【課題】ＳｉＣ単結晶を成長させる際のドーパント濃度のバラツキを抑制する。
【解決手段】ＳｉＣ原料粉末３とドーパント元素４の配置場所を異ならせると共に、ＳｉＣ原料粉末３に対してドーパント元素４が種結晶２から離れた位置に配置されるようにする。そして、ドーパント元素４の配置場所をＳｉＣ原料粉末３の配置場所よりも低温にできる構成とする。これにより、ＳｉＣ原料粉末３が昇華し始めるよりも前にドーパント元素４が気化し切ってしまうことを防止することができ、成長させたＳｉＣ単結晶のインゴットが成長初期にのみドーパントが偏析したものとなることを抑制できる。したがって、ドーパント濃度のバラツキを抑制できるＳｉＣ単結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】種結晶を坩堝の中心軸からずらして配置しなくても、種結晶およびＳｉＣ単結晶の成長途中の表面形状を制御することで、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できるようにする。
【解決手段】種結晶となるＳｉＣ単結晶基板３に対向配置される遮蔽板６ａを有する遮蔽部６を備える。そして、遮蔽部６の遮蔽板６ａに備えたガス供給孔６ｂを通じて螺旋転位発生可能領域３ａに選択的に昇華ガスが供給されるようにする。これにより、ＳｉＣ単結晶基板３の中心よりも螺旋転位発生可能領域３ａ側において最も成長量が大きくなった凸形状とすることが可能となり、台座１ｃの厚みを非対称にして成長途中表面４ａに温度分布を設けたりしなくても良くなって、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 成長結晶である単結晶が種結晶取付部から受ける熱応力を抑制することができる炭化ケイ素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】 炭化ケイ素単結晶の製造装置１は、昇華用原料１３が収容される坩堝本体５と、前記昇華用原料１３に対向する部位に、種結晶２３を支持する第１の種結晶取付部２１が設けられた蓋体３と、を備え、前記第１の種結晶取付部２１は黒鉛から形成され、前記種結晶２３および前記昇華用原料１３は炭化ケイ素から形成され、前記第１の種結晶取付部２１は、蓋体３とは別体の薄板で形成されている。 （もっと読む）

【課題】 昇華再結晶法による単結晶の製造において、種結晶へのクラックなどの構造欠陥の発生を防止でき、高品質な単結晶を製造できる単結晶製造装置、及び単結晶製造装置を用いた炭化珪素単結晶の製造方法を提供できる。
【解決手段】本発明に係る単結晶製造装置１は、成長用の単結晶の成長の基となる種結晶１０と、単結晶の成長に用いられる昇華用原料２０を収容する坩堝１００とを備える。坩堝１００は、開口部１１１を有し、昇華用原料２０を収容する反応容器１１０と、開口部１１１に取り付けられる蓋体１２０と、種結晶１０を保持する保持部１３０とを備える。保持部１３０は、種結晶１０の蓋体１２０側（上面１０Ａ）に対する反対側（下面１０Ｂ）の一部のみと接する接触面１４３を有する。種結晶１０の厚みは、１ｍｍ以上である。種結晶１０と蓋体１２０とは、隙間なく接している。種結晶１０の全表面は、露出している。 （もっと読む）

【課題】高品質の炭化珪素結晶結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】表面１１ａと、表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有する種結晶１１を準備する工程、種結晶１１の裏面１１ｂを、台座４１に固定する工程、種結晶１１の表面１１ａ上に結晶１３を成長させる工程を備えた昇華法による炭化珪素結晶の製造方法であって、前記種結晶の裏面１１ｂを台座４１に固定する工程においては、種結晶１１の裏面にＳｉ層を被覆または配置し、Ｓｉ層を炭化させることにより、種結晶１１と台座４１とを固定する。 （もっと読む）

【課題】オフ角が０．５°以下とほとんどないオン基板のＳｉＣ単結晶からなる種結晶を用いてＳｉＣ単結晶を成長させる際に、異種多形のＳｉＣ単結晶の成長を防止し、高品質のＳｉＣ単結晶を製造することが可能なＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶４を配置する台座３に空洞部３ａを設け、空洞部３ａにおいて台座３の他の部分よりも放熱性を高める。そして、空洞部３ａのうち種結晶４側の部位が直径１ｍｍ以上、５ｍｍ以下の円形内に収まるようにすることで、種結晶４の表面に１つの成長核のみが形成され、その成長核からＳｉＣ単結晶が広がりながら成長する。これにより、初めに形成された成長核となる部分の上、つまりファッセットが形成される部分では、マイクロパイプ欠陥やらせん転位が発生するが、それら以外の領域では、基底面転位や積層欠陥の発生を防ぐことが可能となり、異種多形が発生しないようにできる。 （もっと読む）

【課題】大面積を有する高品質の単結晶炭化珪素を、工業的規模で安定に供給し得る結晶製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶１を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、予めＣＭＰ処理を施した炭化珪素基板を種結晶１として使用する。また、予めＣＭＰ処理及びエピタキシャル成長による炭化珪素皮膜を施した炭化珪素基板を種結晶１として使用してもよい。さらに、予め黒鉛坩堝３の上部蓋４と、種結晶１をグラファイト系接着剤により接着固定し、その後接着された種結晶１の表面にＣＭＰ処理、もしくはＣＭＰ処理及びエピタキシャル成長による炭化珪素皮膜を施して坩堝３を組み立ててもよい。 （もっと読む）

【課題】昇華法等の気相成長によって製造されるＳｉＣ等の結晶の品質を向上させることができる、坩堝、結晶製造装置、および支持台を提供する。
【解決手段】坩堝１００は、内部が空洞の本体部１０１と、本体部１０１の内周面に接続され、内部に突出した凸部１０２とを備えている。凸部１０２の側面にはねじが切られている。支持台１１０は、台座１１１と、台座１１１の端部に接続された突起１１２とを備えている。突起１１２の内周側にねじが切られている。結晶製造装置１２０は、坩堝１００と支持台１１０とを備えている。支持台１１０は、坩堝１００の凸部１０２に、互いに切られたねじにより取り付けられている。これにより、種基板１１の温度分布のばらつきが抑制され、したがって、成長する結晶の熱応力が抑制されるので、製造する結晶の品質向上がはかれる。 （もっと読む）

【課題】成長結晶中における所定値以上の温度勾配を維持しつつ成長結晶の中心部と外周部との温度差を小さくして、良質で大口径の単結晶を得ることができる炭化ケイ素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】昇華用原料１５を収容するるつぼ本体５と、前記昇華用原料１５に対向した位置に種結晶を取り付ける種結晶取付部２１が設けられた蓋体３とを有する坩堝９を備え、該坩堝９の外周側から加熱される炭化ケイ素単結晶の製造装置１であって、前記蓋体３の種結晶取付部２１について、内周側に配置された中央部３１の熱伝導率を外周側に配置された外側部３２の熱伝導率よりも大きく設定する。 （もっと読む）

【課題】昇華法による高品質のＳｉＣ結晶の製造方法、製造装置および積層膜を提供する。
【解決手段】昇華法によるＳｉＣ結晶の製造装置１００において、種結晶１１の裏面１１ｂ上に、カーボン硬質膜、ダイヤモンド膜、タンタル膜および炭化タンタル膜からなる群より選ばれた少なくとも一種の膜１２を形成し、前記種結晶１１の表面１１ａ上に結晶１３を成長させることにより、膜１２と、種結晶１１と、結晶１３とを備えた積層膜を形成する。前記積層膜は、膜形成時に隙間が発生しにくく、かつ熱が加えられても熱分解しにくい膜１２を備えているため、種結晶１１においてこの膜１２と反対側に形成された結晶１３は、種結晶１１の昇華を抑制して製造されたものとなるので、高品質の結晶１３を備えた積層膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】昇華再結晶法による単結晶の製造において、高品質な単結晶を製造できる単結晶製造装置、及び種結晶へのクラックなどの構造欠陥の発生を防止できる種結晶固定方法を提供できる。
【解決手段】本発明に係る単結晶製造装置１は、成長用の単結晶の成長の基となる種結晶１０と、単結晶の成長に用いられる昇華用原料２０を収容する坩堝１００とを備える。坩堝１００は、開口部１１１を有し、昇華用原料２０を収容する反応容器１１０と、開口部１１１に取り付けられる蓋体１２０と、種結晶１０を保持する保持部１３０とを備える。種結晶１０は、蓋体１２０側に種結晶１０を保護する保護層１５を有する。保持部１３０は、種結晶１０の蓋体１２０側（上面１０Ａ）に対する反対側（下面１０Ｂ）の一部のみと接する接触面１４３を有する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素原料の昇華ガスを供給して炭化珪素種結晶上に炭化珪素の単結晶を成長させる方法において、貫通欠陥のない高品質の炭化珪素単結晶を製造するための炭化珪素種結晶の固定方法及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】台座１０上に炭化珪素種結晶１３を固定する方法であって、前記台座１０の種結晶側表面１０ａを鏡面研磨する工程と、真空中で前記台座１０の種結晶側表面１０ａ及び前記炭化珪素種結晶１３の台座側表面の少なくとも一方に原子またはイオンを照射する照射工程と、真空中で前記台座１０の種結晶側表面１０ａと前記炭化珪素種結晶１３の台座側表面とを密着させた後に加圧して直接接合する接合工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な品質の単結晶を製造することができる炭化ケイ素単結晶の製造装置及び炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による坩堝１は、昇華用原料３を収容する坩堝本体５と、該坩堝本体５の開口を塞ぐと共に種結晶７を支持する取付部９が設けられた蓋体１１と、前記取付部９の外周部から昇華用原料３側に向けて延びるガイド部材１３と、を備える。このガイド部材１３において取付部９側に位置する取付部側端部２１に、前記種結晶７の外周端部であるベベル部３５を昇華用原料３側から覆うカバー部２７を突出して形成させている。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶の品質を低下させることなく、炭化ケイ素単結晶の大口径化に対応できる炭化ケイ素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】本発明による単結晶製造装置１は、炭化ケイ素を含む種結晶１１と、該種結晶１１と対向する側に配設され前記種結晶１１の成長に用いられる昇華用原料１０とを収容する坩堝２を備える炭化ケイ素単結晶の製造装置１である。前記坩堝２は、前記昇華用原料１０が収容される坩堝本体７と、前記種結晶１１が配設される蓋体８とを備え、前記種結晶１１の径方向中央側に対応する前記蓋体８の中央領域における厚みＴ１は、前記種結晶１１の径方向中央側よりも径方向外側に対応する周辺領域における前記蓋体８の厚みＴ２よりも大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】結晶成長中に坩堝内壁より種結晶が剥離、脱落するのを抑制し、かつ、結晶性が良好な窒化アルミニウム単結晶を製造することのできる窒化アルミニウム単結晶の製造方法および製造装置の提供。
【解決手段】本発明の窒化アルミニウム単結晶の製造装置１は、上部に開口部を有し、内底部に原料１２を収納する坩堝１１と、前記開口部近傍に設置された蓋体１３と、蓋体１３の下面側に原料１２と対向するように配置された種子基板１４と、種子基板１４の下部に配置され、かつ、種子基板１４の外周部の少なくとも一部に接し、その中心部に種子基板１４の外径より小さな貫通開口を有する種子基板保持部材１５とを備え、種子基板１４は、種子基板保持部材１５により保持されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】台座上に固定された種結晶を用いて高品質の単結晶を成長させることができる、単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】第１および第２の面Ｐ１、Ｐ２を有し、かつ炭化珪素からなる種結晶１１が準備される。第１の面Ｐ１上に第１の炭化層２２ａが形成されるように、種結晶１１の表面が炭化される。接着剤を挟んで第１の炭化層２２ａと台座４１とが互いに接触させられる。種結晶１１を台座４１に固定するために接着剤が硬化させられる。台座４１に固定された種結晶１１の第２の面Ｐ２上に単結晶５２が成長させられる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素の高品質の単結晶を生成する。
【解決手段】シード結晶とシード・ホルダとの距離を、シード結晶とシード・ホルダとの間の伝導性熱転移が、シード・ホルダに隣接するシード結晶の表面全体に渡って、これらの間の放射性熱転移よりも大きくなるまで、減少させる。特に、シード結晶及びシード・ホルダが直接接触するときに良好な結果が得られ、接触面は常に１０μｍ以下、好ましくは１μｍ未満である。このような関係を得るために、シード・ホルダ２５に固定されているエッジ・リング・シード・キャップ２７にシード結晶２４を支持している。成長する結晶２６もキャップに支持される。 （もっと読む）

【課題】結晶格子面の反りが小さく、欠陥密度が低く高品質であって、加工時にクラックが発生しない炭化珪素単結晶及びその製造方法、並びに炭化珪素単結晶ウェーハ及び炭化珪素単結晶インゴットを提供する。
【解決手段】台座６ｃに装着された炭化珪素種結晶４上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、炭化珪素種結晶４の結晶格子面の反りを測定する工程と、前記成長時において、前記反りを解消する方向に炭化珪素種結晶４を反らせる材料からなる台座６ｃを選択する工程と、前記台座６ｃに炭化珪素種結晶４を装着する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】歪みのない高品質の炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】台座１０に配置された炭化珪素種結晶１３に炭化珪素原料の昇華ガスを供給して、炭化珪素種結晶１３上に炭化珪素の単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、台座１０と前記炭化珪素種結晶１３との間に炭化珪素からなる離間部材１１を配置して、離間部材１１を前記台座１０上に非接着で支持部材１２によって機械的に保持し、離間部材１１の前記台座１０と反対側の面に炭化珪素種結晶１３を接着し、離間部材１１の炭化珪素種結晶１３との接着面が支持部材１２の最下位置から鉛直方向に５ｍｍ以上離間するように、離間部材１１と支持部材１２とを相対的に配置して、炭化珪素単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】転位欠陥の発生の少ない高品質の炭化珪素単結晶を製造するための坩堝及び製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素原料４を収容する坩堝容器部１と炭化珪素種結晶５が取り付けられる坩堝蓋部２とを有し、前記坩堝蓋部２には、坩堝１の内部と外部との間を貫通すると共に、結晶成長時には前記種結晶５が吸着して閉塞される貫通孔３が形成されている、改良型レーリー法による炭化珪素単結晶製造用坩堝１であって結晶成長が始まる前、貫通孔３等を通じてガス交換により、結晶成長空間８と坩堝外部との間に圧力差を生じないため、坩堝蓋部２に吸着・支持されずに隙間Ｄが維持された状態にあった種結晶５は、結晶成長時には、坩堝外部の圧力を坩堝内部８の圧力に対して低くなるように制御することで坩堝蓋部２に吸着される。その結果、熱膨張差に起因した応力や歪の無い状態で種結晶５を坩堝蓋部２の内側部分に支持することができる。 （もっと読む）