本発明は、少なくともＧａ表面（３）を含む基板（１）上に、単結晶ＧｅＮ層（４）を形成する方法に関する。方法は、基板（１）を５５０℃と９４０℃の間の温度に加熱するとともに、基板（１）を窒素ガス流に晒す工程を含む。本発明は、更に、基板（１）上に単結晶ＧｅＮ層（４）を含む構造を提供する。本発明の具体例にかかる方法で形成された単結晶ＧｅＮは、Ｇｅ表面（３）に存在する表面状態を保護する。
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【課題】窒化物半導体膜を、窒化物半導体膜のエピタキシャル成長用の基板とは異なる、所望の材質の基板に形成する半導体ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】第一の基板１に第一の窒化物半導体膜２を形成し、第一の窒化物半導体膜２の上に第一の窒化物半導体膜２よりも融点の高い第二の窒化物半導体膜３を形成する。次に、第二の窒化物半導体膜３の表面にキャリアー基板４を貼り合わせ、張り合わせられた第一の基板１、第一の窒化物半導体膜２、第二の窒化物半導体膜３及びキャリアー基板４を含むウェハを、第一の窒化物半導体膜２の融点より高く、かつ第二の窒化物半導体膜３の融点より低い温度で加熱処理して第一の窒化物半導体膜２を融解し、第一の基板１を除去する。更に、キャリアー基板４上に張り合わされた第二の窒化物半導体膜３の表面に第二の基板６を張り合わせ、キャリアー基板４を除去する。 （もっと読む）

【課題】高品質の窒化ガリウム基板を製造するための窒化ガリウム結晶成長方法を提供する。
【解決手段】（１）ストライプマスクＭを下地基板の上に設ける。（２）マスクの存在しない露呈部から窒化ガリウム結晶は成長を開始し、マスクの両側にファセットＦを形成する。（３）Ｃ軸が１８０゜反転した極性反転領域Ｊが形成される場合、予兆として、ファセットの傾斜面の途中に、ツメＱと呼ばれるゴツゴツとした突起が対向して発生する。このあと、（４）ツメＱが合体し、（５）これを種として同じ方位の結晶が縦方向に成長し、極性反転結晶Ｊからなる結晶欠陥集合領域Ｈを形成する。露呈部の上でファセットの下に成長した部分は初めは下地基板との間に多数の転位を持つが、ファセット成長によって転位が外側へ排除され、結晶欠陥集合領域Ｈに蓄積されるので次第に低転位となり、この隣接部分は単結晶となる。 （もっと読む）

ケイ素前駆体の組み合わせを用いたエピタキシャルに配向したナノワイヤを成長させる方法、および配向したナノワイヤを成長させるためのパターン形成された基板の使用を含む、ナノワイヤを成長させ、ドープし、収集するシステムおよび方法が提供される。犠牲成長層を使用することによってナノワイヤの質が向上する。ナノワイヤを１つの基板から別の基板に移動する方法も提供される。本発明のプロセスで使用される基板材料は、結晶またはアモルファスであってよい。 （もっと読む）

【課題】３元以上の混晶組成を有する窒化物系化合物半導体を用いても、エピ特性の面内均一性を維持でき、デバイスの高い歩留まりと高信頼性を確保できる窒化物系半導体基板及びその製造方法、並びにその窒化物系半導体基板を用いた窒化物系半導体発光デバイス用エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】 直径が２５ｍｍ以上の異種基板上に３元以上の混晶組成を有する窒化物系半導体結晶を２ｍｍ以下の厚さにエピタキシャル成長後、異種基板を取り除くことによって厚さ方向の熱抵抗値が０.０２Ｋｃｍ^２／Ｗ以上０.５Ｋｃｍ^２／Ｗ以下である窒化物系半導体基板を得る。この窒化物系半導体基板上に窒化物系半導体からなる発光層をエピタキシャル成長させて窒化物系半導体発光デバイス用エピタキシャル基板とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を使用してイリジウム下地上に直径１インチ（２.５ｃｍ）以上の大面積化された高品質のダイヤモンドをエピタキシャル成長させることができるエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板およびその製造方法並びにこのエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板により製造されるエピタキシャルダイヤモンド膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶酸化マグネシウム（ＭｇＯ）または単結晶サファイア（α-Ａl₂Ｏ₃）基板上に、真空蒸着法またはスパッタリング法によりイリジウム（Ｉｒ）膜をエピタキシャル成長により成膜し、この成膜されたイリジウム（Ｉｒ）下地の表面へ、イオンを含む直流プラズマを暴露することによりエピタキシャルダイヤモンド核を形成するバイアス核発生処理を施す。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好で高品質なＡｌＮ層及びこれに類する高熱伝導率の層を表面に有するIII-Ｖ族窒化物系半導体基板、当該基板を使用した放熱性に優れた高出力のIII-Ｖ族窒化物系デバイス、及びこれらを安価に再現性良く製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ層１１上にＡｌＮ層１２を形成し、ＡｌＮ層１２の表面及びＧａＮ層１１の裏面を平坦に研磨して複合自立基板１０とする。発光デバイスは、この複合自立基板１０上にデバイス構造を形成した後、バックラップによりＧａＮ層１１の裏面からＡｌＮ層１２に到達するまでＧａＮ層１１を除去することにより形成する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板並びに半導体装置において、マイクロパイプだけでなく基底面内転位及び積層欠陥も低減すること。
【解決手段】マイクロパイプを有するＳｉＣ単結晶基板１上に、ＳｉＣエピタキシャル成長層２を化学的気相成長させるＳｉＣ基板の製造方法であって、ＳｉＣ単結晶基板１の表面近傍又はＳｉＣエピタキシャル成長層２の中間領域に、ブリスタリングが生じない条件で水素又は希ガス元素のイオン注入を行う工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプだけでなく基底面内転位も低減することができるＳｉＣ基板の製造方法及びこれにより作製されたＳｉＣ基板並びに半導体装置を提供する。
【解決手段】マイクロパイプを有するＳｉＣ単結晶基板上に、マイクロパイプを閉塞させるＳｉＣエピタキシャル成長層を化学的気相成長させるＳｉＣ基板の製造方法であって、前記ＳｉＣエピタキシャル成長層の成長工程中に、前記マイクロパイプの閉塞が不完全な状態で前記ＳｉＣエピタキシャル成長層の成長を途中で一旦中断し、１４００℃以上１８００℃以下の雰囲気中に一時的に保持する保持工程を行う。 （もっと読む）

【課題】結晶成長の際に反応室内に付着した堆積物を効果的に洗浄する方法を含むＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法およびその製造方法において用いられる製造装置を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶１１の製造方法は、反応室１１０内にＨＣｌガス１を導入して反応室１１０内を洗浄する工程と、洗浄された反応室１１０内でＩＩＩ族窒化物結晶１１を気相成長させる工程とを含む。また、ＩＩＩ族窒化物結晶１１の製造装置１００は、反応室１１０内に直接ＨＣｌガス１を導入する構造とＨＶＰＥ法によりＩＩＩ族窒化物結晶１１を成長させる構造とを備える。 （もっと読む）

【課題】 低欠陥単結晶領域Ｚの幅ｚが２０００μｍ〜１００００μｍの広い窒化物半導体基板を製造すること。
【解決手段】
下地基板Ｕの上に、幅が２０μｍ〜４００μｍの被覆部Ｓを一定ピッチ２０２０μｍ〜１０３００μｍで平行等間隔に持つマスクを形成し、反応炉にマスク付き下地基板Ｕを装入、加熱し、分圧が（１．５＋０．０００５ｐ）ｋＰａ〜（４＋０．０００５ｐ）ｋＰａであるようなＨＣｌと、分圧が（１５−０．０００９ｐ）〜（２６−０．００１７ｐ）ｋＰａであるようＮＨ_３を供給して反応させマスク付き下地基板Ｕの上にＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ結晶（０≦ｘ＜１、０＜ｙ≦１）を成長させ、被覆部Ｓに底を、露呈部Ｅの中間部に頂上を持つ平行のファセット面Ｆからなる複数の山谷構造を形成し、被覆部Ｓの直上部分は結晶欠陥集合領域Ｈに、露呈部Ｅの上ファセット面Ｆ直下は低欠陥単結晶領域Ｚとなるようにする。 （もっと読む）

【課題】厚み精度の高い水晶波長板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】水熱合成法で育成された人工水晶から第一の水晶板を切り出し（Ｓ１０１）、第一の水晶板を所望の板厚値より薄く研磨加工し（Ｓ１０２）、第一の水晶板研磨加工面上に大気圧気相成長法で先の所望の板厚値から第一の水晶板厚みを差し引いた差分厚みの水晶薄膜をホモエピタキシャル成長させ第二の水晶板を形成する（Ｓ１０３）ことにより水晶波長板を得る。上記工程において、第一の水晶板を所望の板厚値より１μｍ以上〜２０μｍ以下薄く研磨加工し、又、第一の水晶板上にマスクを載置し、第一の水晶板上にマスクパターン形状の水晶薄膜を成長させ、同時に複数個の第二の水晶板を形成する。 （もっと読む）

【課題】光の吸収係数が小さく高い透明度を有すると共に、充分な導電性を確保することができる窒化物系半導体基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板上１１にＧａＮ膜１２及びＴｉ膜１３を形成後、水素ガスとアンモニアガスとの混合雰囲気で加熱して、多孔質ＴｉＮ薄膜１４に変換後、多孔質ＴｉＮ薄膜１４上にファセット成長ＧａＮ１５を形成し、ｃ面以外のファセット面を形成しながら成長する成長初期段階のＧａＮ層の厚さが最終的に成長させたＧａＮ層の全厚の３０％以下となるように、ＧａＮ結晶を成長させてＧａＮ厚膜１７とし、ボイド１６を介してサファイア基板１１から剥離して、ＧａＮ自立基板とする。 （もっと読む）

【課題】発光効率が極めて高く、しかも一度のエピタキシャル成長により低コストで製造することができる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板などの基板１１の一主面にこの基板１１と異なる材料、例えばＳｉＯ₂ 膜により凸部１２を形成し、凸部１２の間の凹部１３に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させた後、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５から横方向成長を行う。凸部１２の断面形状は例えば三角形または台形とする。この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１５上に、活性層を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させて発光ダイオード構造を形成する。この発光ダイオードを用いて発光ダイオードバックライトなどを製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明により追加工程なしで下地基板から自己分離する自立半導体基板、自立半導体基板の製造方法びその方法で使用するマスク層を提供する。
【解決手段】半導体基板を製造するための本発明に係る方法は、下地基板を提供する工程と、下地基板上に複数の開口部を備えたマスク層を形成する工程と、少なくとも１つの半導体基板を成長させ、マスク層を少なくとも１つの半導体材料によって横方向に全面成長させる工程と、その後に下地基板、マスク層及び半導体基板を冷却する工程とを含む。マスク層を形成する材料は、少なくとも部分的に窒化タングステンシリサイド又はタングステンシリサイドからなる。半導体基板及び下地基板は、少なくとも１つの半導体基板の成長中又は冷却中に分離され、半導体基板を自立させる。このとき、自立半導体基板を製造するための本発明に係るマスク層は、少なくとも部分的に窒化タングステンシリサイド又はタングステンシリサイドを含む。 （もっと読む）

【課題】従来のオリエンテーションフラットやインデックスフラットよりも容易に作製することができ且つ視認ができる表裏の判別手段を備えた半導体形成用基板、窒化物系半導体基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板の周辺部に、前記基板の表面から裏面へ貫通する貫通孔５を設け、その貫通孔の数の相違をもって又は中心からの距離の相違をもって、表裏の判別を可能とする。上記貫通孔の形成は、窒化物半導体の気相成長において、元となる種結晶表面の任意の位置に、ＧａＮ以外の材料（例えばカーボン片）を付け、または凹凸をつけることで、その上部に正常に成長しない領域を形成した状態でエピタキシャル層を成長させることにより、成長と同時に貫通孔が形成される。 （もっと読む）

半極性窒化物薄膜の欠陥低減に関する横方向成長方法を開示する。工程ステップは半極性窒化物の面および組成を選択するステップと、半極性窒化物の面および組成の成長に適した基板を選択するステップと、半極性窒化物が基板のある領域上では核生成し、基板の他の領域上では核生成しない選択成長工程を適用するステップとを含み、選択成長工程は横方向エピタキシャル・オーバーグロス （ＬＥＯ）法、側壁利用の横方向エピタキシャル・オーバーグロス （ＳＬＥＯ）法、カンチレバー・エピタキシー法あるいはナノマスキング法による窒化物材料の横方向成長を含むことを特徴とする。
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【課題】 １０^６ｃｍ^−２以下の低転位密度のＧａＮ単結晶基板を提供すること。
【解決手段】 気相成長の成長表面が平面状態でなく、ファセット面が集合した三次元的な凹部のファセット構造を持つようにし、最後までファセット構造を持ったまま、成長の終了までファセット構造を埋め込まないで成長させることにより転位をファセット底部に集合させ、ファセット底部に続く線領域以外の部分の転位を低減するようにして得た単結晶窒化ガリウム。 （もっと読む）

本発明はエピタキシャル成長層(6)の形成方法に関し、エピタキシー用支持体(9, 9')とその形成方法にも関する。この方法は、ａ）支持基板となる第１基板(1)の内部に原子種を注入することにより支持基板内で薄肉支持層となる薄層(13)と支持基板の残余部分(11)との境界を画定する脆弱ゾーン(12)を形成する工程、ｂ）後工程のエピタキシャル成長層(6, 6')の成長に適した材質の結晶核形成薄層(23)を前記薄層(13)の露出表面(130)上にこれら両層間に接合界面(4)を形成させて移載する工程、ｃ）支持基板(1)の残余部分(11)を薄層(13)との接触を維持したまま脆弱ゾーン(12)に沿って分離する工程、ｄ）結晶核形成薄層(23)上にエピタキシーによってエピタキシャル成長層(6, 6')を成長させる工程、及び ｅ）支持基板(1)の残余部分(11)を薄層(13)から取り外す工程を備えている。光学、光電子工学又は電子工学分野で利用される。
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【課題】エピタキシャル成長法による単結晶の製造方法、特に、気相合成法を利用したダイヤモンド単結晶の製造方法において、比較的短時間に低コストで大型のダイヤモンド単結晶を得ることが可能な新規な方法を提供する。
【解決手段】（１００）面が優先的に成長する単結晶のエピタキシャル成長法において、（１）単結晶の｛１００｝基板上に結晶を成長させ、（２）成長した結晶の側面に、成長方向の｛１００｝面と異なる他の｛１００｝面に平行な表面を形成し、（３）形成された｛１００｝面上に結晶を成長させる、ことによる単結晶の製造方法であって、上記（２）及び（３）の工程を１回又は２回以上行う。ダイヤモンド単結晶支持体として、結晶載置部が支持体の外周縁部に対して隆起した形状をなし、該載置部を支持体の外周縁部から離隔した位置に有し、該載置部が凹部によって形成されている金属製支持体を用いる。 （もっと読む）