【課題】 欠陥密度の小さいＳｉＣ半導体基板を形成する。
【解決手段】 ＳｉＣ単結晶の下地ウェハ表面に多孔質層を形成し（ステップＳ１，Ｓ２）、アニール処理を行ってその多孔質層表面の空孔を閉塞した後に（ステップＳ３）、その上にＳｉＣのホモエピタキシャル層を形成する（ステップＳ４）。最後に多孔質層の部分を切断して下地ウェハの側からホモエピタキシャル層の側を分離する（ステップＳ５）。多孔質層表面の空孔閉塞後にホモエピタキシャル層を形成することによりその欠陥密度が大幅に小さくなり、これを各種デバイスのＳｉＣ半導体基板として用いることによりその製造歩留まりを向上させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ電界の悪影響を派生問題なく効果的に緩和若しくは最小化する。
【解決手段】各非縦方向成長部４の上面では、ｘｙ平面に平行にｒ面が結晶成長し、これらの個々のｒ面は、側壁面１ｂの近傍に若干のボイド５を形成しつつも、ストライプ溝Ｓを完全に覆い隠すまで結晶成長して、最終的には略一連の平坦面が形成される。この時以下の結晶成長条件下で５０分間、非縦方向成長部４のファセット成長を継続する。このファセット成長の条件設定は、継続的かつ順調なファセット成長を促進する上で重要である。また、下記の結晶成長速度は、ｒ面に垂直な方向の結晶成長速度である。 結晶成長温度 ： ９９０〔℃〕 結晶成長速度 ： ０．８〔μｍ／ｍｉｎ〕 供給ガス流量比（Ｖ／III 比）： ５０００ （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体と良好な格子整合性を有する元基板を利用して、結晶欠陥の少ない高品質な窒化物半導体基板を簡易な方法で製造すること。
【解決手段】 第１の窒化物半導体結晶２０２を格子定数がａ軸方向に０．３０ｎｍから０．３６ｎｍまで、ｃ軸方向に０．４８ｎｍから０．５８ｎｍまでの化合物半導体元基板２０１の（ＡＢＣＤ）［Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に−４〜４の整数。］面上に成長させ、次いで元基板を除去し、第１の窒化物半導体結晶上に第２の窒化物半導体結晶２０４を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 化合物半導体を高品質なものとし得る化合物半導体成長用基板の提供。
【解決手段】 Ｓｉ単結晶基板２上に外方へ開孔し、かつ、表面が厚さ０．１〜１００ｎｍの３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層３によって被覆された多孔質Ｓｉ単結晶層４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】非常に平坦性で完全な透明性と鏡面性をもつｍ面窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を成長する方法。
【解決手段】本方法は、選択横方向成長技術によって構造欠陥密度の大幅な低減を実現する。高品質で、一様で、厚いｍ面ＧａＮ膜は分極のないデバイスの成長のための基板として用いるために作製される。 （もっと読む）

選択的エピタキシャル成長モードと傾斜エピタキシャル成長モードとの組み合わせを用いた単結晶エミッタの形成。対向するシリコン酸化物の側壁（１２）を有するシリコン基板（１６）上にトレンチ（１４）を設ける工程と、トレンチ内部のシリコン基板上に高濃度にドープされた単結晶層（１８）を選択的に成長させる工程と、シリコン酸化物側壁上方にアモルファス又はポリシリコンの層を形成するために、トレンチ上方にシリコン層（２０）を非選択的に成長させる工程とを含む。
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