【課題】種結晶を坩堝の中心軸からずらして配置しなくても、種結晶およびＳｉＣ単結晶の成長途中表面に対して温度分布を形成することにより、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】温度分布形成部材としてリング部材５を備え、リング部材５に平坦面５ｃを形成することで、リング部材５から低密度螺旋転位領域３ｂまでの距離Ｄ１と螺旋転位発生可能領域３ａまでの距離Ｄ２を変化させる。これにより、ＳｉＣ単結晶基板３の中心を黒鉛製坩堝１の中心と一致させて配置しても、結晶成長装置の構造上、種結晶となるＳｉＣ単結晶基板３およびＳｉＣ単結晶の成長途中表面に対して温度分布を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】接着層の気密性の低下が原因で生じる構造欠陥の発生を抑制する炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】フェノール樹脂と炭化珪素粒子８０とを含むコート剤を用いて、種結晶３０のコート面３０ａにコート層４０を形成し、接着剤を用いて、コート層４０と種結晶台座１０ｂの間に介在する接着層５０を形成する。コート層４０の厚さは、５〜２０μｍであり、コート層４０は、体積比で炭化珪素粒子８０を１〜２０％含んでいる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レーザー蒸着する場合のターゲットの無駄を少なくして成膜コストの低減を図るとともに、成膜領域の熱分布を均等にして安定した膜質の薄膜を成膜することができるレーザー蒸着装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、レーザー光をターゲットの表面に照射し、該ターゲットから叩き出され若しくは蒸発した蒸着粒子をヒーターボックス内において巻回部材に支持された長尺基材表面に堆積させるレーザー蒸着装置であって、巻回部材間に複数列に分けて支持される長尺基材の幅方向の設置範囲に対応する幅のターゲットが設置され、該ターゲットの裏面側に該ターゲットよりも幅広のバッキングプレートが設置され、該ターゲットの幅方向両側に耐熱金属製のダミープレートが設置され、ダミープレートのバッキングプレート側に酸化物膜が形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、処理領域（２）を取り囲む成長室（１）、この成長室（１）の側壁（３）の内面を覆う側部部分（１０）を少なくとも有する主低温パネル、サンプルホルダー（６）、材料を蒸発させる少なくとも１つのエフュージョンセル（８）、気体状プレカーサーを前記成長室（１）に注入することのできるガスインジェクター（９）、前記成長室（１）に連結され、高い真空能力を提供することのできる排気手段（１１）を備えている、半導体材料のウエハを製造する分子線エピタキシー装置に関する。本発明によれば、本分子線エピタキシー装置は、少なくとも成長室壁（３，４，５）の内面を覆う断熱材囲い（１４）を備え、この断熱材囲い（１４）は、気体状プレカーサーの融点より低いか、これと同一である温度Ｔ_ｍｉｎを有する低温部と、高温部を備え、この高温部は、該高温部上の気体状プレカーサーの離脱速度が、気体状プレカーサーの吸着速度の少なくとも１０００倍以上であるような温度より高いか、これと同一である温度Ｔ_ｍａｘを有している。
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【課題】接着層と種結晶との熱膨張差に起因する種結晶の破損や成長結晶の欠陥の発生を抑制できる炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛製坩堝の反応容器本体内に昇華用原料を収容し、黒鉛製坩堝の蓋体１２の下面に設けられた台座１３に接着層８０を介して種結晶６０を取り付けたのち、これらの昇華用原料および種結晶６０を加熱することにより、昇華用原料から原料ガスが昇華し、種結晶６０の下面となる結晶成長面上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法であって、種結晶６０の接着面側の外周部と接着層８０との間に、環状に形成された介設層７０を配設する。これにより、種結晶６０の径方向中央部は接着層８０を介して台座１３に強固に固定されが、高温加熱時には、種結晶６０の径方向中央部に比べて、外周部が台座１３と強固に固定されないため、種結晶６０と台座１３との間で発生する熱膨張率の差を小さくできる。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ない良質な単結晶インゴットが形成される炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶の製造装置１は、上部が開口され、底部１１ａに昇華用原料５０を収容する反応容器本体１１と、該反応容器本体１１の上部開口１１ｂを覆う蓋体１２と、該蓋体１２の裏面側と種結晶６０との間に配設される保護部材１４とを備え、前記種結晶６０を前記昇華用原料５０に対向して配置し、前記昇華用原料５０を加熱して発生させた原料ガスＧを前記種結晶６０に供給して該種結晶６０から単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置１であり、前記保護部材１４は、結晶成長中の加熱温度によって溶融及び／又は気化する金属を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 炭化ケイ素単結晶を効率よく、かつ割れ等の破損がない状態で容易に切り出すことができる炭化ケイ素単結晶の研削方法を提供する。
【解決手段】中空円筒状砥石３０を用いて、この中空円筒状砥石３０の中心軸を回転軸として回転させつつ、その中心軸に沿う方向に移動させることにより、種結晶１１から昇華法により結晶成長させた炭化ケイ素単結晶１０を当該単結晶の成長表面側から種結晶側に向けて研削する。この際、中空円筒状砥石３０の端面が、炭化ケイ素単結晶１１における種結晶１１端部まで２ｍｍの位置に達した後は、中空円筒状砥石３０の移動速度を０．１〜０．５ｍｍ／ｈに低下させる。 （もっと読む）

坩堝は、坩堝の上部の上方に離間して配置された第１の抵抗ヒータと、坩堝の底部の下方に離間して配置された第１の抵抗部及び坩堝の側部の外周に離間して配置された第２の抵抗部を有する第２の抵抗ヒータとを備える。坩堝には、種結晶と坩堝の底部の間に間隔を設けつつ、種結晶が坩堝の内側の上部に原料が坩堝の内側に供給される。原料を昇華させ種結晶上に凝集させるのに十分な温度の温度勾配を坩堝の内側に生じさせるのに十分な程度の電力を第１の抵抗ヒータ及び第２の抵抗ヒータに印加することで成長結晶を形成する。
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【課題】種結晶を継続して成長させつつ、炭化珪素単結晶の結晶性の低下や、らせん転位などの結晶欠陥をさらに抑制できる炭化珪素単結晶の製造方法の提供
【解決手段】本発明に係る炭化珪素単結晶の製造方法は、炭化珪素を含む種結晶７０、及び種結晶７０の下方に配設され、種結晶７０の成長に用いられる昇華用原料８０を収容する黒鉛製坩堝１０と、黒鉛製坩堝１０の側部の周囲に配設され、黒鉛製坩堝１０を誘導加熱コイル３０ａを用いて加熱する加熱部３０と、加熱部３０と黒鉛製坩堝１０との間に配設される断熱部材１２とを用いて、黒鉛製坩堝１０の側面視において、黒鉛製坩堝１０に収容された種結晶７０の成長につれて、黒鉛製坩堝１０の側方方向における断熱部材１２の厚さを減らす工程を備える。 （もっと読む）

【課題】 マクロ欠陥の少ない高品質の炭化珪素単結晶を製造する。
【解決手段】 炭化珪素単結晶の製造装置１は、上部が開口され、底部１１ａに昇華用原料５０を収容する反応容器本体１１と、反応容器本体１１の上部開口１１ｂを覆う蓋体１２とを備える。蓋体１２の厚さ方向の中間部に断熱材１３が配設され、反応容器本体１１の内側の蓋体１２の表面１２ａに、炭化珪素を含む種結晶６０が配設される。 （もっと読む）

【課題】４Ｈ型の炭化珪素単結晶を種結晶から成長させる場合、通常、種結晶の（０００−１）カーボン面に炭化珪素を成長するが、この場合、種結晶の接着面は（０００−１）カーボン面の反対側の（０００１）シリコン面となり、カーボン接着剤を用いて種結晶と支持部材との密着性を接着面全面にわたり均一に高めることが難しい。
【解決手段】炭化珪素種結晶の（０００１）シリコン面表層に炭化膜層を形成し、前記炭化膜層を形成した前記種結晶を前記炭化膜層の面側を支持部材に接着し、炭化珪素単結晶を成長する。 （もっと読む）

【課題】 種結晶と蓋体との接着不良を防止することにより、マクロ欠陥が抑制される炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶６０の所定の面に、算術平均粗さＲａが０．０５〜１．０となるように粗面加工処理を施して加工処理面６３を形成する加工工程と、前記加工処理面６３に後処理を施して後処理面を形成する後処理工程と、前記後処理面に接着剤７１を塗布する塗布工程と、接着剤７１を塗布した塗布面を前記蓋体１２に当接させた状態で加熱することにより、前記接着剤７１を硬化させて種結晶６０を蓋体１２に固定させる固定化工程と、を含んでなる炭化珪素単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶の、より均一な結晶成長を促進する炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】昇華用原料８０を加熱して前記昇華用原料８０を昇華させ、昇華させた前記昇華用原料８０を種結晶７０上に再結晶化させて炭化珪素単結晶を製造する炭化珪素単結晶の製造方法において、昇華用原料８０の少なくとも一部は、中空部が形成された筒状であり、種結晶７０は、昇華用原料８０の中空部に配設される。種結晶７０と昇華用原料８０との位置関係は、誘導加熱コイル３０による加熱時間の経過とともに中空部の延在方向に沿って変化し、誘導加熱コイル３０によって所定温度に加熱される加熱位置は、種結晶７０の位置とともに移動する。 （もっと読む）

【課題】昇華用原料と、種結晶とが収容された坩堝を用いる場合において、結晶欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】炭化珪素単結晶の製造装置１は、黒鉛製坩堝１０と、黒鉛製坩堝１０の少なくとも側面を覆う石英管２０と、石英管２０の外周に配置された誘導加熱コイル３０とを有する。黒鉛製坩堝１０は、反応容器本体５０と、蓋部６０とを有する。種結晶７０は、反応容器本体５０の底部５１に形成される種結晶載置部５２に載置される。種結晶７０は、載置されるのみであって接着されない。 （もっと読む）

【課題】残留応力を低減した炭化珪素単結晶を製造する炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】昇華法において用いる種結晶保持部材２２に固着された種結晶１３に炭化珪素単結晶４０を成長させた後、化学的方法を用いて種結晶保持部材２２を除去する。種結晶保持部材２２は、黒鉛、アモルファスカーボン、炭素繊維、有機化合物炭化物、金属炭化物のいずれかからなる。また、化学的方法は、種結晶保持部材２２を酸化性ガスと反応させる方法である。 （もっと読む）

【課題】ＶＯ₂（Ｍ）（単斜晶型）ナノワイヤ等の一次元ナノ構造体を低温かつ高速に再現性良く形成することができる一次元ナノ構造体の製造方法及びその装置を提供する。
【解決手段】基板２に対向して、ＶＯ₂ターゲット７を配し、この状態でレーザー光１０をターゲット７に照射し、これによって生じたターゲット昇華物質と雰囲気ガスとによって発生するプラズマ（プルーム１１、１２）が基板２に実質的に届かないようにする圧力条件下で、ターゲット昇華物質をクラスター１４として基板２に付着させてＶＯ₂（Ｍ）ナノワイヤを形成する。 （もっと読む）

【課題】従来に比し、マイクロパイプ欠陥をより低減した炭化ケイ素単結晶を得ることができる炭化ケイ素単結晶の製造方法および製造装置を実現する。
【解決手段】反応容器１０内の第一端部に昇華用原料４０を収容し、反応容器１０内の昇華用原料４０に略対向する第二端部に炭化ケイ素単結晶の種結晶５０を配置し、昇華させた昇華用原料４０を種結晶５０上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法である。種結晶５０を、黒鉛薄板５１に接着した状態で第二端部に配置する。 （もっと読む）

【課題】種結晶と黒鉛との界面から発生する結晶欠陥を抑制し、再現性良く、結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる炭化珪素単結晶成長用種結晶を提供する。
【解決手段】炭化珪素原料粉末が充填された黒鉛製るつぼの蓋に取り付けられる炭化珪素単結晶成長用種結晶１３であって、一面が昇華法により炭化珪素単結晶を成長させる成長面４ａとされた炭化珪素からなる種結晶４と、前記種結晶４の前記成長面の反対側の面４ｂに形成されたカーボン膜１２とからなり、前記カーボン膜１２の膜密度が１．２〜３．３ｇ／ｃｍ^３である炭化珪素単結晶成長用種結晶１３を用いる。 （もっと読む）

【課題】 炭化ケイ素単結晶を効率よく、且つ割れ等の破損がない状態で容易に切り出すことができる炭化ケイ素単結晶の研削方法を提供する。
【解決手段】 坩堝蓋体３を切削予定面Ｃの位置でワイヤーソーを用いて切断する。切削予定面Ｃから種結晶載置部３Ｃの表面までの厚さｔは、種結晶４を含む炭化ケイ素単結晶５の成長高さｈの３倍以下になるように設定する。次いで、炭化ケイ素単結晶５を研削装置の中空円筒状砥石を用いて研削（円形加工）する。 （もっと読む）

【課題】結晶品質の優れた長尺の単結晶インゴットを製造できる結晶成長用坩堝を提供する。
【解決手段】成長させる単結晶の原料６０と原料６０に対向した位置に成長させる単結晶の種結晶５０を配置した結晶成長用坩堝において、原料６０を収納するための有底円筒部材１０と、有底円筒部材１０の開口面上に載置させるように配置された中空円筒部材２０と、中空円筒部材２０上に載置させるように配置された蓋部材４０とから構成される結晶成長用坩堝。 （もっと読む）