【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を形成することができるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜の製造方法、及びその方法により形成されたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶膜を含む結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶をβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板２上、又はβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板２上に形成されたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、成長の間にβ−Ｇａ_２Ｏ_３結晶に一定周期で間欠的にＳｎを添加する工程を含む方法により、Ｓｎ添加β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜３を製造する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型伝導性のＮドープＺｎＯ系半導体膜の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体膜製造方法は、Ｚｎソースガン、Ｏラジカルガン、Ｎラジカルガン、Ｍｇソースガンを備え、Ｎラジカルガンが、ラジオ周波が印加されｐＢＮまたは石英を用いた無電極放電管を含む結晶製造装置により、ＮドープＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ膜を成長させる方法であって、基板法線方向から見て、膜の成長表面側上方に、Ｚｎソースガン、Ｏラジカルガン、Ｎラジカルガン、Ｍｇソースガンが円周方向に並んで配置されており、ＮラジカルガンとＺｎソースガンのビーム照射方向の方位角同士のなす角θ_ｃを９０°≦θ_ｃ≦２７０°とするとともに、ラジオ周波パワーを、無電極放電管からスパッタリングされたＢまたはＳｉが膜中に取り込まれない程度に低くする。 （もっと読む）

本発明は、処理領域（２）を取り囲む成長室（１）、この成長室（１）の側壁（３）の内面を覆う側部部分（１０）を少なくとも有する主低温パネル、サンプルホルダー（６）、材料を蒸発させる少なくとも１つのエフュージョンセル（８）、気体状プレカーサーを前記成長室（１）に注入することのできるガスインジェクター（９）、前記成長室（１）に連結され、高い真空能力を提供することのできる排気手段（１１）を備えている、半導体材料のウエハを製造する分子線エピタキシー装置に関する。本発明によれば、本分子線エピタキシー装置は、少なくとも成長室壁（３，４，５）の内面を覆う断熱材囲い（１４）を備え、この断熱材囲い（１４）は、気体状プレカーサーの融点より低いか、これと同一である温度Ｔ_ｍｉｎを有する低温部と、高温部を備え、この高温部は、該高温部上の気体状プレカーサーの離脱速度が、気体状プレカーサーの吸着速度の少なくとも１０００倍以上であるような温度より高いか、これと同一である温度Ｔ_ｍａｘを有している。
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【課題】波長２５０〜２７０ｎｍの深紫外域で発光する光源として使用可能な高機能性Ｇａ₂Ｏ₃単結晶薄膜を、簡便な手段で作製する。
【解決手段】光学式浮遊帯域溶融法を用いて作製したβ‐Ｇａ₂Ｏ₃単結晶ウエハを基板とし、この基板の（１００）面上に分子線エピタキシー法を用いて８００℃以上の温度でβ‐Ｇａ₂Ｏ₃単結晶膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】成膜時間に関係なく一定の成膜レートを維持することのできるＭＢＥ装置等を提供する。
【解決手段】本発明のＭＢＥ装置１００は、分子線発生部１０ａ・１０ｂと、真空計１４ａ・１４ｂと、光源ユニット６と受光ユニット７とを有する原子吸光式成膜モニタ８と、分子線発生部１０ａ・１０ｂの温度を制御する温度制御演算器１３とを備えている。温度制御演算器１３は、原子吸光式成膜モニタ８の測定結果が、真空計１４ａ・１４ｂの測定結果から算出した分子線源の残量より算出した原子吸光式成膜モニタ８の制御目標値となるように、分子線発生部１０ａ・１０ｂの温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】つぼの中の薄膜素子材料の残量が減少しても、ニードルバルブにより分子線量を毎時一定に調整出来るようにする。
【解決手段】薄膜堆積用分子線源は、るつぼ３１、４１の中の薄膜素子材料ａ、ｂを加熱するためのヒータ３２、４２と、基板５１の成膜面へ向けて前記るつぼ３１、４１で発生した薄膜素子材料ａ、ｂの分子を放出する量を調節するバルブ３３、４３を備える。さらに、前記成膜面に向けて放出される分子線量を検知する膜厚計１６、２６で検知された分子線量情報を帰還して、サーボモータ３６、４６によりバルブ３３、４３の開度を調節する制御手段と、前記ヒータ３２、４２の加熱のための電力を供給する加熱電源と、前記分子線量情報とバルブ開度情報とから前記加熱電源の投入電力を調整する制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】 形成された薄膜の品質が安定している薄膜形成方法および薄膜形成ユニットを提供することである。
【解決手段】 結晶成長工程では、薄膜形成装置１１を用いて薄膜を形成する。このとき形成された薄膜の特性値には、プロセス誤差ｗが含まれている。計測工程では、計測部１２によって形成される薄膜の計測特性値を計測する。このとき計測される計測特性値には、計測誤差νが含まれている。仮想結晶成長工程では、仮想的薄膜形成装置１３におって形成される薄膜の特性値を演算によって求め、演算特性値を演算する。計測誤差除去工程では、計測誤差除去部１４によって、演算特性値と計測特性値とに基づいて、プロセス誤差ｗおよび計測誤差νのうち計測誤差νだけを計測特性値から除去した予測特性値を演算することができる。さらに装置条件決定工程では、条件設定部１５によって予測特性値に基づいて、薄膜形成装置１１の新たな装置条件が決定される。 （もっと読む）

ａ）分子線エピタキシ法（molecular beam epitaxy：MBE）を用いて、立方晶III-V族基板上にエピタキシャルIII族窒化物材料を成長させるステップと、ｂ）前記III族窒化物基板が立方晶III族窒化物自立基板として残るように、前記III-V族基板を除去するステップと、を含む立方晶III族窒化物自立バルク基板の製造方法。III族窒化物デバイスの製造のための立方晶III族窒化物自立バルク基板。 （もっと読む）

【課題】 サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を結晶成長させる際に、反りの発生状態を的確に把握し、これに対処する。
【解決手段】 サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体からなる結晶層を結晶成長させるに際し、サファイア基板を表面を鏡面研磨した支持具上に載置し、ニュートンリングを観察することにより反りを把握する。また、サファイア基板上での窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長に際しては、結晶成長させる結晶層の厚さに対してサファイア基板の厚さを厚くする。具体的には、サファイア基板の厚さをｄ、サファイア基板の直径をｒ（インチで表した時の数値）、結晶層の厚さをｔとしたときに、ｄ≧５０×ｒ×ｔとなるようにサファイア基板の厚さを選定する。 （もっと読む）