【課題】引張強度の向上した膨張黒鉛シートを提供する。また、引張強度の向上した膨張黒鉛シートを炭素質ルツボの中敷として使用することにより、作業時間が格段に低減し、しかも、シートを破損することなくルツボの内面に隙間なく覆うことが可能であると共に、ルツボの大型化にも適した炭素質ルツボの保護方法並びに単結晶引き上げ装置を提供する。
【解決手段】膨張黒鉛シート１０は、膨張黒鉛材料からなる基材１１の少なくとも片面に、炭素繊維からなる補強材１２が積層状に形成されていることを特徴とする。上記膨張黒鉛シート１０を、石英ルツボと該石英ルツボが載置される炭素質ルツボとの間に介在させて炭素質ルツボの内面を覆う中敷に使用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法（ＣＺ法）による単結晶の製造において、ＬＴ（Ｌｉｆｅ Ｔｉｍｅ）低下やＬＰＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｐｏｉｎｔ Ｄｅｆｅｃｔ）異常の発生がない高品質の単結晶を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法による単結晶の製造方法において、単結晶１２を製造する炉内で使用する少なくとも一つの黒鉛部品のＮｉ濃度が３０ｐｐｂ以下の黒鉛部品を使用して前記単結晶１２を製造する。前記Ｎｉ濃度を分析して用いる黒鉛部品としては、例えば石英ルツボ５に直接に接する黒鉛ルツボ６を分析することが好ましく、さらに、黒鉛ルツボ６を介して石英ルツボ５と間接的に接するルツボ受皿７、及びペディスタル８の少なくとも一つも分析することがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】モリブデンルツボ内のサファイア融液への難溶解物の混入を防止する。
【解決手段】
ＣＺ法によるサファイア単結晶の製造方法であって、モリブデンルツボ１４をチャンバー１１内の還元性雰囲気中で熱処理し、表面の酸化膜を除去する空焼き工程と、モリブデンルツボ１４にサファイア原料を投入し、これを融解することによってサファイア融液２１を得る融解工程と、サファイア融液２１に浸漬した種結晶を引き上げることによってサファイア単結晶２０を得る引き上げ工程とを備える。還元性雰囲気は、水素濃度が１０ｐｐｍ以上５ｖｏｌ％以下の水素雰囲気とする。 （もっと読む）

【課題】金属坩堝を１０００℃以上の高温で使用するための坩堝炉において、高温時の坩堝近傍の雰囲気を制御すると共に、ルツボ内の温度制御の精密化、ルツボの長寿命化が可能となる坩堝炉を提供する。
【解決手段】１０００℃以上の高温において、金属坩堝４中で化合物の処理を行うための坩堝炉であって、坩堝４の周辺に耐熱性で着脱可能な薄い緻密質セラミックスからなる第一のスリーブ１を置き、該第一のスリーブ１の外側に断熱材からなる第二のスリーブ２並びに加熱装置３を置いたことを特徴とする坩堝炉である。 （もっと読む）

【課題】黒鉛ルツボに関する酸化消耗による肉厚低減と珪化（ＳｉＣ化）による問題を回避することが可能なルツボ装置、該ルツボ装置用加熱装置及び、それら装置で構成される単結晶引上げ装置を提供する。
【解決手段】単結晶引上げ装置１は、ルツボ装置３と、加熱装置１０とを備える。ルツボ装置３は、石英ルツボ５と、石英ルツボ５を下部で保持する黒鉛製受け皿６とから構成される。石英ルツボ５は、直胴部５ｃと底部５ａと該底部５ａから該直胴部５ｃに連なる曲面状部分５ｂとからなる。加熱装置１０は、ルツボ装置３の外周を囲むようにして配置されるヒータ１０と、ルツボ装置３とヒータ１１との間に介在され、ルツボ装置３の外周を囲むようにして配置される円筒状の炭素質材から成る介在部材１２とを備える。介在部材１２は、石英ルツボ５と微小隙間Ｍをあけて配置されている。 （もっと読む）

【課題】冷却時における石英ガラスルツボの食い込みを抑制でき、石英ガラスルツボを破壊することなく、石英ガラスルツボを容易に取り外すことができ、更には珪化を抑制できるルツボ及びこのルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】溶融材料を収容する石英ガラスルツボを支持、保持するために用いられる、底部と、前記底部の上方に設けられた直胴部とを有するルツボであって、前記底部が黒鉛材で形成されると共に、前記直胴部が、引張弾性率が４００ＧＰａ以上９００ＧＰａ以下のピッチ系炭素繊維を用いた炭素繊維織布を含む炭素繊維強化炭素複合材から形成され、かつ常温から８００℃に昇温した際の直胴部の周方向の平均線熱膨張係数が、石英ガラスの平均線熱膨張係数以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】冷却時における石英ガラスルツボの食い込みを抑制でき、石英ガラスルツボを破壊することなく、容易に取り外すことができ、更には珪化を抑制できる、特定の物性を有する炭素繊維強化炭素複合材からなる炭素繊維強化炭素複合円筒部材及び炭素繊維強化炭素複合円筒部材の製造方法、並びに炭素繊維強化炭素複合材ルツボ及びこのルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】溶融材料を収容する石英ガラスルツボを支持、保持するために用いられ、底部２２と、前記底部の上方に設けられた直胴部（円筒部材）２１とを有する炭素繊維強化炭素複合材ルツボ２０であって、少なくとも前記直胴部（円筒部材）が、引張弾性率が４００ＧＰａ以上９００ＧＰａ以下のピッチ系炭素繊維を用いた炭素繊維織布を含む炭素繊維強化炭素複合材から形成され、かつ常温から８００℃の温度域における直胴部の周方向の平均線熱膨張係数が、石英ガラスの平均線熱膨張係数以下である。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶引上げに用いられる石英ルツボを内側に装入して保持するカーボンルツボであって、強度特性に優れ、かつ、耐久性を向上させた炭素繊維強化炭素複合材ルツボを提供する。
【解決手段】周縁部に湾曲部１を有する底部２と、湾曲部１から上方に延びる直胴部３とを有する炭素繊維強化炭素複合材ルツボにおいて、少なくとも湾曲部１において、ルツボ最内層及び最外層が炭素繊維織物の積層体１１，１２からなり、これらの積層体１１，１２の間に少なくとも１層の膨張黒鉛シート２１が挟み込まれている構成とする。 （もっと読む）

【課題】装置が煩雑化することなく、カーボンルツボから発生した炭素含有ガスを効率よく炉体外に排出することができ、製造コストの増加を招くことがなく、低炭素濃度のシリコン単結晶を引上げることができるシリコン単結晶引上装置及びそれを用いたシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコン単結晶引上装置１は、石英ルツボ１０ａを内面に保持するカーボンルツボ１０ｂを備え、前記カーボンルツボ１０ｂの上端１０ｂａに積載されて設けられ、前記カーボンルツボ１０ｂの上端上方の第１空間Ｓ１を通過するキャリアガスＧの一部を遮蔽し、前記第１空間Ｓ１の下部であり前記カーボンルツボ１０ｂの上端直上の第２空間Ｓ２を通過するキャリアガスＧの流速を高める円筒形状の整流部を備えた整流部材４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】長寿命化を可能とした単結晶引き上げ装置用黒鉛ルツボ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボ１を保持する黒鉛ルツボ２は、黒鉛ルツボ成形体としての黒鉛ルツボ基材３と、黒鉛ルツボ基材３の表面全体に形成されたフェノール樹脂の炭素化物からなる被膜４とから構成されている。フェノール樹脂は黒鉛ルツボ基材３表面に存在する開気孔５の内部まで含浸されている。被膜４の形成は、黒鉛ルツボの表面の全体に限らず、ＳｉＣ化が進みやすい部分のみであってもよい。例えば、ルツボの内面だけ全体的に析出させるとか、内面のうち湾曲部（小Ｒ部）のみに、又は湾曲部と直胴部のみに析出させることも可能である。 （もっと読む）

【課題】長寿命化を可能とした単結晶引き上げ装置用黒鉛ルツボ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボ１を保持する黒鉛ルツボ２は、黒鉛ルツボ成形体としての黒鉛ルツボ基材３と、黒鉛ルツボ基材３の表面全体に形成された熱分解炭素被膜４とから構成されている。被膜４は黒鉛ルツボ基材３表面に存在する開気孔の内面まで生成されている。この被膜４はＣＶＩ法によって形成されたものである。被膜４形成は、黒鉛ルツボの表面の全体に限らず、ＳｉＣ化が進みやすい部分のみであってもよい。例えば、ルツボの内面だけ全体的に析出させるとか、内面のうち湾曲部（小Ｒ部）のみに、又は湾曲部と直胴部のみに析出させることも可能である。 （もっと読む）

【課題】半導体材料あるいは太陽電池材料等の単結晶あるいは多結晶を製造する装置において溶融材料を収容する石英ガラスルツボを支持、保持するために用いられる炭素ルツボであって、石英ガラスルツボを支持し変形を防止できるとともに、冷却後に石英ガラスルツボを容易に取り外すことができる炭素ルツボを提供する。
【解決手段】ルツボ底部を構成する架台部２と、架台部２に載置または嵌挿される筒状体３とを備えた炭素ルツボ１であって、架台部２が黒鉛材からなり、筒状体３は炭素繊維織布４が積層された炭素繊維強化炭素複合材からなり、筒状体３の一端部から他の一端部にかけて不連続部Ｆが設けられており、不連続部Ｆにおいて筒状体３の軸線に垂直な方向の少なくとも一部に炭素繊維強化複合材が存在し、かつ筒状体３の周方向に拘束力を発揮する構造を有する。 （もっと読む）

【課題】直胴部と受け皿部との境界部分からのＳｉＯガスの漏洩を防止し、ＳｉＣ化の早期進行を防止するようにしたカーボン製ルツボを提供する。
【解決手段】シリコン等の金属単結晶引上げ装置に使用される石英ルツボ４を保持するためのカーボン製ルツボ５であり、直胴部９と受け皿部１０とが分割されて構成されている。石英ルツボ４とカーボン製ルツボ５との間には、カーボン製ルツボ５の内面の、少なくとも直胴部９と受け皿部１０との境界部分Ａを覆うように、黒鉛質シート１１が配置されている。黒鉛質シート１１は膨張黒鉛シートである。 （もっと読む）

【課題】網状体の寿命の向上、石英ルツボからの外れ易さ、網状体への食い込み防止等に加えて、特に、融液の流れの乱れに起因した金属結晶の品質の低下を防止することができるルツボ保持部材を提供する。
【解決手段】直胴部９と受け皿部１０とが組み合わされ、金属単結晶引上げ装置に使用される石英ルツボ４を保持するルツボ保持部材であって、直胴部９は、炭素繊維強化炭素材から成り網状に織り込まれた網状体で構成され、石英ルツボ４と直胴部９との間には、少なくとも直胴部９の内面全体を覆うように黒鉛質シート１１が配置されている。黒鉛質シート１１は膨張黒鉛シートであるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】一般の黒鉛材料などの他部材と共に使用しても熱膨張差等の相互作用による割れが発生しにくく、反応性ガスによって炭化物が生成されても熱応力の発生による剥離及び／又は割れの生じにくいＣ／Ｃ複合材を提供する。
【解決手段】炭素繊維１と炭素質マトリックス２とを含む炭素繊維強化炭素複合材であって、前記炭素繊維は前記炭素質マトリックス内で素線状態で存在する、平均繊維長が１．０ｍｍ未満の直線状繊維であり、炭素繊維強化炭素複合材の嵩密度が１．２ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴とする炭素繊維強化炭素複合材。 （もっと読む）

【課題】高強度でかつ耐熱性の高いＣ／Ｃ複合材からなるＣ／Ｃ複合材成形体を提供する。
【解決手段】炭素繊維１と炭素質マトリックス２とを含むＣ／Ｃ複合材成形体１００であって、このＣ／Ｃ複合材成形体は、表面が３次元曲面１００ａあるいは複数の面１００ａ，１００Ｔの組み合わせで構成され、全体の組成が均一である連続体からなる殻状構造体３であり、炭素繊維１は、その長手方向が表面に沿って配向していることを特徴とするＣ／Ｃ複合材成形体。 （もっと読む）

【課題】黒鉛ルツボのＳｉＣ化、減肉（消耗）を抑制することで、長時間使用出来る黒鉛ルツボを提供することを目的とする。
【解決手段】ＣＺ法によりシリコン単結晶を製造する際に用いられるシリコン融液を収容する石英ルツボを支持する黒鉛ルツボであって、少なくとも、円周方向に２つ以上に分割された黒鉛ルツボ本体と、該黒鉛ルツボ本体の底部を一体的に保持する受け皿とを有し、
更に、前記黒鉛ルツボ本体の少なくとも分割面の上端部に、分割面へのガスの流入を防止するための保護カバーを具備するものであることを特徴とする黒鉛ルツボ。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶製造のための黒鉛ルツボであって、使用寿命の長い黒鉛ルツボを提供する。
【解決手段】ルツボのコーナ部にガス抜き孔が設けられていることを特徴とする。当該ガス抜き孔を通じて、石英ルツボと黒鉛ルツボとの反応により発生するガスを外に放散させて、黒鉛ルツボ表面でのＳｉＣ形成、ガス圧による石英ルツボ変形を防止する。 （もっと読む）

【課題】耐熱衝撃性に優れると共に耐久性に優れるルツボを提供すること。
【解決手段】ルツボ２は，石英からなる内層２１とカーボン材料からなる外層２２とを有し，溶融状態のシリコン３を保持する。また，外層２２は，曲げ強度をＳ［ＭＰａ］，ポアソン比をν［−］，弾性率をＥ［ＧＰａ］，熱膨張係数をα［１０^−６／Ｋ］，熱伝導率をｋ［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］，密度をρ［１０^３ｋｇ／ｍ^３］，比熱をｃ［Ｊ／（ｋｇ・Ｋ）］としたとき，Ｒ＝Ｓ・ｋ・（１−ν）／（Ｅ・α・ρ・ｃ）［Ｋ・ｍ^２／ｓ］で表される熱衝撃破壊抵抗係数Ｒが，０．０８以上であり，かつ，バインダーピッチとコークスを配合し混練してなる混和物を粉砕して得られた成形粉をラバープレス成形してなる。 （もっと読む）

【課題】液体封止剤を用いた単結晶引き上げ法（ＬＥＣ法）において、結晶成長条件の再現性を確保し、安定した単結晶歩留まりを得る化合物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】サセプタ４によって支持されるルツボ３内に原料６及び液体封止剤７を収容する収容工程と、前記ルツボ３を加熱し、前記原料６及び液体封止剤７を融解する融解工程と、前記ルツボ３内の原料融液６に種結晶２を接触させ、前記種結晶２を引き上げて結晶成長させて化合物半導体結晶１０を得る結晶成長工程と、前記結晶成長工程の前に前記ルツボ３と前記サセプタ４との間に予め設けておいた熱量調整部１１の肉厚を、原料６及び液体封止剤７と接触していたルツボ３内周面の損耗量に応じて補正する補正工程と、を有する。 （もっと読む）