【課題】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性を混在させた結晶において少なくとも表面において極性の単結晶としてデバイスをその上に製造するに適した単結晶基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性Ａ、Ｂを持つ部分が混在する結晶において、一方の極性Ｂの部分をエッチングして表面部分を除去し、あるいは除去せずそのままに極性Ｂの上を異種物質Ｍで被覆し、さらに同じ結晶の成長を行い極性Ａの結晶Ａ’によって表面を覆うようにする。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプだけでなく基底面内転位も低減することができるＳｉＣ基板の製造方法及びこれにより作製されたＳｉＣ基板並びに半導体装置を提供する。
【解決手段】マイクロパイプを有するＳｉＣ単結晶基板上に、マイクロパイプを閉塞させるＳｉＣエピタキシャル成長層を化学的気相成長させるＳｉＣ基板の製造方法であって、前記ＳｉＣエピタキシャル成長層の成長工程中に、前記マイクロパイプの閉塞が不完全な状態で前記ＳｉＣエピタキシャル成長層の成長を途中で一旦中断し、１４００℃以上１８００℃以下の雰囲気中に一時的に保持する保持工程を行う。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低い窒化物系半導体基板を安価かつ生産性良く製造する方法、及び低転位密度の窒化物系半導体基板、並びに当該基板を用いて形成した発光出力の高い窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板上に、第１のＧａＮ層を成長速度が５００μｍ／時以下で膜厚が１０μｍ以上になるように成長させた後、第１のＧａＮ層上に、第２のＧａＮ層を成長速度が６００μｍ／時以上で成長させて窒化物系半導体基板を製造し、この基板を用いて、窒化物系半導体発光素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】低欠陥密度の窒化ガリウム単結晶基板を製造可能とする。
【解決手段】窒化ガリウム単結晶基板１上に窒化ガリウムを結晶成長させて得られた窒化ガリウムインゴット２（必要により外形加工によって円柱状の窒化ガリウムインゴット３とする）の成長後半部分から切り出された窒化ガリウム単結晶基板４ａを、種結晶基板として用い、その種結晶基板である窒化ガリウム単結晶基板１上に窒化ガリウムを結晶成長させて新たな窒化ガリウムインゴット２を作製し、この新たな窒化ガリウムインゴット２を切り出して窒化ガリウム単結晶基板４を製造する。この製造工程を繰り返し行うことにより、低欠陥の窒化ガリウム単結晶基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】レーザ発振寿命の長い窒化物半導体レーザ素子に適した窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板は、断面をＶ字状にした溝の側面である斜面をファセット面とし、そのファセット面の斜面を維持させながら成長させることにより、溝に転位を集中させた上にストライプ状に生じた転位集中領域と、転位集中領域を除いた領域である低転位集中領域と、を含み、さらに、その窒化物半導体基板の表面が、（０００１）面から０．２°〜１°の範囲のオフ角度を有している。 （もっと読む）

故意にミスカットした基板を用いることにより、半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ半導体薄膜の成長を改良する方法である。具体的には、該方法は、基板を故意にミスカットするステップと、基板を反応装置内に装填するステップと、窒素および／または水素および／またはアンモニアの流れのもとで該基板を加熱するステップと、該加熱された基板上にＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮの核生成層を成膜するステップと、該Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ核生成層上に半極性窒化物半導体薄膜を成膜するステップと、該基板を窒素過圧のもとで冷却するステップとを備える。
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【課題】異種基板上に半導体結晶を気相成長させる工程を利用して得られる半導体結晶基板に生じる結晶軸の湾曲を低減することができる半導体結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】異種基板上に第１半導体結晶４を気相成長させる工程と、第１半導体結晶４を異種基板から切り離す工程と、切り離された第１半導体結晶４の切り離された側の表面を研削して加工変質層７を形成し、該加工変質層７上に第２半導体結晶８を成長させる工程と、第１半導体結晶４と第２半導体結晶８とを含む積層体をスライスする工程と、を含む。ここで、第１半導体結晶４の厚みをｈ１とし、第２半導体結晶８の厚みをｈ２としたとき、ｈ１／ｈ２は、０．０１以上１００以下であることが好ましく、０．１以上１０以下であることがより好ましい。 （もっと読む）

３Ｄ島または特徴が成長パラメーターを調整することのみで生み出される、エピタキシャル・ラテラル・オーバーグロース技術の新たな修正法を用いて、高特性自立ＧａＮが得られる。これらの島を平滑化させること（２Ｄ成長）は、次いで高い横方向成長を生じる成長条件を設けることにより達成される。３Ｄ‐２Ｄ成長の繰返しは貫通転位のマルチベンディングをもたらし、こうして厚い層、即ち貫通転位密度１０^６ｃｍ^−２以下の自立ＧａＮを生産する。 （もっと読む）

【課題】単結晶に欠陥が発生することを抑制でき、良質で大口径の単結晶が効率よく製造できる窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】排気口１８が設けられた加熱炉本体２と、加熱炉本体２内に配置される種子結晶１１を保持するサセプタ１２と、加熱炉本体２内に塩化水素ガス及び水素ガスを導入すると共に、塩化水素ガスと反応する金属Ａｌが配置される内部反応管４と、加熱炉本体２内にアンモニアガスを導入する反応ガス導入管５と、前記加熱炉本体２内に活性窒素を導入する活性窒素導入管６とを備える。 （もっと読む）

本発明は、Ｘ線トポグラフィーにより特徴付けられる拡張欠陥密度が、０．０１４ｃｍ^２を超える面積にわたって４００／ｃｍ^２未満である、単結晶ＣＶＤダイヤモンド材料に関する。本発明は、更に、基板が、０．０１４ｃｍ^２を超える面積にわたって４００／ｃｍ^２未満の、Ｘ線トポグラフィーにより特徴付けられる拡張欠陥の密度；０．１ｍｍ^３を超える容量にわたって１×１０^−５未満の光学等方性；及び２０アーク秒未満の、（００４）反射に対するＦＷＨＭ Ｘ線ロッキングカーブ幅の少なくとも１つを有する、その上でＣＶＤ単結晶ダイヤモンドを成長させるための基板を選択する工程を含む、前請求項のいずれかに記載のＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料の製造方法に関する。
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【課題】下地基板表面上に選択エピタキシャル成長用マスクを簡便な方法で形成する方法を提供する。
【解決手段】無機粒子２を媒体に分散させたスラリーを用いて、該スラリー中へ成長用基板１を浸漬させるか、または該スラリーを成長用基板１上に塗布や噴霧した後、乾燥させることにより、成長用基板１の表面１Ａ上に無機粒子２を配置する。成長用基板１上に配置した無機粒子２が、３−５族窒化物半導体層の成長時においてマスクとして作用し、成長用基板１の表面１Ａにおいて無機粒子２の無いところが成長領域１Ｂとなる。 （もっと読む）

【課題】ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いて、欠陥及びクラック（ｃｒａｃｋ）が最小化され、結晶性に優れた窒化ガリウム（ＧａＮ）単結晶厚膜を製造する方法に関する。
【解決手段】ＨＶＰＥ反応槽内に基板を装着し、ガリウム（Ｇａ）、塩化水素（ＨＣｌ）ガス及びアンモニア（ＮＨ_３）ガスを供給して、基板上に窒化ガリウム（ＧａＮ）単結晶厚膜を成長させることにおいて、１）膜表面の反応速度によって成長速度が決定される温度領域（ｓｕｒｆａｃｅ ｋｉｎｅｔｉｃｓ ｒｅｇｉｍｅ）で第１の窒化ガリウム膜を成長させる段階と、２）段階１）で成長された第１の窒化ガリウム膜上に、気相における物質拡散によって成長速度が決定される温度領域（ｍａｓｓ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｒｅｇｉｍｅ）で第２の窒化ガリウム膜を成長させる段階と、を含み、この時、段階２）の成長温度が、段階１）の成長温度より高いことを特徴とする窒化ガリウム単結晶厚膜の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】大口径の窒化物半導体結晶基板の製造に関して特殊な工程を使用しない、簡便で低コストで済む窒化物結晶基板の製造方法及び発光素子用窒化物半導体基板の製造方法、並びに発光素子用窒化物半導体基板及び半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】下地基板１の上に第１の３−５族窒化物半導体層２をその膜厚が下地基板１の厚さの３．５％以上であり、室温における曲率半径が５ｍ以上となるように積層した後、第１の３−５族窒化物半導体層２の上に第２の３−５族窒化物半導体層３を２μｍ以上の膜厚になるよう第１の３−５族窒化物半導体層２の積層温度より高い積層温度で積層し、これにより下地基板１の上に窒化物結晶基板４を形成する。第２の３−５族窒化物半導体層３の積層後の冷却過程で、熱膨張係数差に伴う歪みが窒化物結晶基板４が形成されている下地基板１に反りを生じさせ、窒化物結晶基板４が下地基板１から剥離する。 （もっと読む）

本発明は、新規水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの新規化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。これらの化合物は、式：（ＳｉＨｎ１）ｘ（ＧｅＨｎ２）ｙによって定義される。式中、ｘは２，３または４であり；ｙは１，２または３であり；ｘ＋ｙは３，４または５であり；ｎ１は、化合物中の各Ｓｉ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；ｎ２は、化合物中の各Ｇｅ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；但し、ｙが１のとき、ｎ２は０ではなく；さらに、ｘが３、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は２または３であり；さらに、ｘが２、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は３である。
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【課題】 従来の窒化物半導体膜製造技術では、ＳｉＯ₂層によって構成されたマスクパターンを用いた選択成長技術が開発されている。しかし、ＳｉＯ₂層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるＳｉまたはＯ₂は窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、そのため作製された窒化物半導体発光素子は、発光効率の低下と個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下を招くと共に、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下させるという問題があった。
【解決手段】 本発明の窒化物半導体構造は、凹部及び凸部が形成された同一材料からなる成長面を有する基板と、成長面の少なくとも凸部上に形成された窒化物半導体膜とを有し、凹部は、基板上に設けられた複数の方向の線状の溝によって構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。これらの化合物は、式：ＳｉＨｎ１（ＧｅＨｎ２）ｙによって定義される。式中、ｙは２，３または４であり；ｎ１は、０，１，２または３であって原子価を満たし；ｎ２は、化合物中の各Ｇｅ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たす。
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【課題】結晶成長後の結晶成長面の転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶およびその成長方法を提供する。
【解決手段】基板１０上にＩＩＩ族窒化物結晶１１を成長させる方法であって、ＩＩＩ族窒化物結晶１１であるＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ結晶（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）の成長の際に、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ結晶に残留する転位の少なくとも一部をＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ結晶の結晶成長面に対して実質的に平行な方向に伝搬させて、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ結晶の外周部に排出させることを特徴とするＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法。 （もっと読む）

【課題】３−５族窒化物半導体への損傷がより少なく簡単な方法で成長用基板から３−５族窒化物半導体を分離できるようにした３−５族窒化物半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】成長用基板１上に無機粒子２を配置した後に３−５族窒化物半導体を成長し、これにより無機粒子２が配された３−５族窒化物半導体３を成長基板１上に形成する。しかる後、３−５族窒化物半導体３と成長基板１との界面付近に光を照射して３−５族窒化物半導体３の上記界面近くの領域を分解し、３−５族窒化物半導体３を成長基板１から分離する。 （もっと読む）

【課題】多結晶ＡｌＮ基板を用いつつ結晶性にすぐれた窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】配向性を有する多結晶窒化アルミニウムからなり、主面上に複数のステップ１０Ｓが形成された基板１０と、前記基板の前記主面上に設けられた単結晶の窒化物半導体層２５とを備えた窒化物半導体ウェーハ１及び前記窒化物半導体層２５の上に設けられた電極を備えた窒化物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】 結晶質炭素材料又は非晶質炭素材料等の炭素材料からなる基材上に酸化膜又は窒化膜を形成することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】 単結晶ダイヤモンド基材上にダイヤモンド薄膜が形成されたダイヤモンド基板等の炭素材料からなる基板の表面に、プラズマ処理、ラジカル処理、薬液処理又はこれらを組み合わせた処理を施すことにより、酸素及び／又は窒素を吸着させる。その後、この酸素及び／又は窒素を吸着させたダイヤモンド基板の表面上に、有機金属化合物と酸化剤又は窒素剤とを交互に供給する原子層堆積法により、酸化膜又は窒素膜を成膜する。 （もっと読む）