【課題】金属坩堝を１０００℃以上の高温で使用するための坩堝炉において、高温時の坩堝近傍の雰囲気を制御すると共に、ルツボ内の温度制御の精密化、ルツボの長寿命化が可能となる坩堝炉を提供する。
【解決手段】１０００℃以上の高温において、金属坩堝４中で化合物の処理を行うための坩堝炉であって、坩堝４の周辺に耐熱性で着脱可能な薄い緻密質セラミックスからなる第一のスリーブ１を置き、該第一のスリーブ１の外側に断熱材からなる第二のスリーブ２並びに加熱装置３を置いたことを特徴とする坩堝炉である。 （もっと読む）

【課題】黒鉛ルツボに関する酸化消耗による肉厚低減と珪化（ＳｉＣ化）による問題を回避することが可能なルツボ装置、該ルツボ装置用加熱装置及び、それら装置で構成される単結晶引上げ装置を提供する。
【解決手段】単結晶引上げ装置１は、ルツボ装置３と、加熱装置１０とを備える。ルツボ装置３は、石英ルツボ５と、石英ルツボ５を下部で保持する黒鉛製受け皿６とから構成される。石英ルツボ５は、直胴部５ｃと底部５ａと該底部５ａから該直胴部５ｃに連なる曲面状部分５ｂとからなる。加熱装置１０は、ルツボ装置３の外周を囲むようにして配置されるヒータ１０と、ルツボ装置３とヒータ１１との間に介在され、ルツボ装置３の外周を囲むようにして配置される円筒状の炭素質材から成る介在部材１２とを備える。介在部材１２は、石英ルツボ５と微小隙間Ｍをあけて配置されている。 （もっと読む）

【課題】複数元素から成る半導体単結晶を溶液法により製造する装置であって、溶液を収容する坩堝の内底への多結晶晶出を低減できる製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】周囲からのエネルギー供給により加熱されまたは発熱する坩堝に収容した複数元素から成る半導体の溶液から、該半導体の単結晶を引き上げ成長させる半導体単結晶の製造装置において、
上記坩堝は底部領域内に内包した断熱材を介して下端が支持軸と結合しており、
該内包された断熱材は、その下端から上方へ向けて径が漸減している
ことを特徴とする。上記製造装置を用いた製造方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】 不慮の事故等でルツボ内の原料融液がルツボ外に流出し、ペデスタルに沿って流れ落ちた場合であっても、ペデスタル下方の金属部に融液が達するのを確実に防ぎ、装置の損傷や事故の発生を未然に抑制できる単結晶製造装置及び単結晶製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 原料融液を保持するためのルツボと、該ルツボを支持し、昇降可能であるペデスタルと、該ペデスタルを介して前記ルツボを回転させるためのルツボ回転軸と、前記ルツボの下方に配置され、前記ペデスタルを囲繞するようにセンタースリーブが設けられた湯漏れ受けを具備するＣＺ法による単結晶製造装置であって、前記ペデスタルの外周部に、前記ルツボから漏れ出した前記原料融液が滴り落ちることを抑止するための溝が２以上設けられたものであることを特徴とする単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】長寿命化を可能とした単結晶引き上げ装置用黒鉛ルツボ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボ１を保持する黒鉛ルツボ２は、黒鉛ルツボ成形体としての黒鉛ルツボ基材３と、黒鉛ルツボ基材３の表面全体に形成されたフェノール樹脂の炭素化物からなる被膜４とから構成されている。フェノール樹脂は黒鉛ルツボ基材３表面に存在する開気孔５の内部まで含浸されている。被膜４の形成は、黒鉛ルツボの表面の全体に限らず、ＳｉＣ化が進みやすい部分のみであってもよい。例えば、ルツボの内面だけ全体的に析出させるとか、内面のうち湾曲部（小Ｒ部）のみに、又は湾曲部と直胴部のみに析出させることも可能である。 （もっと読む）

【課題】ルツボ回転軸から炉外への熱逃げを抑制することができ、しかも、製造コストを安価に抑えることのできる金属単結晶引上げ装置を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ装置１は、シリコン体融液３を収納する石英ルツボ２と、石英ルツボ２を保持する黒鉛ルツボ４と、黒鉛ルツボ４を下部で固定保持するための受け皿５と、受け皿５を下部で支持し受け皿５及びルツボ２，４を回転させながら昇降させるルツボ回転軸６とを備えている。受け皿５とルツボ回転軸６との接合面には、低熱伝導部材１０が介在されている。低熱伝導部材１０は略管状に形成されており、低熱伝導部材１０の中央孔をルツボ回転軸６の凸部が挿通した状態で介在配置されている。これにより、受け皿５の底部下側に空隙部１１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体材料あるいは太陽電池材料等の単結晶あるいは多結晶を製造する装置において溶融材料を収容する石英ガラスルツボを支持、保持するために用いられる炭素ルツボであって、石英ガラスルツボを支持し変形を防止できるとともに、冷却後に石英ガラスルツボを容易に取り外すことができる炭素ルツボを提供する。
【解決手段】ルツボ底部を構成する架台部２と、架台部２に載置または嵌挿される筒状体３とを備えた炭素ルツボ１であって、架台部２が黒鉛材からなり、筒状体３は炭素繊維織布４が積層された炭素繊維強化炭素複合材からなり、筒状体３の一端部から他の一端部にかけて不連続部Ｆが設けられており、不連続部Ｆにおいて筒状体３の軸線に垂直な方向の少なくとも一部に炭素繊維強化複合材が存在し、かつ筒状体３の周方向に拘束力を発揮する構造を有する。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造において、高温でのサスセプタと石英るつぼとの反応により発生する酸化ケイ素、一酸化炭素及び／又は二酸化炭素などの放出ガスを効果的に排気する方法およびサスセプタを提供する。
【解決手段】シリコンチャージが溶融する石英るつぼを保持するためのサスセプタ４４は、その下部でるつぼを受け入れるようなサイズの概ねボウル形の構造であり、前記構造が、るつぼの上部の上方へ延びる内面５２を有し、前記構造の前記内面５２に複数の溝４６，４８，５０が形成されてなり、前記複数の溝４６，４８，５０を通じて、前記サスセプタ４４および前記るつぼが加熱されるときにるつぼの外面から放出されるガスが上昇し、上方の開放端開放端から放出される。前記の溝および開放端は石英るつぼ外面に形成されてもよい。 （もっと読む）

【課題】直胴部と受け皿部との境界部分からのＳｉＯガスの漏洩を防止し、ＳｉＣ化の早期進行を防止するようにしたカーボン製ルツボを提供する。
【解決手段】シリコン等の金属単結晶引上げ装置に使用される石英ルツボ４を保持するためのカーボン製ルツボ５であり、直胴部９と受け皿部１０とが分割されて構成されている。石英ルツボ４とカーボン製ルツボ５との間には、カーボン製ルツボ５の内面の、少なくとも直胴部９と受け皿部１０との境界部分Ａを覆うように、黒鉛質シート１１が配置されている。黒鉛質シート１１は膨張黒鉛シートである。 （もっと読む）

【課題】網状体の寿命の向上、石英ルツボからの外れ易さ、網状体への食い込み防止等に加えて、特に、融液の流れの乱れに起因した金属結晶の品質の低下を防止することができるルツボ保持部材を提供する。
【解決手段】直胴部９と受け皿部１０とが組み合わされ、金属単結晶引上げ装置に使用される石英ルツボ４を保持するルツボ保持部材であって、直胴部９は、炭素繊維強化炭素材から成り網状に織り込まれた網状体で構成され、石英ルツボ４と直胴部９との間には、少なくとも直胴部９の内面全体を覆うように黒鉛質シート１１が配置されている。黒鉛質シート１１は膨張黒鉛シートであるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ルツボ上部の径方向内側への倒れ込み、及び直胴部の座屈変形の発生を抑制し、サセプタとの密着性を向上することのできる石英ガラスルツボ及びルツボ構造を提供する。
【解決手段】円筒状に形成され、上端に開口部を有する直胴部３ａと、前記直胴部の下端に形成された底部３ｃと、前記直胴部の開口部の周囲において、径方向外側に環状に延設されると共に、サセプタ２の上端２ｂに係合可能なフランジ部３ｂとを有し、前記直胴部の高さ寸法は、前記直胴部と前記底部とが前記サセプタ内に収容され、前記フランジ部が前記サセプタの上端に係合した状態で、前記底部の下端と、前記サセプタの底部２ｃとの間に所定の間隙が形成される長さに形成されている。 （もっと読む）

【課題】ルツボ上部の径方向内側への倒れ込み、及び直胴部の座屈変形の発生を抑制し、サセプタとの密着性を向上する。
【解決手段】シリコン単結晶を引上げる単結晶引上装置において、ルツボ形状のサセプタ２と、該サセプタに収容される石英ガラスルツボ３とからなるルツボ構造１であって、前記石英ガラスルツボは、円筒状に形成され、上端に開口部を有するルツボ直胴部２ｂと、前記ルツボ直胴部の下端側に形成されたルツボ底部２ｃと、前記ルツボ直胴部における外周面の少なくとも一部に、周方向に沿って螺旋状に形成されたリブ４とを有し、前記サセプタは、円筒状に形成され、上端に開口部を有するサセプタ直胴部３ｂと、前記サセプタ直胴部の下端側に形成されたサセプタ底部３ｃと、前記サセプタ直胴部の内周面に、周方向に沿って螺旋状に形成された前記リブに係合可能な螺合溝５とを有し、前記石英ガラスルツボは、前記サセプタに螺合され収容される。 （もっと読む）

【課題】黒鉛ルツボのＳｉＣ化、減肉（消耗）を抑制することで、長時間使用出来る黒鉛ルツボを提供することを目的とする。
【解決手段】ＣＺ法によりシリコン単結晶を製造する際に用いられるシリコン融液を収容する石英ルツボを支持する黒鉛ルツボであって、少なくとも、円周方向に２つ以上に分割された黒鉛ルツボ本体と、該黒鉛ルツボ本体の底部を一体的に保持する受け皿とを有し、
更に、前記黒鉛ルツボ本体の少なくとも分割面の上端部に、分割面へのガスの流入を防止するための保護カバーを具備するものであることを特徴とする黒鉛ルツボ。 （もっと読む）

【課題】上下方向や横断面半径方向におけるドーパント濃度差の発生を防止できる半導体単結晶（インゴット）の引上げ方法及び装置を提供する。
【解決手段】インゴット４の成長に用いる第１るつぼ１に加えて、第１るつぼに補充する融液６を貯留する第２るつぼ２と、第２るつぼを昇降する第２るつぼ支持体５を設ける。第２るつぼ支持体を上昇させて第２るつぼの融液を、引き上げにより固化する量のみを第１るつぼへ逐次供給する固化量融液逐次供給と、インゴットの引き上げ固化とを繰り返しながらインゴットを成長させ、インゴット下方向でドーパント濃度が高くなることを防ぐ。第１るつぼ底面中央部分に突部１ｂを設けて固化の遅いインゴット中央部分の融液量を少なくし、インゴット横断面内の中央部分でのドーパント濃度が高くなることを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶製造のための黒鉛ルツボであって、使用寿命の長い黒鉛ルツボを提供する。
【解決手段】ルツボのコーナ部にガス抜き孔が設けられていることを特徴とする。当該ガス抜き孔を通じて、石英ルツボと黒鉛ルツボとの反応により発生するガスを外に放散させて、黒鉛ルツボ表面でのＳｉＣ形成、ガス圧による石英ルツボ変形を防止する。 （もっと読む）

【課題】LEC法による単結晶インゴットの製造において、成長中の多結晶化や底付き現象を抑制して単結晶インゴットの製造歩留まりを向上することができる半導体単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】液体封止チョクラルスキー法による化合物半導体単結晶６の製造装置であって、ルツボ９を収容するサセプタ１０を加熱するヒータ４、１２とサセプタ１０を回転させる回転機構とを少なくとも具備し、回転機構は、サセプタ１０を支持するリング状支持部材１４と、リング状支持部材１４を回転自在に保持するリング状架台１９と、リング状支持部材１４を回転駆動するための回転軸１１とを具備し、ヒータ１２がサセプタ１０の底面に対して鉛直方向下方の位置でかつ底面の略全体と対向するように配設されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液が貯留される石英坩堝の開口部の変形を防止して、使用後の石英坩堝の再使用を可能とする坩堝開口部保持部材、この坩堝開口部保持部材を利用した単結晶シリコンの製造方法及び単結晶シリコンの製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン融液が貯留される石英坩堝２０の開口部の変形を防止する坩堝開口部保持部材６０であって、石英坩堝２０よりも高温強度の高い材料からなり、石英坩堝２０の側壁部の内周面に係止される係止部６３を備え、この係止部６３によって、石英坩堝２０の側壁部の開口端が内周側に倒れこむように変形することを防止する構成とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液体封止剤を用いた単結晶引き上げ法（ＬＥＣ法）において、結晶成長条件の再現性を確保し、安定した単結晶歩留まりを得る化合物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】サセプタ４によって支持されるルツボ３内に原料６及び液体封止剤７を収容する収容工程と、前記ルツボ３を加熱し、前記原料６及び液体封止剤７を融解する融解工程と、前記ルツボ３内の原料融液６に種結晶２を接触させ、前記種結晶２を引き上げて結晶成長させて化合物半導体結晶１０を得る結晶成長工程と、前記結晶成長工程の前に前記ルツボ３と前記サセプタ４との間に予め設けておいた熱量調整部１１の肉厚を、原料６及び液体封止剤７と接触していたルツボ３内周面の損耗量に応じて補正する補正工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の引上げ法において、石英ルツボの変形を防止する黒鉛ルツボ及び該黒鉛ルツボを用いた石英ルツボの変形防止方法を提供する。
【解決手段】黒鉛ルツボ３０の内壁面に石英ルツボ３２を黒鉛ルツボ３０内壁面に吸引する複数の石英ルツボ３２の吸気孔３１が設けられ、黒鉛ルツボ３０の外壁底面に吸気孔により石英ルツボ３２を吸引するエアを排気する単一の排気孔３３が設けられ、黒鉛ルツボ３０の内部に吸気孔３１と排気孔３３に連通する中空部３３ｄが設けられた黒鉛ルツボ３０を用いてシリコン単結晶の引上げを行う際に、前記黒鉛ルツボの複数の吸気孔からエアを吸引し、前記チャンバ内の圧力と、前記石英ルツボと前記黒鉛ルツボの隙間の圧力との差が５〜６０Ｔｏｒｒになるように、前記石英ルツボ３２を前記黒鉛ルツボ３０の内壁面に吸引させることにより、石英ルツボ３２の上端に生じる倒れ込み変形を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】液滴状Siの嵌合面及び分割面への侵入及び固着を防ぎ、石英ルツボと黒鉛ルツボとの熱膨張率の差に起因した黒鉛ルツボの破損を抑制することができる単結晶引き上げ用黒鉛ルツボを提供する。
【解決手段】黒鉛ルツボ２０Ａ、２０Ｂの外周面に、その円周方向に沿って、連続的または断続的に延びる少なくとも１本の溝２１を形成し、溝２１は、その幅方向断面で見て、外周面の下方に向かってルツボの厚みが薄くなる方向で、かつ、ルツボ外周面に対し鈍角で傾斜して延びる液ダレ回収面と、液ダレ回収面からルツボの外方に向かってルツボ外周底面２２と平行または上方に向かって延びる液ダレ溜り面とを有する。 （もっと読む）