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Fターム[4G077SA12]の内容

結晶、結晶のための後処理 (61,211) | PVD (1,258) | 成長装置 (276) | 基体保持具、サセプタ (102)

Fターム[4G077SA12]に分類される特許

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【課題】 昇華法により窒化物単結晶を製造する際に、得られる単結晶に欠陥が導入されないにようにして、その結果、良質で、大口径の単結晶を効率よく製造することのできる製造方法を、その有利な製造装置と共に提供する。
【解決手段】 加熱炉1内の原料9及び種結晶7を定常時の設定温度まで昇温させる過程で、少なくとも種結晶7上の温度が原料9の析出の始まる温度から定常時の設定温度に達するまでの時間にわたり、種結晶7の温度を原料9の温度よりも高くする。 (もっと読む)


【課題】 昇華法により欠陥が無く、良質で、大口径の窒化物単結晶が効率良く製造できる窒化物単結晶の製造技術を提供する。
【解決手段】 加熱炉1内の原料るつぼ4内に収容した窒化物単結晶用の原料9を加熱して昇華させ、昇華させた原料を、当該加熱炉内に設けられ、サセプター10にて支持されている種子結晶7上に析出させて単結晶を成長させる窒化物単結晶の製造方法であって、サセプターに設けられた回転手段11にて、原料の昇華開始初期の段階では当該サセプターの種子結晶を設けていない面12が原料るつぼ側を向く位置に回転させ、原料の昇華が定常状態に移行したときに回転手段にてサセプターを回転させて種子結晶7の面が原料るつぼ側を向くように回転させ、当該種子結晶上に昇華させた原料を析出させる。 (もっと読む)


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