【課題】極性反転結晶領域の大きさが小さくまたその密度が低いＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶基板を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の成長方法は、主結晶領域１１とその領域に対して［０００１］方向の極性が反転している複数の極性反転結晶領域１２とを含むＧａＮ基板１０を準備する工程と、ＧａＮ基板１０の（０００１）Ｇａ主面１０ｇ上に、気相法によりＧａＮ結晶２０を成長させる工程を含み、ＧａＮ結晶２０は、主結晶領域１１上に成長する第１の結晶領域２１と、各極性反転領域１２上にそれぞれ成長する複数の第２の結晶領域２２とを含み、第２の結晶領域２２は、第１の結晶領域２１に対して、［０００１］方向の極性が反転しており、第１の結晶領域２１は、第２の結晶領域２２に比べて結晶成長速度が高く、第２の結晶領域２２を埋め込むように成長する。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系化合物半導体の製造を低コストで簡便に行うことを可能とするIII族窒化物系化合物半導体製造用基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物系化合物半導体製造用基板の製法は、窒素ガス単体若しくは純度９９．９％以上のＡｒガスを含む窒素ガスを用いて運動エネルギーが１００ｅＶ以下の窒素プラズマを形成し、次いで、この窒素プラズマを表面粗さＲａが０．２ｎｍ以下のサファイア基材表面に照射してＡｌ窒化物層から成る厚さ１０ｎｍ以下の金属窒化物層を生成した後、この金属窒化物層を有するサファイア基材を熱処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生を抑制して厚いＧａＮ結晶を成長させることが可能なＧａＮ結晶の製造方法およびＧａＮ結晶基板を提供する。
【解決手段】ＧａＮ種結晶基板１０上にＧａＮ結晶２０を成長させる方法であって、ＧａＮ種結晶基板１０の熱膨張係数がＧａＮ結晶２０に比べて大きくなるような第１のドーパントを含むＧａＮ種結晶基板１０を準備する工程と、ＧａＮ種結晶基板１０上に厚さ１ｍｍ以上のＧａＮ結晶２０を成長させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】表面状態や断面形状が良好なIII族窒化物半導体の厚膜結晶を成長させることができる下地基板を提供する。
【解決手段】第１結晶成長面１１０と第１結晶成長面１１０と同じ方向に面している第２結晶成長面１０９を有する下地基板１１２であって、第１結晶成長面１１０の周縁の５０％以上または全周縁に下向きの段差を介して第２結晶成長面１０９が連接している。ここで、第１結晶成長面１１０は円形とし、第２結晶成長面１０９は環状であり、第１結晶成長面１１０と同心とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板上に形成した金属窒化層を利用して、転位密度の低い優れた発光特性をもったＧａＮ半導体などのIII族窒化物半導体を、従来の製造方法に比べて、より少ない工程で製造する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１の（０００１）Ｓｉ面上に金属層を部分的に設け、金属層および金属層の間に露出するＳｉＣ基板１の（０００１）Ｓｉ面を窒化することにより、金属窒化物層２とＳｉＮ面４を形成し、金属窒化物層２にIII族窒化物半導体３をエピタキシャル成長させ、ＳｉＮ面４上に横方向成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板上に形成した金属窒化層を利用して、転位密度の低い優れた発光特性をもったＧａＮ半導体などのIII族窒化物半導体を製造する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板の（0001）Ｓｉ面上に金属層を設け、金属層を窒化することにより、金属窒化物層を形成し、金属窒化物層にIII族窒化物半導体を形成させる。化学処理などにより金属層を溶解し、ＳｉＣ基板から分離した多様な半導体構造体を得る。金属層としては、Ｃｒ層を用いる。 （もっと読む）

【課題】膜厚が均一な炭化珪素半導体結晶膜を形成すること。
【解決手段】炭化珪素半導体結晶膜形成装置は、コイルによって誘導加熱されるホットウォール２の内壁面にウエハー６を設置し、ホットウォール２内にガスを供給してウエハー６の表面に炭化珪素半導体結晶膜を形成する。ホットウォール２はグラファイトで形成されており、ホットウォール２の内壁面のうち、ウエハー６が設置される面およびウエハー６の表面と対向する面以外の面は、炭化タンタルコート７で被覆されている。 （もっと読む）

【課題】結晶を厚く成長させても、転位を特定部分に集めて閉じ込めることにより、転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板１０の主面１０ｍの一部に複数のマスク１４を形成する工程と、主面１０ｍ上においてマスク１４の端面１４ｅに繋がる位相境界２６を含むＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程を含み、各マスク１４は、ケイ素化合物マスクとケイ素化合物マスクの端面の少なくとも一部に接触する融点が１０００℃以上の遷移金属マスクを含む。 （もっと読む）

【課題】異形ポリタイプの混入がなく、また、表面欠陥が少ないか又は全くなく、さらには残留不純物密度のより少ないＳｉＣ単結晶エピタキシャル薄膜を高速で成長させる方法を提供する。
【解決手段】六方晶系ＳｉＣ単結晶基板の（０００１）Ｓｉ面に、炭素原子とケイ素原子の原子数比（Ｃ／Ｓｉ比）が０．２０以上０．７５未満の原料ガスを導入することにより、基板と同じポリタイプのＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させる。また、エピタキシャル成長は、２０ｋＰａ以下の減圧下で行なう。 （もっと読む）

【課題】複雑な処理を必要とせずに高濃度のＧｅを含有するＳｉＣＧｅ結晶を成長する方法を提供する。
【解決手段】基板上のＳｉＧｅ結晶薄膜を炭化することによりＳｉＣＧｅ結晶薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】従来の気相成長装置においては、半導体ウェハ上に成膜される膜厚が一定ではなく、また、不純物濃度にもバラつきがあり、未だ改良すべき点があった。本発明は、半導体ウェハ上に成膜される膜を略均一に、そして不純物濃度のバラツキも少なくした新規な気相成長装置及び気相成長方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバ１０３内に、支持台１０１上に載置されたウェハ１０２が収容され、ウェハ１０２上に成膜するためのガスを供給する第一の流路１２１及びウェハ１０２上に成膜される膜の不純物濃度を制御するためのガスを供給する第二の流路１３１が前記チャンバに接続された気相成長装置において、上述した第一の流路が２経路１ａ、１ｂ、第二の流路が２経路２ａ、２ｂに分割され、ウェハ１０２上の周辺部と中央部に、個々に供給されるように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体量子ドットの製造方法に関し、Ｓｉ基板上で３次元電子閉じ込めを実現できるドット状の良好な形状特性をもち、且つ、結晶性良好な化合物半導体量子ドットを実現させようとする。
【解決手段】Ｓｉ_1-x-y Ｇｅ_x Ｃ_y （ｘ≧０、ｙ≧０）バッファ層２上にＩｎＡｓ量子ドット５を形成するのに必要な化合物半導体原料の一方の族の原料、例えばＡｓＨ₃ のみを先行して供給した後、全ての原料、例えばＡｓＨ₃ 及びＴＭＩｎを供給してＩｎＡｓ量子ドット５を形成する工程が含まれる。 （もっと読む）

【課題】下地基板の上にマスクを設けその上にＧａＮをＨＶＰＥ成長させマスク端部から立ち上がるファセットを維持しながら成長させると、マスクの部分は欠陥集合領域Ｈとなりファセット成長した部分は単結晶低転位領域となるが、欠陥集合領域Ｈが多結晶だったり方位が傾斜した単結晶だったりする。そこで、クラックの生じない自立ＧａＮ基板を提供する。
【解決手段】初め低温で成長させマスク６３上に多結晶微粒子７０を生成し高温でエピタキシャル成長させ露出部６９だけに窒化ガリウム薄膜６４が成長するようにし、マスク６３の端から傾斜して伸びるファセット６６を充分に広くなるようにし、ファセット６６から方位反転した爪状の突起６８がマスク６３の上方へ伸びるようにする。突起６８が伸び合体し、その上に成長する部分は方位反転結晶の欠陥集合領域Ｈとなる。熱膨張率異方性の違いがなくクラックが発生しない基板を与えることができる。 （もっと読む）

【課題】結晶成長面が平坦で結晶成長速度が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本窒化ガリウム結晶の成長方法は、窒化アルミニウム結晶の主面上に、ハイドライド気相成長法により窒化ガリウム結晶を成長させる方法であって、その主面は窒化アルミニウム結晶の（０００１）Ａｌ表面であり、窒化ガリウム結晶の成長温度が１１００℃より高く１４００℃より低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 気相成長装置において、簡単な方法で異常な臭いを軽減でき、気相成長中の副生成物発生を抑制可能で、気相成長装置の稼働率向上、気相成長反応時のプロセス条件を安定化できる温度制御方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、チャンバ内に、支持台上に載置されたウェハが収容され、ウェハ上に成膜するためのガスを供給する第一の流路及びガスを排気する第二の流路がチャンバに接続され、チャンバの周囲にチャンバ内の温度を制御するための冷却水循環部が設けられ、冷却水循環部の冷却水の温度を制御する温度制御器が設けられ、チャンバに、チャンバの内壁部及び排気ガスを排気する第二の流路を洗浄するために、塩化水素を含むガスを供給する洗浄ガス流路が設けられてなる気相成長装置において、チャンバを開放する際の冷却水の温度を、常温より高い温度に設定することを特徴とする気相成長装置の温度制御方法である。 （もっと読む）

【課題】良質で長尺なＳｉＣ単結晶インゴットを得る方法を提供する。
【解決手段】種結晶７の結晶成長面における中心部７ａと中心部の周辺に位置する周辺部７ｂとのうち、中心部７ａのみに混合ガスを導入するための中心部用ガス導入管４ａと、中心部７ａ）と周辺部７ｂのうち周辺部７ｂのみに混合ガスを導入するための周辺部用ガス導入管４ｂとをそれぞれ複数本ずつ備える製造装置を用いて、炭化珪素単結晶１０の成長量の増大に伴って、中心部用ガス導入管４ａおよび周辺部用ガス導入管４ｂを同時に流れる混合ガスの全流量に対しての中心部用ガス導入管４ａを流れる混合ガスの流量割合を増大させながら、炭化珪素単結晶１０を成長させる。 （もっと読む）

【課題】気相エピタキシーを用いて半導体複合材料を製造するための方法および装置を提供すること。
【解決手段】半導体複合材料、好ましくはIII−Ｎバルク結晶またはIII−Ｎ層がハイドライド気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）を用いてリアクタ内で製造され、キャリアガスの混合気中において局所質量流量によって表されるフロープロファイルがリアクタ内に形成される。混合気は１つまたは複数の反応ガスを基板へ運ぶことができる。その結果、反応ガスの反応および堆積に重要となる水素の濃度が基板表面上で、リアクタ内で同時に形成されるフロープロファイルとは独立して調整される。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

層状半導体デバイスの製造方法であって、（ａ）複数の半導体ナノ構造を含む基体を用意する工程と、（ｂ）エピタキシャル成長法によって前記ナノ構造上に半導体材料を成長させる工程と、（ｃ）エピタキシャル成長法によって前記半導体材料上に前記半導体デバイスの層を成長させる工程と、を含む方法。
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【課題】大型で反りが少なく結晶性のよいＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、下地基板１０を準備する工程と、下地基板１０を複数の下地チップ基板１０ｃに分割する工程と、複数の下地チップ基板１０ｃをその主面１０ｍが互いに平行に、かつその側面１０ｓが互いに隣接するように配置する工程と、複数の下地チップ基板１０ｃの主面１０ｍ側にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）