【課題】ヒータが側方に配置された場合にインゴット割れおよび結晶欠陥の発生を抑制し、高品質な多結晶シリコンインゴットを低コストで製造する。
【解決手段】側方に配置されたヒータにより加熱されて溶融したシリコンを内部で凝固させて多結晶シリコンインゴットを生成させる坩堝であって、底面部において中央部２１が周側部２２より厚い。 （もっと読む）

【課題】モリブデンルツボ内のサファイア融液への難溶解物の混入を防止する。
【解決手段】サファイア融液２１を保持するモリブデンルツボ１４と、サファイア融液２１に浸漬した種結晶を引き上げる引き上げ機構１９と、モリブデンルツボ１４を囲繞し、軸方向に分割された上部ヒーター１５ａ及び下部ヒーター１５ｂからなる抵抗加熱ヒーター１５と、上部ヒーター１５ａ及び下部ヒーター１５ｂの出力をそれぞれ制御するコントローラ２３とを備える。本発明によれば、モリブデンルツボ１４にかかる熱負荷を微調整することができるため、難溶解物の発生を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】成長する単結晶に熱を供給するためのリング形状の抵抗ヒータを提供する。
【解決手段】抵抗ヒータは、上部リング１と下部リング２とを含み、上部リング１と下部リング２とは、これらのリングを通って導電される電流の流れ方向がこれらのリングにおいて反対であるように、下部リング２のリングギャップに隣接するループ部により電気的に導電的に接続される。上記抵抗ヒータはさらに、上部リング１と下部リング２とをある距離にて一緒に保持する接続要素１８と、上部リング１および下部リング２を通って電流を導電するための電流リード１１，１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】るつぼの外表面の溶融やるつぼからの原料融液のあふれを発生から短い時間において検出できる単結晶引き上げ装置等を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ装置１は、アルミナ融液３００を保持するるつぼ２０を取り囲むように設けられ、るつぼ２０を壁部２２から加熱する上部ヒータ３０と、るつぼ２０の下方に設けられ、るつぼ２０を鉛直方向に投影した像の内側にあって、底部２１に対向する対向部と、るつぼ２０を鉛直方向に投影した像の外側にはみ出した周辺部とを備え、るつぼ２０を底部２１から加熱する下部ヒータ３５と、アルミナ融液３００からサファイアインゴット２００を引き上げる引き上げ棒４０と、下部ヒータ３５に流れる電流または電圧を計測する計測部９６と、計測部９６の計測した電流または電圧に基づいて、るつぼ２０から下部ヒータ３５上への落下物の有無を判断する判断部９７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】被加熱物を効率良く均等に加熱することができる新規な構造の発熱体及びこれを用いた結晶成長装置並びに気相成長装置を提供する。
【解決手段】発熱体１は、板状又は円筒状の抵抗体２にスリット３を切って発熱領域４を形成してなり、スリット３を、抵抗体２の表面に対し、斜め方向に穿っているものである。つまり、発熱体１は、板状又は筒状の抵抗体２と、抵抗体２の厚さ方向に貫通するように形成されたスリット３とを有し、スリット３が、厚さ方向に直交する抵抗体表面から、厚さ方向に対し傾斜又は屈曲して形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＴｅ等の化合物半導体単結晶の製造において、歩留まりの向上及びウェハとしたときの面内均一性の向上を図ることができるヒータ、結晶成長装置及び化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】抵抗加熱により発熱する円筒状の発熱部１０１と、この発熱部１０１の外周面下部の対向する２箇所から突出形成された脚部１０２とを備えたヒータ１０において、電極棒が接続される端子部１０２ａと、この端子部１０２ａと発熱部を接続する接続部１０２ｂとで脚部１０２を構成し、接続部１０２ｂの厚さを１０ｍｍ以下、幅を２０ｍｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】ヒータの変形を抑制して、熱効率の悪化の無い単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】原料融液を収容するルツボと、該ルツボが囲繞される円筒状発熱部１４を有するヒータ１３と、該ヒータ１３を格納するメインチャンバーと、前記ヒータ１３を支持して電流を供給するヒータ電極１１と、前記ヒータ１３の円筒状発熱部１４の下方に配置される断熱板１０とを具備したチョクラルスキー法によって単結晶インゴットを製造する単結晶製造装置であって、前記断熱板１０が前記ヒータ電極１１に絶縁性固定部材１６を介して固定支持され、前記断熱板１０の上面の前記円筒状発熱部１４の下端に対応する位置に絶縁性支持部材２３が配置されたものである単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】８×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の低酸素濃度を有する単結晶シリコンを成長させる単結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法による単結晶シリコンの製造装置１において、成長軸方向の上下２つに分割された下ヒーター４−２に対する上ヒーター４−１の出力比を４以上に制御することにより、低酸素濃度の単結晶シリコンＳを成長させることができる。単結晶中の酸素濃度をさらに低減するためには、シードの回転速度を８ｒｐｍ以下に設定して単結晶の成長を行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】低酸素濃度で、かつ直径方向の欠陥分布が均一な無欠陥の単結晶を引き上げることができる単結晶成長方法を提供する。
【解決手段】周囲に配置されたカーボンヒータ１８によりルツボ１４内の原料融液２３を溶融し、該原料融液２３から単結晶Ｓを引き上げる単結晶製造方法において、前記単結晶Ｓを引き上げる際、該単結晶Ｓの直胴部を成長させるときの引上げ速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）、結晶中心部の固液界面近傍の結晶温度勾配をＧｃ（℃／ｍｍ）、結晶周辺部の固液界面近傍の結晶温度勾配をＧｅ（℃／ｍｍ）で表したとき、下部より上部の方が薄肉なカーボンヒータ１８を使用し、前記結晶中心部の温度勾配Ｇｃと前記結晶周辺部の温度勾配Ｇｅとの差ΔＧ＝｜（Ｇｃ−Ｇｅ）｜が０．３℃／ｍｍ以下となるように前記原料融液２３および前記単結晶Ｓを加熱するとともに、引上げ速度Ｖを所望の欠陥領域を有する前記単結晶Ｓが引き上げ可能なように制御する。 （もっと読む）

【課題】分割された黒鉛ルツボの構造に起因するルツボの低速回転領域で特に顕著に現れる周期的なヒーター温度の検出値の変動によって引き起こされるヒーター出力の変動を低減することによって、原料融液の温度制御が安定化し、よって単結晶の直径制御を安定化させられるヒーター出力制御方法を提供する。
【解決手段】少なくとも分割された黒鉛ルツボが装備された単結晶製造装置を用いて、チョクラルスキー法によって、前記黒鉛ルツボに支持された石英ルツボ中の原料を加熱するためのヒーターによって溶融された原料融液から単結晶を引き上げる際に、前記ヒーターの出力を制御するための制御方法であって、前記ヒーターの出力を、前記ヒーターの温度を放射温度計で測定した検出値に加えて、前記黒鉛ルツボの回転に伴って発生する前記放射温度計の周期的な温度変動を打ち消す補正信号を加算した制御信号によって制御することを特徴とするヒーター出力制御方法。 （もっと読む）

【課題】育成されるサファイア単結晶内部に気泡が含まれ難いサファイア単結晶育成装置を提供すること。
【解決手段】サファイア原料が充填される坩堝１と、坩堝を加熱する円筒状ヒータ部３と円盤状ヒータ部４を有するカーボン製ヒータ30と、坩堝が保温される断熱空間室６と、断熱空間室の底面部60に設けられた絶縁筒８と、絶縁筒内に挿入されカーボン製ヒータに接続されて電力を供給するヒータ電極５を備え、サファイア原料融液10から回転引き上げ法によりサファイア単結晶を製造するサファイア単結晶育成装置であって、断熱空間室の底面部60を構成する断熱材料の厚さが９０ｍｍ以上、断熱空間室の底面部表面から円盤状ヒータ部４下端までの距離が１０ｍｍ以上に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶の結晶欠陥を効率的に制御することができる単結晶製造用上部ヒーター、および、その単結晶製造用上部ヒーターを用いて、結晶欠陥を効率的に制御し、また、酸素濃度の制御性を向上して、高品質の単結晶を製造する単結晶製造装置および単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、電流が供給される電極と、抵抗加熱による発熱部とが設けられ、チョクラルスキー法により単結晶を製造する際に用いられるシリコン融液を収容するルツボを囲繞するように配置される黒鉛ヒーターの上部に配置される上部ヒーターであって、発熱部は、リング状でルツボを囲繞するように配置され、発熱部の内側および外側から、それぞれ水平方向にスリットが形成されたものであることを特徴とする単結晶製造用上部ヒーターである。 （もっと読む）

【課題】育成されるサファイア単結晶内部に気泡が含まれ難いサファイア単結晶育成装置を提供すること。
【解決手段】サファイア原料が充填される坩堝１と、坩堝の外周面を加熱する円筒状本体部30を有するカーボン製ヒータ３と、カーボン製断熱材料により構成されかつ坩堝とカーボン製ヒータが収容されて坩堝が保温される断熱空間部６と、断熱空間部底面60に設けられた開口部に嵌入された絶縁筒８と、絶縁筒内に挿入されかつ先端側が上記カーボン製ヒータに接続されたカーボン製ヒータ電極３とを備え、上記サファイア原料融液10から回転引き上げ法によりサファイア単結晶を製造するサファイア単結晶育成装置であって、上記絶縁筒８の内径とカーボン製ヒータ電極３の外径について、絶縁筒とヒータ電極の間で放電が発生しない関係に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】抵抗加熱炉を用いた溶融固化法により単結晶を成長させる際に、種付け（シーディング）後の結晶径の急成長を抑制して高品質な酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】抵抗加熱炉を用い、その炉体内のルツボに単結晶用原料を入れて加熱溶融し、所定の結晶方位に切り出した種結晶１を原料融液表面に接触させ、所定の速度で上方に引き上げて単結晶を成長させる溶融固化法により酸化アルミニウム単結晶を製造する方法において、単結晶用原料が加熱溶融した後、種結晶１を下降させて融液表面の上方１０ｍｍ以内の位置に保持し、種結晶１の先端が融解するのを確認してから、種結晶１の融解温度よりも１〜４℃低い温度を種付け温度として、種結晶１を原料融液表面に接触させる。さらに、単結晶を引き上げる際に、固液界面の結晶が融液に向かって凸部３を形成するように、結晶周辺部からの放熱を抑制しながら原料融液を加熱する。 （もっと読む）

【課題】電流と磁場の相互作用による力のヒータへの負荷を軽減し、ヒータの破損を防止することのできる単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】抵抗加熱ヒータ４には、ヒータ４に接続される電極により印加された所定電圧に基づき直流電流が供給され、抵抗加熱ヒータ４の電極接続側上端においてスリット４ａ、４ｂにより形成される電流路の水平方向の幅寸法をＬ、ヒータ上端からスリット上端までの高さ方向の距離寸法をＤとすると、スリット４ａ、４ｂは２≦（Ｌ／Ｄ）≦４の条件を満たすよう形成され、抵抗加熱ヒータ４の下端には、電極に接続された導電性のクランプ部材に取り付けられる端子部４ｃが形成され、端子部４ｃはクランプ部材に螺設されている。 （もっと読む）

【課題】黒鉛部材の角部の形状を変えることにより、黒鉛部材の劣化を防止すること。
【解決手段】半導体単結晶引き上げ装置を構成する黒鉛部材であって、角部を所定の曲率（又は曲率半径）となるようにＲ加工する。例えば、黒鉛ヒータ７において、上端部７ａの両側の角部にＲ加工を施す。このときの曲率半径ｒは、黒鉛ヒータ７の幅をｔとすると、ｔ／８からｔ／４の範囲内であることが好ましい。これにより、黒鉛ヒータ７の端部の剥離・破損を防止することが可能になり、黒鉛部材の劣化を防止することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度およびドーパント濃度が微小な範囲でばらつくことを防止し、デバイス工程においてデバイス特性および収率を良好に保つことができるシリコン単結晶を育成可能なシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】磁場印加手段５１は引上げ方向Ｚに対して中心Ｏの磁場強度Ｂｙを最も高くし、この中心Ｏから上下方向にそれぞれ磁場強度Ｂｙが漸減するように磁界を発生させる。そして、この磁場強度Ｂｙの最も高い中心Ｏに合わせてルツボ１３のシリコン融液１２の融液面１２ａが位置するように設定する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶を育成している際のシリコン融液表面の温度分布を制御することができ、シリコン融液表面の温度に起因する直径の変動を小さくすることができる単結晶製造装置およびシリコン単結晶の製造方法を実現する。
【解決手段】ルツボに収容されたシリコン融液４からシリコン単結晶３を引き上げながら成長させる単結晶製造装置３０において、固液界面周囲近傍の融液面上側に配置され、前記固液界面周囲近傍において融点以下に温度が低下する可能性のある部分のシリコン融液４を加熱する発熱体４０が設けられているものとする。 （もっと読む）

【課題】るつぼの変形を考慮したインゴットの引上げにより、品質不良のインゴットの発生を防止し、マルチ引上げにおいて１本目と同等の品質のインゴットを複数本引上げる。
【解決手段】先ずシリコン原料の融解時の実験用るつぼ３４の変形量及び実験用ヒータ３８への供給電力の履歴を測定して量産用るつぼ１４の変形傾向を求める。次に量産用るつぼの寸法を測定し、実験用るつぼへの供給量と同量のシリコン原料を量産用ヒータ１８により融解し、引上げ開始前に所定のギャップＸをあけて初期るつぼ外部位置を測定する。更に実験用るつぼの変形傾向と上記初期るつぼ外部位置との関係などに基づいてシリコン原料融解時の量産用るつぼの変形量を予測し、量産用るつぼの変形量に基づいて上記所定のギャップをあけたときの初期るつぼ内部位置を予測し、更にインゴットの最適な引上げ速度を予測計算から導き出して、最適な引上げ速度でインゴットの引上げを開始する。 （もっと読む）