【課題】表面品質の良好な半導体デバイスを製造し、製造歩留まりを向上させ、製造コストの低下を図ることができる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】成長基板１１上に、互いに間隔をおいて成長基板１１の表面側に隆起してなる底部１３１と該底部１３１の上に続いて形成する先端部１３２とを有する複数の突起１３、１３、・・・を形成する工程と、複数の隣り合う突起の間に成長基板１１側とキャビティ１６が画成されるようベース層１５を、複数の突起１３、１３、・・・のそれぞれの先端部１３２、１３２、・・・に跨るように横方向へ成長させる工程と、半導体デバイスとして、ベース層１５を直接厚く成長させて、厚膜層１７を形成する工程と、複数の突起１３、１３、・・・のそれぞれの底部１３１、１３１、・・・を除去し、厚膜層１７を半導体デバイスとして成長基板１１から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶基板自体の破壊靭性を改善する。
【解決手段】窒化物半導体単結晶基板は、ＧａＮの組成と、１×１０¹⁷ｃｍ^-3以下の全不純物密度と、１．２ＭＰａ・ｍ^1/2以上の破壊靭性値と、２０ｃｍ²以上の面積をと有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層にエピ欠陥が形成されることがなく、かつバルク部に高密度のＢＭＤが形成されることによって強力なゲッタリング能力を備えたエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウェーハの製造方法において、チョクラルスキー法によって、抵抗制御用ドーパントを除いては炭素のみをドープしてシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工した後、急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）装置を用いて熱処理を行い、その後、該単結晶ウェーハ表面にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】異種材料基板剥離のための中間層と自立基板となる第二の窒化物半導体層との結合を低減でき、ＧａＮ等の窒化物半導体自立基板の製造の歩留りを向上する方法を提供する。
【解決手段】窒化物とは異なる異種材料基板１に転位密度が１.０×１０^１０／ｃｍ^２以上である第一の窒化物半導体層２を形成した窒化物半導体下地基板上に、異種材料基板剥離用の中間層３と第二の窒化物半導体層４とが積層された窒化物半導体積層基板である。 （もっと読む）

【課題】複数枚のＩＩＩ族窒化物単結晶基板を形成することができ、かつ、結晶成長を繰り返してもＩＩＩ族窒化物単結晶基板を切り出すことができる領域が減少しないＩＩＩ族窒化物単結晶の製造方法、及びこの製造方法を用いて製造したＩＩＩ族窒化物単結晶からＩＩＩ族窒化物単結晶基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物単結晶の製造方法は、成長方向に垂直で第１の所定の面積を有する第１の結晶面１２、及び成長方向に傾斜して第２の所定の面積を有する第２の結晶面１３を有した種結晶を準備する種結晶準備工程と、成長条件を制御して、第１の所定の面積及び第２の所定の面積をそれぞれ所定の面積に維持しつつ、第１の結晶面１２及び第２の結晶面１３上にＩＩＩ族窒化物単結晶を成長させる結晶成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】多結晶の成長を抑えて、目的とする窒化物半導体を効率よく成長させることができるとともに、成長させた窒化物半導体結晶に割れを生じさせることなく容易に取り出すことができるような窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】主面とその裏面を備える種結晶１１０を支持体１０７の上に裏面が接するように設置し、主面に原料ガスＧ３，Ｇ４を供給することにより窒化物半導体結晶を成長させる工程を含む窒化物半導体結晶の製造方法であって、種結晶１１０の裏面外縁の少なくとも一部が原料ガスＧ３，Ｇ４に触れる状態で露出している。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好な高濃度ドープ窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】硫黄原子を含む原料を供給して、下地基板２０１上に窒化物半導体結晶２０２を＋ｃ軸方向以外の方向へ成長させる。具体的には、−ｃ軸方向、ｍ軸方向、または、半極性面の法線方向である。ここで、半極性面とは（１０−１−３）面である。また、原料は、硫化水素、メチルメルカプタンおよびジメチルサルファイドからなる群より選択される少なくとも１つの化合物を含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤダイヤモンド層を提供すること。
【解決手段】研磨工具へのインサートとして用いるためのＣＶＤダイヤモンド層であって、
（ｉ）層が少なくとも０．０５原子％の濃度でホウ素ドーパント原子を含有すること；及び
（ii）長さ１８ｍｍ、幅２ｍｍ及び厚さ１．４ｍｍ以下のサンプルに対して三点曲げ試験によって測定して、テンション状態にある成核相による少なくとも６００ＭＰａの平均引張り破断強度と、テンション状態にある成長面による少なくとも３００ＭＰａの平均引張り破断強度を特徴とするＣＶＤダイヤモンド層。 （もっと読む）

【課題】水平型ＨＶＰＥ装置を用いて単結晶窒化アルミニウム膜等のIII族窒化物を製造するに際し、原料ガスの有効利用を図ると共に、基板外での結晶成長を抑制し、経時的に成膜速度を低下させることなく長時間安定して製膜することができ、３００μｍを越えるような膜厚のIII族窒化物単結晶膜を効率良く製造することができる装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１３０に保持される基板１４０を加熱するための加熱手段１２０と、III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとの組み合わせからなる原料ガスを反応部１１１内に供給する原料ガス供給手段１５０と、を備える水平型ＨＶＰＥ装置１００において、反応部１１１の底面に設けられた穴にサセプタ１３０を回転可能に収納設置すると共に、断熱機構及び／又は冷却機構をサセプタ１３０に配設して成膜時におけるサセプタ１３０の周縁端部１３３の温度を基板１４０の温度よりも１５０℃以上低温とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜化をするための加工をする際に発生するクラックを抑制し、かつ厚みの大きい窒化ガリウム結晶を成長させることのできる、窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハ、エピウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム結晶の成長方法は、キャリアガスと、窒化ガリウムの原料と、ドーパントとしてのシリコンを含むガスとを用いて、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）法により下地基板上に窒化ガリウム結晶を成長させる窒化ガリウム結晶の成長方法である。窒化ガリウム結晶の成長時におけるキャリアガスの露点が−６０℃以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ単結晶層に基づく良質の結晶成長が可能な、新たな窒化物単結晶基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】窒化物単結晶基板の製造方法は、母基板３１上に酸化膜または窒化膜から成る犠牲層３２を形成する段階と、犠牲層３２上に多結晶状のＺｎＯ層３３を形成する段階と、ＺｎＯ層３３を部分的に分解してナノサイズのＺｎＯパターン３３’を形成する段階と、ＺｎＯパターン３３’をシードとして窒化物バッファ層３４を形成する段階と、窒化物バッファ層３４上に窒化物単結晶３５を成長させる段階と、犠牲層３２を化学的に除去することにより母基板３１から窒化物単結晶３５を分離させる段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】気相成長膜の成膜の前後のガスによる副生成物の生成を抑止するライナを備えた気相成長装置及びこれを使用した気相成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１０１と、プロセスガス１１０を供給するガス供給部１０２と、チャンバ１０１内からガスを排気するガス排気部１０８とを備えた気相成長装置１００であって、チャンバ１０１の内壁部１３０の物性が上部ライナ１３１と下部ライナ１３２とで異なるように構成されており、下部ライナ１３２は、上部ライナ１３０に比べ、熱エネルギーが吸収しやすく、且つ蓄熱性が高い物性の基材で構成されていることを特徴とする。これにより、プロセスガス１１０及び生成ガス１１２に起因するライナ１３０全面への副生成物の生成を抑止することができる。
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【課題】アズグロウンの状態での基板の反りを小さくすることにより、基板表面の面方位のばらつきを低減させることができるＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法、並びに当該基板を使用した基板面内均一性に優れたＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板裏面の転位密度が３×１０^６ｃｍ^−２以下であり、かつ厚さ方向において基板裏面から表面に至るまで転位密度が３×１０^６ｃｍ^−２／ｍｍ以下の割合で減少しているＧａＮ自立基板１０を用いて、その上にＧａＮ系半導体結晶からなるエピタキシャル層を形成して発光素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させた発光素子などの半導体装置を得ることが可能なＧａＮ基板、当該ＧａＮ基板の主表面上にエピタキシャル層を形成したエピタキシャル層付き基板、半導体装置およびＧａＮ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板は、主表面を有するＧａＮ基板であって、主表面の法線ベクトルに対し、面方位［０００１］に対応するベクトルＡＢを、互いに異なる２つのオフ角θ１およびθ２だけ傾斜させたベクトルＡＤの方向に傾斜させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡単な工程により、安価でストレスフリーなＧａＮ系窒化物半導体の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板を準備する工程と、該基板上にＧａＮドット及びＮＨ_４Ｃｌ層を形成する工程と、ＧａＮドット及びＮＨ_４Ｃｌ層上に低温ＧａＮバッファ層を形成する工程、低温ＧａＮバッファ層上にＧａＮ系窒化物半導体層を形成する工程と、基板温度を常温に戻すことによりＧａＮ系窒化物半導体層を基板より自然剥離させる工程とを含む、ＧａＮ系窒化物半導体自立基板の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】種基板に多結晶の半導体結晶が付着することを抑制する半導体結晶の成長方法および半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】半導体結晶の成長方法は、気相成長法により半導体結晶を成長させる方法であって、以下の工程を実施する。まず、種基板１１を準備する工程を実施する。次に、半導体結晶と同じ組成の結晶からなる枠状部２１を種基板１１の側面を囲むように配置して、種基板１１上に気相成長法により半導体結晶を成長させる工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコンで構成された薄膜トランジスタなどの半導体素子において結晶粒界の欠陥や結晶シリコン中に含まれる触媒金属や不純物の影響を受けない半導体薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に第１の結晶シリコン層１０２が形成され、第１の結晶シリコン層１０２の上に第２の結晶シリコン層１０３が形成される半導体薄膜において、第２の結晶シリコン層１０３は、第１の結晶シリコン層１０２の結晶性を継承するようにエピタキシャル成長によって形成され、第２の結晶シリコン層１０３には、第１の結晶シリコン層１０２よりも、不純物の量が少なく、水素又はハロゲン元素が多く含まれることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル装置内のＳｉＣ粉塵がＳｉＣ基板上に落下するのを回避し、メモリ効果を抑制して多数回繰り返しエピタキシャル成長できるエピタキシャル成膜装置を提供する。
【解決手段】軸方向端部に反応ガス流入口と排出口とを有し減圧可能な耐熱円筒管１内に、軸方向に沿って所定の長さのサセプタ３が、断熱材２を介して配置され、該サセプタ３の内側に設けられる反応室４空間内にＳｉＣ結晶基板５を載置するための複数の平板状支持基板５が相互に平行に上下方向に間隔を置いて搬出搬入可能な形態で設置され、前記サセプタ３の位置に対向する前記円筒管１の外側に誘導加熱装置を備え、前記複数の平板状支持基板５のうち、より上側の支持基板１１が前記サセプタ３または断熱材２の端面からガス流の上流側へ、より多くはみ出すように設置されているエピタキシャルＳｉＣ成膜装置とする。 （もっと読む）

【課題】高品位で大面積の非極性面を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物窒化物半導体結晶を得るために有利な製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶２００の製造方法は非極性面であるＭ面を有する種結晶Ｓを準備し、非極性面であるＭ面からＩＩＩ族窒化物半導体２００を気相中で成長させる成長工程を具備し、成長工程は、種結晶Ｓの＋Ｃ軸方向（＜０００１＞方向）に伸びるようにＩＩＩ族窒化物半導体２００を成長させることを含む。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を維持するとともに、コストを低減して窒化物半導体結晶を成長させる窒化物半導体結晶の成長方法および窒化物半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶の成長方法は、使用される領域を含む表面を有し、窒化物半導体からなる基板を準備する工程（Ｓ１０）と、ハイドライド気相成長法により、基板の表面上に窒化物半導体結晶を成長させる工程（Ｓ２０）とを備えている。準備する工程（Ｓ１０）では、使用される領域に存在する異物の大きさが１μｍ以上１０μｍ以下であり、使用される領域において異物が覆う面積が使用される領域の面積の０．０１％未満である基板を準備する。 （もっと読む）