【課題】欠陥の少ない良質な単結晶を生産性よく製造することのできる炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶製造装置の容器内に昇華用原料を収容すると共にこの昇華用原料に略対向して炭化ケイ素単結晶の種結晶を設置する工程と、加熱により昇華させた前記昇華用原料を前記種結晶の表面上で再結晶させて炭化ケイ素単結晶を結晶成長させる工程とを含む炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、種結晶１を炭化ケイ素単結晶製造装置の容器に設置する工程の前に、種結晶１の裏面に、ケイ素成分を含む熱硬化性樹脂２を塗布する工程を含む。蓋体１１の表面に接着剤としての熱硬化性樹脂３を事前に塗布してもよい。これにより、種結晶に生じているマイクロパイプ欠陥などの中空欠陥を、別途の装置や処理を付加することなく有利に閉塞させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】欠陥の極めて少ない炭化珪素単結晶が得られる炭化珪素単結晶製造用の反応容器および炭化珪素単結晶製造装置の提供。
【解決手段】開口部が形成され、内部に昇華用原料が装入される坩堝本体１２と、前記坩堝本体１２の開口部を密閉する蓋部１１と、前記坩堝本体１２の内部における前記蓋部１１の内側に、前記開口部を密閉するように装着されるとともに、前記坩堝本体１２における昇華用原料Ｒｍが装入される部分に相対する側の面に種結晶Ｓｃが配設される封止部１３とを備え、封止部１３と、坩堝本体１２および蓋部１１の内側面との間に隙間が形成されている炭化珪素単結晶製造用の反応容器。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム単結晶の成長速度の向上を図った窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】上部に開口部を有し、内部空間３ａの底面側に原料２２を収納する反応室３と、該開口部を塞ぐサセプタ４とからなる加熱炉本体、及び内部空間３ａへ外部からプロセスガスを導入するガス供給手段５、を少なくとも備えた窒化アルミニウム単結晶の製造装置９を用い、サセプタ４上に配された種子基板１１上に窒化アルミニウム単結晶を堆積させる窒化アルミニウム単結晶の製造方法であって、種子基板１１はＳｉＣからなり、その被堆積面をａ面（１１−２０）としたこと。 （もっと読む）

【課題】コストと、得られるＺｎＯ単結晶の大きさと、単結晶の品質との間の最適な妥協点を達成でき、同時に最も低いコストで最も優れた大きさと品質とが得られる、ＺｎＯ単結晶を調製するための方法が必要とされている。
【解決手段】多結晶または単結晶酸化亜鉛ＺｎＯを制御雰囲気下にてエンクロージャに配置されたシード上に調製する方法であって、エンクロージャ内部にあり、シードとは離れたるつぼ中に配置された酸化亜鉛供給源の昇華により、ガス種を形成し、ガス種を輸送し、ガス種をシード上で凝結させ、シード表面にてＺｎＯを再結合させ、多結晶または単結晶ＺｎＯをシード上で成長させ、多結晶または単結晶ＺｎＯを冷却することにより調製するための方法であり、ここで：
−酸化亜鉛供給源は、２．１０^−３気圧〜０．９気圧の圧力下にて、温度、いわゆる９００〜１，４００℃のいわゆる昇華温度に誘導により加熱される；
−ＣＯは、エンクロージャ内部に配置された固体炭素供給源上の少なくとも１つの酸化種または酸化種および少なくとも１つの不活性ガスの混合物を提供することによって昇華活性化剤としてインサイチュで発生させる；
−および、ＺｎＯの化学量論の制御は、例えば、ＺｎＯの成長界面の近位にて少なくとも１つの酸化種、または少なくとも１つの酸化種および少なくとも１つの不活性ガスの混合物の１ＳＣＣＭ〜１００ＳＣＣＭの量にて、制御された流速にて局在化した供給を達成することにより行われる、方法。
この方法を行うためのデバイス。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム結晶を成長させる際に下地基板が昇華されることを防止して、結晶性の良好な窒化アルミニウム結晶を成長速度を向上して成長させる、窒化アルミニウム結晶の成長方法、窒化アルミニウム結晶の製造方法および窒化アルミニウム結晶を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム結晶２０の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、主表面１１ａと裏面１１ｂとを有する下地基板１１と、裏面１１ｂに形成された第１の層１２と、第１の層１２に形成された第２の層１３とを備えた積層基板１０が準備される。そして、下地基板１１の主表面１１ａ上に窒化アルミニウム結晶２０が気相成長法により成長される。第１の層１１ａは、窒化アルミニウム結晶２０の成長温度において下地基板１１よりも昇華しにくい材質よりなる。第２の層１２は、第１の層１１の熱伝導率よりも高い材質よりなる。 （もっと読む）

【課題】優れた配向性および表面平坦性を確保しつつ、成膜速度を上昇させることが可能なＣｅＯ_２薄膜の製造方法、ＣｅＯ_２薄膜およびＣｅＯ_２薄膜の製造装置を提供する。
【解決手段】ＣｅＯ_２薄膜の製造方法は、配向性金属基板を準備する基板準備工程と、配向性金属基板上にＣｅＯ_２膜を形成する成膜工程とを備えている。そして、成膜工程におけるＣｅＯ_２膜の成膜速度は３０ｎｍ／分以上であり、成膜工程における、配向性金属基板の温度は７５０℃以上１１００℃以下である。 （もっと読む）

【課題】短波長領域での発光素子として有用なＡｌＧａＮ系混晶半導体薄膜のエピタキシャル成長用基板材料に適した窒化アルミニウム結晶を得る方法を提供する。
【解決手段】昇華法による窒化アルミニウム（ＡｌＮ）結晶の成長方法であって、ｃ軸に垂直な方向から３５度の角度範囲でＡｌＮ結晶が成長するような種結晶を用いることを特徴とし、上記ＡｌＮ結晶の成長方向として、ａ軸方向、ｍ軸方向およびｒ軸方向が挙げられる。成長したＡｌＮのバルク結晶から、その成長方向に垂直な方向に基板を切り出すことにより、ｃ軸に対し垂直な方位を主面とする円形状のＡｌＮ基板を効率良く得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム結晶を成長させる際に下地基板が昇華されることを防止することにより、結晶性の良好な窒化アルミニウム結晶を成長させる、窒化アルミニウム結晶の成長方法および窒化アルミニウム結晶を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム結晶２０の成長方法は、以下の工程が実施される。主表面１１ａと、この主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有する下地基板１１の裏面１１ｂを覆うように保護層１２が形成される。そして、下地基板１１の裏面１１ｂが保護層１２で覆われた状態で、下地基板１１の主表面１１ａ上に窒化アルミニウム結晶２０が気相成長法により成長される。保護層１２は、窒化アルミニウム結晶２０の成長温度において下地基板１１よりも昇華しにくい材質よりなり、かつ２００μｍを超えて１０ｃｍ以下の厚さＨを有している。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥を抑制できるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】容器１を、一面が開口した中空形状の本体１ａと、本体１ａの開口する一面側に配置される蓋材１ｂと、ＳｉＣ単結晶基板３が配置される台座５とを備える構造を有する昇華再結晶法におけるＳｉＣ単結晶の製造装置において、、蓋材１ｂと台座５とを別部材で構成すると共に、台座５を３層以上の多層構造にて構成し、第１〜第３黒鉛部材５ａ〜５ｃの熱膨張係数βの平均値をＳｉＣ単結晶基板３の熱膨張係数βと同等にすることにより、台座５にＳｉＣ単結晶基板３を貼り付けるような構造であっても、ＳｉＣと黒鉛との熱膨張係数の相違によってＳｉＣ単結晶基板３および成長したＳｉＣ単結晶４に熱応力が発生することを抑制でき、ＳｉＣ単結晶４中に結晶欠陥が発生することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶を高品質で効率良く製造し得る炭化ケイ素単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器として黒鉛製坩堝１０を使用し、黒鉛製坩堝１０内の第一端部（昇華用原料収容器）に昇華用原料３０を収容し、黒鉛製坩堝１０内の昇華用原料３０に略対向する第二端部（蓋部）の壁面の一部を突出させた種結晶支持部１１に炭化ケイ素単結晶の種結晶５０を配置し、昇華させた昇華用原料３０を種結晶５０上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造装置であって、炭化ケイ素単結晶の種結晶５０が配置される第二端部（蓋部）に、種結晶支持部１１を囲むように、所定幅Ｗで所定深さＨ２の溝部１２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】成長効率がよく、より高品質の炭化ケイ素単結晶を得ることができ、より実用的な炭化ケイ素単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】昇華用原料微粉末５を加熱し昇華したガスを炭化ケイ素種結晶２上に供給する流路を備えた坩堝本体１１を備える坩堝１０と、坩堝１０内部の排出口１６側に配置され、炭化ケイ素種結晶２を設置する炭化ケイ素種結晶配置部１２と、坩堝１０の外周に配置され、坩堝１０を加熱して昇華用原料微粉末５を昇華させる誘導加熱コイル（加熱手段）３２と、を備えた炭化ケイ素単結晶の製造装置において、昇華用原料微粉末５の昇華ガス流路を形成する坩堝本体１１の内側側面が、昇華ガス流路の長手方向に垂直な断面積が供給口１４から排出口１６方向へ拡がるよう傾斜を持って形成され、傾斜が坩堝１０の長手方向軸と２０度以下または１０度以下の角度を持つ形状とする。 （もっと読む）

【課題】埋め込み成長において、スカート状の円筒部の内側の多結晶が成長し難くなることを抑制し、ＳｉＣ単結晶を長尺成長させられるようにする。
【解決手段】支持板２３ａのうち円筒部２３ｂよりも内側において環状ひさし部２５を備え、円筒部２３ｂよりも外側には環状ひさし部２５が備えられない構造とする。これにより、埋め込み成長時に、支持板２３ａのうち円筒部２３ｂよりも内側を、支持板２３ａのうち円筒部２３ｂよりも外側と比べて相対的に温度を低くでき、多結晶４５が成長し難くなることを抑制することが可能となる。このため、ＳｉＣ単結晶７０と多結晶４５との成長面がフラットになり、ＳｉＣ単結晶７０を長尺に成長させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高品質で長尺なＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】昇華再結晶法による炭化珪素単結晶の製造装置において、容器１は、一面が開口しており内部に記炭化珪素原料２が配置される中空形状の本体１ａと、前記本体１ａの前記開口する一面側に配置される蓋材１ｂと、炭化珪素単結晶基板３が配置される台座５とを備え、前記蓋材１ｂと前記台座５とが別部材で構成され、前記台座５が接合部材６を介して前記蓋材１ｂに貼り合わされた構成とする。 （もっと読む）

【課題】昇華用原料の供給量や加熱温度を制御し、成長効率よく高品質な炭化ケイ素単結晶を製造できる方法を提供する。
【解決手段】昇華用原料微粉末５とキャリアガス３を炭化ケイ素種結晶を備える炭化ケイ素単結晶成長雰囲気内に供給する工程と、昇華用原料微粉末５を加熱し昇華させる工程と、昇華したガスを炭化ケイ素種結晶２上に供給し炭化ケイ素種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させる工程と、を含む炭化ケイ素単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】被処理物を急速昇温でき、熱効率及びスループットに優れるとともに、構成の簡素な熱処理装置を提供する。
【解決手段】高温真空炉は、被処理物を１，０００℃以上２，４００℃以下の温度に加熱する本加熱室２１と、本加熱室２１に隣接する予備加熱室２２と、予備加熱室２２と本加熱室２１との間で被処理物を移動させるための移動機構２７と、を備える。本加熱室２１の内部には、被処理物を加熱するメッシュヒータ３３と、メッシュヒータ３３の熱を被処理物に向けて反射するように配置される第１多層熱反射金属板４１と、が備えられる。移動機構２７は、被処理物とともに移動可能な第２多層熱反射金属板４２を備える。被処理物が予備加熱室２２内にあるときには、第２多層熱反射金属板４２が本加熱室２１と予備加熱室２２とを隔てて、メッシュヒータ３３の一部が第２多層熱反射金属板４２を介して予備加熱室２２に供給される。 （もっと読む）

【課題】チタンを用いた種結晶の固定方法において、カーボン面を成長面とした場合でも、成長結晶中に伸長するマクロ欠陥の発生を確実に抑制できる種結晶の固定方法を提供する。
【解決手段】黒鉛台座１に設けられた種結晶支持部２上にチタン３を配置するチタン配置工程と、所定の表面処理をした炭化珪素から成る種結晶４の（０００１）シリコン面を前記チタン３上に配置する種結晶配置工程と、前記種結晶４上に加圧部材５を配置した積層体６を形成する積層体形成工程と、前記積層体６を覆うように容器体を配置する積層体格納工程と、前記黒鉛台座１の下部温度をチタンの融点以上、且つ前記種結晶上に炭化珪素結晶を成長させる温度以下の範囲で加熱する加熱工程とから成る種結晶の固定方法。 （もっと読む）

【課題】良質な単結晶塊を良好な効率で成長させることができる構造の結晶成長装置を提供する。
【解決手段】結晶支持部２３１に放熱凹部２３２が形成されており、貫通孔２４３が断熱カバー部材２４０に形成されているので、結晶支持部２３１が放熱されて単結晶塊ＣＬが高効率に成長する。ルツボ部材２２０の放熱凹部２３２に連通した円筒状の誘導部材２３３が、断熱カバー部材２４０の貫通孔２４３を経由して上面より上方まで形成されている。漏出した昇華ガスがルツボ部材２２０と断熱カバー部材２４０との隙間を移動して外部に漏出した位置で冷却されて析出しても、これが放熱凹部２３２を閉塞することがない。従って、結晶支持部２３１を安定に低温に維持することができ、単結晶塊ＣＬを良好な効率で安定に成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】成長した単結晶自体による種結晶の相対移動の阻害およびすりあわせ部での結晶析出による種結晶の相対移動の阻害を抑制する。
【解決手段】円筒形状のヒータ部材６の内部に、台座７ａとガイド部材７ｂとを有する円筒状の結晶成長容器７を配置する。このとき、供給された原料ガスが結晶成長容器７とヒータ部材６との間を通過しないように、結晶成長容器７の一部１４をヒータ部材６の内壁に接触させておく。そして、原料ガスから炭化珪素単結晶が析出する温度で発熱する結晶成長温度領域６ａと、炭化珪素単結晶が析出する上限温度よりも高い温度で発熱する結晶未成長温度領域６ｂとを有するように、ヒータ部材６を発熱させる。この状態で、結晶成長容器７の一部１４がヒータ部材６の結晶未成長温度領域６ｂと接触した状態を維持するように一部１４をすり動かしながら、結晶成長容器７を引き上げて、種結晶１２上に炭化珪素単結晶インゴットを成長させる。 （もっと読む）

【課題】ガラス転移点（Ｔｇ）が低い通常の多成分系ガラスであっても、高い被覆率でダイヤモンド薄膜を合成するダイヤモンド薄膜の合成方法及びガラス基板にダイヤモンドの薄膜が積層してなる複合体を提供する。
【解決手段】多成分系ガラスからなるガラス基板にダイヤモンドの薄膜が積層してなる複合体であって、ガラス基板が多成分系ガラスであり、かつダイヤモンドの被覆率が５０％以上である複合体であって、上記ダイヤモンド薄膜の合成方法は、（Ａ）内部に加熱手段を有する密閉されたチャンバ内に水素及びダイヤモンド薄膜の炭素源としての液体炭素源を導入する工程、（Ｂ）前記加熱手段にて加熱し、液体炭素源から炭素を蒸発させてガラス基板上にダイヤモンドとして析出させる工程を有する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素を原料として昇華再結晶法によって欠陥の少ない炭化珪素単結晶を安定して製造する方法を提供すること。
【解決手段】炭化珪素を原料として昇華再結晶法によって炭化珪素単結晶を製造するための黒鉛坩堝に、坩堝内部から坩堝外部へガスが抜ける流路を形成することで、ポリタイプの安定した結晶成長が得られるようにする。 （もっと読む）