【課題】Ｓｉインゴット結晶の製造に際し、融液内成長においてSiインゴット結晶を大きく成長させることができるとともに、歪みが十分低減され、かつ生産効率が良いＳｉインゴット結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉインゴット結晶のルツボ融液内成長において、融液上部よりも下部の方が高温となる温度分布を有するＳｉ融液の表面近傍でＳｉ種結晶を用いて核形成させ、Ｓｉ種結晶からＳｉ融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を成長させる第１の工程と、成長したインゴット結晶の一部を融液内から融液と分離しない程度に引き上げる第２の工程と、融液内に残った結晶からＳｉ融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を引き続き成長させる第３の工程とを含み、上記第２及び第３の工程を順次複数回繰り返してインゴット結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】製造装置から排出され、減圧ポンプの故障原因となる排気中の微粉体を効率よく除去できる保護フィルター装置を提供する。
【解決手段】保護フィルター装置(10)を、内部空間(19)を有するケーシング(12)と、ケーシング(12)内に微粒子を含む排気(H)を導入する排気導入管(14)と、ケーシング(12)内における排気導入管(14)の開口部において、排気導入管(14)の中心軸線(CL)上に回転可能に保持された回転体(16)と、ケーシング(12)内において、回転体(16)を介して排気導入管(14)の開口部に正対配置されており、少なくとも表面側に微粒子捕集液(L)を含んでいる無端ベルト(18)とで構成し、無端ベルト(18)の表面を回転体(16)に接触させて、無端ベルト(18)が回転することによって回転体(16)を回転させる、無端ベルト(18)の表面側における微粒子捕集液(L)を回転体(16)の表面に塗布することにより上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】結晶中への気泡の混入をより高いレベルまで防ぐことができる結晶成長方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る結晶成長方法は、固体原料を融解して溶融原料を製造する溶融工程の後、結晶を成長させる結晶成長工程の前に、溶融原料が突沸しない圧力まで減圧し、又は突沸しない温度まで昇温し、前記溶融原料に混入している気泡を前記溶融原料から放出させる脱気工程を有する。前記減圧による到達圧力は５〜２０Ｔｏｒｒが好ましい。前記溶融原料は予め融解された状態で結晶成長用坩堝に供給され、前記脱気工程は、前記溶融原料が前記結晶成長用坩堝に供給される前に行なわれてもよい。前記脱気工程において、前記溶融原料が攪拌されてもよく、この場合の攪拌は、前記溶融原料を収容する坩堝の上方に、前記溶融原料の液面に対し進退自在に設けられた石英棒で行われてもよい。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるフッ化金属単結晶体の製造方法において、単結晶引き上げ完了後、単結晶体とされずに坩堝内に残存した原料フッ化金属のリサイクル方法を提供する。
【解決手段】好ましくは四フッ化炭素などのフッ素系ガスからなる気体スカベンジャーを用いて、回収した原料フッ化金属の精製を行う。該精製は、フッ素系ガスの存在下に原料フッ化金属の溶融後、一旦、真空排気し、その後再度のフッ素系ガスの導入と真空排気との繰り返しによって行うことが特に好ましい。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内に配置された坩堝に残存する残存シリコン融液を除去して冷却過程における坩堝の割れを防止し、坩堝の再利用を図ることが可能な残存シリコン融液の除去方法、単結晶シリコンの製造方法、単結晶シリコンの製造装置及び残存シリコン融液吸引器を提供する。
【解決手段】チャンバ１１の内部に配置された坩堝２０内に残存したシリコン融液Ｍを除去する残存シリコン融液の除去方法であって、吸引した残存シリコン融液が貯留される貯留空間を備えた本体部７２と前記貯留空間に連通するノズル部とを備えた残存シリコン融液吸引器７０を、ノズル部が坩堝２０内の残存シリコン融液Ｍに浸漬されるようにして配置し、チャンバ１１内にガスを導入してチャンバ１１内の圧力を昇圧し、チャンバ１１内と前記貯留空間内との差圧によって、残存シリコン融液Ｍを前記貯留空間へと吸引することを特徴する。 （もっと読む）

【課題】サイクロンの圧力損失を抑えながら、集塵効率を向上させ、分離径の小型化が可能なサイクロン集塵装置を提供する。
【解決手段】サイクロン本体３１の直筒状胴体部３３のガス導入口３６付近に、ガス排気管３７より径が大きく流入したガスの流路を規制するような内筒３８を配置する。ガス導入口３６から流入したガスは、この内筒３８と直筒状胴体部３３との間の流路３９を通過して、サイクロン本体３１内を旋回しながら徐々にダストチャンバ３２方向に流れる。サイクロン本体３１の下部では、逆流防止部材としてのテーパー部４４が設けられた排気誘導管４２の周囲を通過してダストチャンバ３２に流入する。ここで、粉塵が分離、捕集され、ガスのみが排気誘導管４２、サイクロン本体３１の中央部及びガス排気管３７を介して、排気管２０ｂから排気される。
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【課題】単結晶シリコン原料として使用されないシリコン原料を精製して、単結晶シリコン製造用結晶原料又は単結晶シリコンインゴット（シリコン単結晶）を製造する方法を提供する。
【解決手段】（ａ）において、シリコン原料１３をルツボ１ａ内で溶融した後、この溶融液１１からＣＺ法によりシリコンインゴット５ａを育成する際に、育成されるシリコンインゴット５ａとシリコン溶融液１１間に電圧を印加し、単結晶シリコン製造用結晶原料５ａを製造する。また、（ｂ）においては、シリコン原料１３を溶融して育成した原料用シリコンインゴット５ｂを溶解した後、このシリコン溶融液からＣＺ法により単結晶シリコンインゴット１４を引上げる際に、育成される単結晶シリコンインゴット１４とシリコン溶融液間に電圧を印加する。シリコンインゴット５ａ，１４を正極（＋極）とし、＋５０Ｖ以下の電圧を印加するのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体用のシリコン原料が不足する事態に対応できるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶４を引き上げた後、ルツボ１内に残存する融液３ａのシリコン凝固物３ｂを得る。このシリコン凝固物３ｂをシリコン原料８の一部に代えてルツボ１内に仕込み、これらを溶融させた融液３からシリコン単結晶４を引き上げる。シリコン凝固物３ｂの配合率は、シリコン凝固物３ｂを得るための単結晶育成における引き上げ終了時点での固化率に基づいて算出する。 （もっと読む）

【課題】高価な窒素ドーパント用原料の使用量を十分に低減して、製造コストの抑制を実現できるチョクラルスキー法（ＣＺ法）による窒素ドープシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】窒素ドープシリコン単結晶４を引き上げた後にルツボ１内に残存する融液３ａの凝固物３ｂを洗浄して破砕し、破砕物１０を得る。この破砕物１０を窒素ドーパント用原料としてシリコン原料８とともにルツボ１内で溶融し、この融液３から窒素ドープシリコン単結晶４を引き上げる。 （もっと読む）

【課題】るつぼ内で凝固してるつぼの内面に付着した酸化アルミニウムを十分且つ効率的に取り除くことが可能な方法及びこれを用いたるつぼ再生方法を提供する。
【解決手段】るつぼ２０内で凝固してるつぼ２０の内面に付着した酸化アルミニウム（除去対象物質Ｓ）の除去方法であって、るつぼ２０内に酸化カルシウムを供給する供給工程と、るつぼ２０を加熱してるつぼ２０内の酸化アルミニウムＳ及び酸化カルシウムを融解させた後、冷却してるつぼ２０内に混合固体を得る熱処理工程と、機械的処理もしくは化学的処理、又はこれらの両方の処理によって、るつぼ２０内の混合固体を取り除く除去工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】たとえ炉内のドーパント、ドーパント酸化物、アモルファスの排気管への流入が長期間続いたとしても、排気部材の内部表面への固着、アモルファス層の形成という現象を抑制することで、多大な工数を要する清掃作業を回避して、清掃作業を簡易かつ短時間で終了できる方法を提供する。
【解決手段】排気管２０等の排気部材の被処理面が、鉄鋼材料で構成されたものにおいて、排気部材の被処理面に、鉄よりも化学的活性度の高いクロムでメッキ処理、ないしは、フッ素樹脂添加無電解ニッケルメッキ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶引上げ後の石英ルツボおよび石英ルツボ内に残留した多結晶シリコンを、前記石英ルツボを支持した黒鉛ルツボを破壊することなく、その内から安全かつ効率的に回収する方法及びその装置を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶の引上げを終了した後、石英ルツボ２およびシリコン融液の残湯が冷却して固まった多結晶シリコン３を支持する黒鉛ルツボ１を左右開閉式のテーブル９の上に載置し、テーブル９を左右に機械的に開くことで２分割可能な黒鉛ルツボ１を左右に開かせ、黒鉛ルツボ１内に支持されていた石英ルツボ２および該石英ルツボ２内の多結晶シリコン３をテーブル９の下に設置した回収容器４内に落下させることで、石英ルツボ２及び多結晶シリコン３を回収する。 （もっと読む）

【課題】安定的に調達が可能なシリコン原料を用いて、半導体用のシリコン単結晶の製造に適した原料を効率良く製造できるシリコン単結晶製造用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボ１ａ内の融液３からＣＺ法によりシリコン単結晶４を引き上げる。その後、石英ルツボ１ａ内に残存している残存シリコン融液３ａに、シリコン単結晶製造用の原料として使用されないシリコン原料であるルツボ残シリコン塊８を供給して溶融し、この融液９からＣＺ法により原料シリコンインゴット１０を引き上げる。 （もっと読む）

【課題】 坩堝内で貯留される融液の表面に浮遊する異物を、容易にしかも確実に除去する異物除去方法を提供する。
【解決手段】 シリコン原料を坩堝５内で融解させてシリコン融液３を貯留する融解工程と、シリコン融液３の表面に浮遊する異物６をシリコン融液３表面の中心部に集めて、異物６周辺のシリコン融液３表面の一部を固化させて異物固化物を形成する固化物形成工程と、固化物形成工程で形成される異物固化物を回収する固化物回収工程とを含む異物除去方法とする。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法において、石英ルツボ割れを防止することができ、残融液の漏れを防ぐことができ、より安全にルツボ内残融液を固化できる方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボ４５内の融液をヒーター４７で加熱しつつ結晶を引上げた後の石英ルツボ４５内に残留した融液（残融液）の固化方法であって、結晶引上げ終了後、ルツボ４５とヒーター４７を相対的に昇降させて、ヒーター４７の発熱中心位置４８の高さを残融液表面４４から２０ｍｍ以内とする工程と、ヒーター４７への供給電力を停止する工程を含む。 （もっと読む）