【課題】単結晶の成長において、種結晶と種結晶支持部とを接着させる際の接着不良が原因で発生するマクロ欠陥を抑制して単結晶の品質を向上させる方法を提供する。
【解決手段】接着剤３０を介して種結晶１と種結晶支持部２２を当接し、この状態で一回目の熱処理により接着剤３０を乾燥・硬化させるとともに二回目の熱処理により接着剤３０を炭化させる。そして、種結晶１を通して接着剤３０の炭化層を観察して得られる反射光の明暗に基づいて固定状態の良否を判別する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】結晶成長ルツボに低温部と高温部を設け、結晶成長ルツボの低温部に炭化珪素単結晶からなる種結晶基板２２を配し、高温部に炭化珪素原料を配して、炭化珪素原料から昇華した昇華ガスを種結晶基板２２上に析出させて炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、種結晶２２を配する箇所のルツボ部材に、炭化珪素との室温における線膨張係数の差が１．０×１０^−６／ケルビン以下である部材を用いる。また、種結晶２２を配する箇所のルツボ部材として炭化珪素を用いる。 （もっと読む）

【課題】種結晶配置部に対して種結晶表面を均等に圧着する種結晶固定装置を提供する。
【解決手段】反応容器の種結晶配置部３に接着剤５を介して種結晶９を固定するための種結晶固定装置１であって、種結晶配置部３を内部に配置可能なチャンバ１０と、チャンバ１０上面に配置され、気体の給排気により膨張収縮し、膨張した際に種結晶９の表面に接して種結晶９の全面に均一に圧力を掛ける加撓性袋体１６とを備え、チャンバ１０上面が、種結晶配置部３に向かって凸形状に形成されている。 （もっと読む）

マイクロパイプ・フリーの、単結晶の、炭化ケイ素（ＳｉＣ）およびその製造方法を開示する。ＳｉＣは、供給材料およびシード材料を、昇華装置の反応坩堝内のシードホルダに配置することによって成長させる。ここで、供給材料、反応坩堝、およびシードホルダを含む昇華装置の構成要素は、意図していない不純物を実質的に含まない。成長温度、成長圧力、ＳｉＣ昇華流束およびその組成、ならびに供給材料とシード材料またはシード材料上に成長するＳｉＣ結晶との間の温度勾配を、ＰＶＴプロセスの間制御することにより、マイクロパイプを誘発するプロセス不安定性が排除され、マイクロパイプ・フリーのＳｉＣ結晶がシード材料上に成長する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶製造時に炭化珪素種単結晶とサセプタとの接着界面が剥離することなく、炭化珪素種単結晶が確実にサセプタに固定されるような好適な接着方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素種結晶、種結晶を固定するためのサセプタ、及び種結晶をサセプタに固定する接着剤を準備する工程、炭化珪素種結晶及び／又はサセプタに気泡通路の確保された非連続形状に接着剤を適用する工程、及び、種結晶とサセプタとを接着する工程を含む、炭化珪素種結晶固定サセプタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】成長単結晶中に伸長するマクロ欠陥の発生を抑制した炭化珪素単結晶を成長させるための種結晶の固定方法及びこれを用いた単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶3を黒鉛台座1に固定して種結晶3から炭化珪素単結晶を成長させるための種結晶の固定方法において、チタンから成る金属材料2を黒鉛台座1上に配置し、その金属材料2の上に種結晶3を配置し、さらにその種結晶3の上に加重を加えるための加圧部材4を配置した積層体25を形成し、積層体25を１７００℃以上２０００℃以下の範囲で加熱処理して黒鉛台座1と金属材料11と種結晶3を固定一体化し、積層体25を冷却し、積層体25から加圧部材4を取り除く。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム単結晶ブール成長のための方法及び装置を提供する。
【解決手段】高温でＡｌＮ単結晶ブール８を生成するための物理的気相輸送成長炉システム内部の結晶成長セットアップが、ＡｌＮ原材料７及び成長するＡｌＮ結晶ブール８を含むのに効果的な坩堝６を含む。この坩堝６は、少なくとも成長するＡｌＮ結晶ブール８を収容する部分２３で薄い壁厚（ｔ_１）を有する。他の構成要素は、誘導加熱の場合のサセプタと、抵抗加熱の場合の加熱器と、５〜１００℃／ｃｍの範囲内で坩堝６内部で温度勾配を提供するのに効果的な、サセプタ又は加熱器を取り囲む断熱材と、窒素ガス、又は窒素ガスとアルゴンガスとの混合物を充填又は流入することによって、真空（＜１．３３×１０^−５ＭＰａ（＜０．１Ｔｏｒｒ））〜少なくとも０．５３３ＭＰａ（４０００Ｔｏｒｒ）のガス圧で動作させることが可能な炉チャンバとを含む。 （もっと読む）

【課題】種結晶に存在する欠陥や歪みの伝播を抑制することにより高品質な単結晶を得ることが可能となる、炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】欠陥や歪みが多く存在する種結晶の側面及び外縁部を昇華エッチングして前記種結晶の口径を縮小する工程と、口径が縮小された前記種結晶を、所望の大きさにまで口径拡大する単結晶成長工程を順次実施することにより、種結晶外縁部に起因する欠陥や歪みの発生や伝播を抑制して単結晶成長させることができ、高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】単結晶に欠陥が発生することを抑制でき、良質で大口径の単結晶が効率よく製造できる、昇華法を用いた窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】加熱炉本体２内の下部に配置される黒鉛るつぼ４の内側面に、ハフニウム、ニオブ、ジルコニウム、タングステン、バナジウム、モリブデン、レニウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウムから選ばれる少なくとも１種の材料の窒化物でなる被覆膜５を形成した。このような被覆膜５は、２０００℃以上の高温下でも安定で、昇華ガス（Ａｌ，Ｎ_２）に対しても化学的に安定であるため、この黒鉛るつぼから発生させたガスを用いて結晶成長させた窒化アルミニウム単結晶に欠陥が発生することを抑制でき、良質で大口径の単結晶を効率よく製造できる。 （もっと読む）

【課題】製造条件の変動を抑制し、結晶内の品質のばらつきを低減することができる単結晶の製造方法及び単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】るつぼ３内の原料１１の質量減少量をロードセル７ａによりモニタして、るつぼ３内の原料１１の質量減少量が一定になるように、析出部の温度を調節する。また、蓋５の下面に成長した単結晶の質量増加量をロードセル７ｂによりモニタし、単結晶の質量増加量をその厚さ方向の成長速度に換算する。そして、その換算結果に基づき、蓋５の下面に成長した単結晶表面（析出面）と原料１１の表面との距離が一定になるように、蓋５を上方に移動させるモータ６の駆動速度を調節する。 （もっと読む）

【課題】種結晶配置部に対して種結晶表面を均等に圧着する種結晶固定方法及び種結晶固定装置を提供する。
【解決手段】反応容器の種結晶配置部に接着剤を介して種結晶を固定するための種結晶固定装置であって、上記種結晶配置部を内部に配置可能なチャンバーと、
上記チャンバー内部に配置され、気体の給排気により膨張収縮し、膨張した際に上記種結晶の表面に接して種結晶の全面に均一に圧力をかける可撓性袋体と、
を備える種結晶固定装置。 （もっと読む）

【課題】種結晶配置部に対して種結晶表面を均等に圧着する種結晶固定方法及び種結晶固定装置を提供する。
【解決手段】反応容器の種結晶配置部に接着剤を介して種結晶を固定するための種結晶固定装置であって、上記種結晶配置部を内部に配置可能とし密閉雰囲気を形成するチャンバーと、上記チャンバーに接続され前記チャンバー内に減圧雰囲気を形成する吸引機と、を備える種結晶固定装置。 （もっと読む）

ＡｌＮのバルク単結晶を単結晶シード上に成長させる方法であって、ＡｌＮ供給源材料を、坩堝のキャップに融合されたシードと空間を開けた関係で、坩堝チャンバー内に配置する方法が提供される。坩堝を、供給源材料とシードとの間にシードが供給源材料より高温である温度勾配を確立するのに十分であるように加熱し、それによりシードの外側層が蒸発され、シードの汚染物を取り除くと共にシード調製中に生じたシードへの損傷を除去する。その後、供給源材料とシードとの間の温度勾配を、供給源材料が昇華しシード上に堆積し、それによりＡｌＮのバルク単結晶が成長するように逆転する。
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本発明は、種付け昇華システムにおいて炭化ケイ素の高品質のバルク単結晶を製造する方法の改良である。第一の態様において、この改良は、結晶成長の最初の１ミリメートルにおいて高濃度の窒素原子を添加することによって、成長しつつある結晶におけるマクロステップの数を減少させることを含む。 （もっと読む）

【課題】種結晶と種結晶載置面との間に不純物の介在を防ぎ、線状貫通欠陥の発生を抑制できる種結晶固定方法を提供する。
【解決手段】種結晶載置面３の面積が種結晶５よりも小さい種結晶台座２を用い、第１の接着剤４で種結晶５と種結晶載置面３を接着する。次に、種結晶載置面３側の種結晶表面のうち、第１の接着剤４で接着されていない部分と種結晶台座２の側壁とを接続するように第２の接着剤６を塗布する。第２の接着剤６の熱硬化後、第１の接着剤４を加熱分解除去する。第１の接着剤４によって、第２接着剤６が種結晶５と種結晶載置面３との間へ溶出又は浸透することを防止でき、また、第２の接着剤の熱硬化後の高温加熱処理の際には、第１の接着剤４が加熱分解除去されるので、種結晶５と種結晶載置面３との間への不純物の介在を防止でき、線状貫通欠陥の発生の無い炭化珪素単結晶を製造できる。 （もっと読む）

【課題】 効率的に単結晶を製造することができる半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 融点が２０００℃を超える材料からなる坩堝の内部に設置された台の一方の端面上に種結晶を設置し、種結晶の表面上に半導体結晶を成長させる半導体結晶の製造方法であって、台の側壁と坩堝の内壁との間には隙間が形成されており、種結晶が設置されている台の端面の温度を種結晶が設置されていない側の台の端部の温度よりも高くした状態で半導体結晶を成長させる半導体結晶の製造方法であることを特徴とする。 （もっと読む）

少なくとも約１００ｍｍの直径と、約２５ｃｍ^-2未満のマイクロパイプ密度とを有する高品質のＳｉＣ単結晶ウェハを開示する。
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本発明は、窒化ガリウム単結晶または窒化ガリウムアルミニウム単結晶の製造法および製造装置に関する。本発明による方法処理において本質的なことは、ガリウムのまたはガリウムおよびアルミニウムの蒸発を成長する結晶の温度を上回る温度で、しかし少なくとも１０００℃で実施し、かつ金属融液表面上で窒素前駆体と金属融液との接触を防止するように、窒素ガス、水素ガス、不活性ガスまたはこれらのガスの組み合わせからなるガスフローを金属融液表面に導通することである。
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【課題】成長させようとする炭化珪素単結晶のサイズによることなく、種結晶に働く熱応力の影響を好適に抑えて、結晶欠陥等のない高品質な炭化珪素単結晶を成長させることのできる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶の製造装置は、反応容器１０と、炭化珪素単結晶を成長させる種結晶２０を保持する保持棒３０およびワイヤ３１とを備えて構成されている。種結晶２０は、その裏面の中心部に同裏面全体の面積よりも小さい面積からなる円柱形状の凹部２１を備えて構成されている。保持棒３０は、この凹部２１よりも若干小さく形成されており、接着剤の塗布された凹部２１に嵌め込まれて当該種結晶２０と結合される。 （もっと読む）

炭化珪素種結晶昇華成長システムおよび関連法を開示する。本発明のシステムは、坩堝、坩堝中に炭化珪素源組成物、坩堝中に種結晶ホルダー、種結晶ホルダー上に炭化珪素種結晶、原料組成物と種結晶との間の蒸気輸送を促進するために、原料組成物と種結晶との間に主たる成長方向を画定する、坩堝において主温度勾配を発生させる手段、および種結晶の巨視的成長表面が、主温度勾配と主成長方向に対して約７０度〜８９．５度の角度を形成するように、且つ、結晶のｃ軸を有する種結晶の結晶学的配向が、主温度勾配と約０度〜２度の角度を形成するように、種結晶を種結晶ホルダー上に配置することを含む。
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