解工程と、フッ化物融液から一酸化炭素(ＣＯ)を除去する一酸化炭素除去工程と、一酸化炭素除去工程を経たフッ化物融液を冷却して結晶化する結晶化工程と、を有する製造方法によりフッ化物単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】 多結晶化を防止してフッ化カルシウムの単結晶を確実に育成することができる結晶育成ルツボ、結晶の製造方法及びフッ化カルシウム結晶を提供する。
【解決手段】 フッ化カルシウムを溶融して冷却することによりシードの結晶面に沿って結晶に育成するためのルツボであって、ルツボ内面がタンタルカーバイト（TaC）により構成されており、ルツボ内面と水滴との接触角が１５０°以下であることを特徴とするフッ化カルシウム結晶育成ルツボ、フッ化カルシウム結晶の製造方法及びフッ化カルシウム結晶。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造時のパターン露光に使用する光リソグラフィー装置（ステッパー）用のレンズ材料や、各種エキシマレーザー装置用窓材などに使用する真空紫外光透過材料を得るためのフッ化物単結晶の製造法を提供する。
【解決手段】 ルツボ内凝固によるフッ化物の単結晶製造において、ルツボ下部に製造目的とする単結晶の成長面形状と同一の形状を有する種結晶を設置し、結晶成長中において成長面形状を変化させることなく、かつ、種結晶の結晶面方位を継承させた単結晶を得る。さらに、ルツボの底面を除く内壁材質がフッ化物よりも熱伝導度が小さい耐熱性断熱材で、ルツボおよび耐熱性断熱材の材質がカーボンである。 （もっと読む）

【課題】 多結晶化を防止してフッ化カルシウムの単結晶を確実に育成することができる結晶育成ルツボ、結晶の製造方法及びフッ化カルシウム結晶を提供する。
【解決手段】 フッ化カルシウムを溶融して冷却することによりシードの結晶面に沿って結晶に育成するためのルツボであって、ルツボ内面が窒化ホウ素（BN）により構成されており、ルツボ内面と水滴との接触角が１５０°以下であることを特徴とするフッ化カルシウム結晶育成ルツボ、フッ化カルシウム結晶の製造方法及びフッ化カルシウム結晶。 （もっと読む）

【課題】 多結晶化を防止してフッ化カルシウムの単結晶を確実に育成することができる結晶育成ルツボ、結晶の製造方法及びフッ化カルシウム結晶を提供する。
【解決手段】 フッ化カルシウムを溶融して冷却することによりシードの結晶面に沿って結晶に育成するためのルツボであって、ルツボ内面がニオブカーバイト（NbC）により構成されており、ルツボ内面と水滴との接触角が１５０°以下であることを特徴とするフッ化カルシウム結晶育成ルツボ、フッ化カルシウム結晶の製造方法及びフッ化カルシウム結晶。 （もっと読む）