【課題】鉄基合金上に密着性良くダイヤモンド膜が被覆されたダイヤモンド膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上にタングステンから成る中間層１０と、中間層１０上にダイヤモンド膜を被覆する。また中間層１０上は溝部３によって分割された微小区域４を有し、微小区域４の表面上の最長距離８を１００μｍを超え４５０μｍ未満とする。さらに、溝深さ１２を１０μｍ以上中間層厚さ１１以下とする。また、溝部３によって分割された微小区域４と隣接する微小区域４との最短距離２を１０μｍ以上とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板上に形成した金属窒化層を利用して、転位密度の低い優れた発光特性をもったＧａＮ半導体などのIII族窒化物半導体を、従来の製造方法に比べて、より少ない工程で製造する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１の（０００１）Ｓｉ面上に金属層を部分的に設け、金属層および金属層の間に露出するＳｉＣ基板１の（０００１）Ｓｉ面を窒化することにより、金属窒化物層２とＳｉＮ面４を形成し、金属窒化物層２にIII族窒化物半導体３をエピタキシャル成長させ、ＳｉＮ面４上に横方向成長させる。 （もっと読む）

【課題】発光効率に優れた窒化物系の粒子状の蛍光体を提供すること。
【解決手段】蛍光物質として、式Ｍ¹ _a Ｍ² _b Ｎ_c （ただし、Ｍ¹ は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ² は、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、ｃ＝（２ａ／３）＋ｂであり、０≦ａかつ０＜ｂである）で示される化合物を、板状の基材粒子上にヘテロエピタキシャル成長させ、粒子状の蛍光体とする。 （もっと読む）

【課題】表面平坦性の優れたＡｌＧａＮ結晶層を作製する方法を提供する。
【解決手段】Ｃ面サファイア単結晶基材１ａの上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮからなる表面層１ｂをエピタキシャル形成した後、該積層体を１３００℃以上の温度で加熱することで、面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板を得る。該テンプレート基板上に、ＭＯＣＶＤ法によって、１０００℃よりも高い形成温度で、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）なる組成式で表されるIII族窒化物からなる第１単位層２ａとＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ≦１かつｙ≠ｘ）なる組成式で表されるIII族窒化物からなる第２単位層２ｂとを交互に繰り返し積層することによって、超格子構造を有するようにＡｌＧａＮ層２を形成する。これにより、表面が実質的に原子レベルで平坦なＡｌＧａＮ層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】クラック発生を防止し、転位密度も低減することのできる窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板１は、下地層４上に成長し、厚み方向に沿った断面が略三角形状であって、かつ周期的なストライプ状をなし、ストライプの斜面６１上に凹凸面６２を設けられたＧａＮ系半導体層６と、ＧａＮ系半導体層６上に形成されたＡｌＧａＮ又はＩｎＡｌＧａＮからなる埋め込み層７とを備える。凹凸面６２は、水平断面における斜面の垂線方向が多方向にわたる多数の細斜面からなる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層を島状あるいは網状に形成することにより、一枚のシリコン基板から、高品質なＳＯＩ基板を提供する。
【解決手段】シリコン基板２の上面には、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４が島状あるいは網状に形成されている。熱処理を行なうことにより、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４の間から酸化シリコン層６が成長する。次に、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４の上面より単結晶シリコン層８が上方向に成長し、結晶欠陥の少ないＳＯＩ基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】クラックを生じさせることなく良質な結晶を歩留まりよく製造する方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板１上に第１の薄膜２を製膜して第１の薄膜２表面を摩擦することにより摩擦配向層３を形成し、さらに摩擦配向層３の上に第２の薄膜を堆積することにより堆積配向層４を形成し、その上に結晶を成長させる。単結晶基板１はＳｉ基板とし、その面方位は（１１１）とする。また、摩擦配向層３の厚さは１〜２０ｍｍとし、その形成工程において、第１の薄膜２をダイアモンド、サファイアまたはＳｉＣで摩擦する。 （もっと読む）

第１半導体材料の結晶基板と、結晶基板の表面上に配置されるマスク（１１）とを含む半導体ヘテロ構造（１０）である。マスク（１１）は、９００ｎｍ以下の幅（ｗ）を有する複数の細長い開口部（１３，１４）を含む開口（１２）を有する。細長い開口部の少なくとも第１開口部（１３）は、複数の細長い開口部のうちの少なくとも１つの第２開口部（１４）に対して非平行に配向される。半導体ヘテロ構造（１０）は、開口（１２）を充填してマスクをカバーする第２半導体材料のオーバーグロース結晶層をさらに含む。かかる半導体ヘテロ構造の製造方法も提示される。
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【課題】良質のＩＩＩ族窒化物半導体薄膜およびそれを用いたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】Ｃ３結晶軸に対して−０．１°〜０．９°のオフ角を有する（１−１０２）面（いわゆるｒ面）のサファイア基板１１０上に、サファイア基板１１０の温度を１１００℃〜１４００℃の範囲内に制御しつつ、トリメチルガリウムを２００〜５００μｍｏｌ／ｍｉｎの流量で導入することにより、サファイア基板１１０上に（１１−２０）面（いわゆるａ面）のＧａＮ層１２０をエピタキシャル成長させる。これにより良質のＩＩＩ族窒化物半導体薄膜（ａ面ＧａＮ層）を得る。また、そのＩＩＩ族窒化物半導体薄膜を基板としてＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を作成する。 （もっと読む）

本発明は、ダイオード、ＬＥＤおよびトランジスタなどの多くの半導体デバイスに応用可能な窒化物半導体の成長に関する。本発明の方法によると、窒化物半導体のナノワイヤは、選択領域を成長させる技術をベースとする化学蒸着法（ＣＶＤ）を利用して成長する。ナノワイヤの成長工程中、窒素源と有機金属源とが存在し、少なくとも窒素源の流量はナノワイヤ成長工程中、連続して存在している。本発明の方法で利用されるＶ／III比は、一般的に窒化基半導体の成長に関連するＶ／III比より実質的に低い。
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【課題】欠陥密度が低く、かつ反りの少ないIII族窒化物半導体基板を提供すること。
【解決手段】サファイア基板６１上に第一のＧａＮ層６２を成長させ、つづいて金属Ｔｉ膜６３を形成した後、窒化処理して、微細孔を有するＴｉＮ膜６４を形成する。その後、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６を成長する。金属Ｔｉ膜６３およびＴｉＮ膜６４の作用により、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６中には空隙部６５が形成される。この空隙部６５の箇所からサファイア基板６１を剥離除去する。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を基板上に成長させた後、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層にほとんど物理的損傷を与えることなく基板を低コストで容易に剥離する。
【解決手段】基板１１の一主面に磁歪材料からなる凸部１２を形成し、凸部１２の間の凹部１３に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させた後、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５から横方向成長を行う。この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１５上に、活性層１７を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させて発光ダイオード構造を形成する。その後、凸部１２に磁界を印加して磁歪を発生させることにより基板１１をこれらの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層から剥離する。 （もっと読む）

【課題】コストを低減するとともに、基板の不良領域の分布に関わらず、基板の不良領域上に容易にフォトレジストパターンを形成することのできるフォトレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトレジストパターン形成方法は、まず、基板１０を準備する。そして、基板１０の表面１０ａ上にマスク層２０を形成する。そして、マスク層２０上にフォトレジスト３０を形成する。そして、フォトレジスト３０に感光しない波長を有する第１の光源と、フォトレジスト３０に感光する波長を有する第２の光源とを有する光学顕微鏡を準備する。そして、第１の光源を用いて、フォトレジスト３０を介して基板１０の不良領域１１を検出する。そして、検出する工程で不良領域１１が検出されると、第２の光源に切り替えて不良領域１１上のフォトレジスト３０を感光させる。そして、感光させる工程で感光されていない領域のフォトレジスト３０を除去して、フォトレジストパターン３１を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属層上に化合物半導体層が成長した半導体基板を簡便かつ安価で製造することができる方法、並びにそれによって製造された化合物半導体基板及び素子を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板の製造方法は、（ａ）複数の球形ボールを用意するステップと、（ｂ）基板上に複数の球形ボールをコーティングするステップと、（ｃ）球形ボールがコーティングされた基板上に球形ボールの直径より小さい厚さの金属層を蒸着するステップと、（ｄ）金属層が蒸着された基板から複数の球形ボールを除去するステップと、（ｅ）複数の球形ボールが除去されて露出した基板の表面から化合物半導体層を成長させるステップと、（ｆ）化合物半導体層を側面方向に成長させて金属層上で互いに繋げるステップと、（ｇ）化合物半導体層を目標とする厚さまで成長させるステップとを含む。 （もっと読む）

ＭＯＣＶＤによって成長させられるＮ面ＧａＮ膜の平滑な高品質膜のヘテロエピタキシャル成長のための方法を開示する。誤配向基板の使用、およびおそらく基板を窒素化させるステップは、本明細書で開示されるような、平滑なＮ面ＧａＮおよび他のＩＩＩ族窒化物膜の成長を可能にする。本発明はまた、Ｎ面ＧａＮをデバイス応用に対して容認不可能にする、典型的な大型（μｍサイズの）六方晶特徴を回避する。本発明は、Ｎ面デバイスの開発を可能にする、平滑な高品質膜の成長を可能にする。
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【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】上面が（０００１）面のサファイア単結晶を下地基板とし、下地基板上面にクロム層を成膜した後、クロム層が形成された下地基板をＧａＮの結晶を成長させるための装置への移送し、窒素を含有した還元性ガス雰囲気で１０００℃以上の温度で加熱窒化処理を行うことにより、クロム窒化物（ＣｒＮ）膜を形成するが、このとき、窒化アルミニウムを含む中間層が、下地基板とクロム窒化物膜との間に形成される。次に、ＧａＮバッファ層を成膜した後、基板温度を１０４０℃まで昇温し、ＧａＮの結晶層を成長させることにより、上面のピット密度が、１０５／ｃｍ２以下であるＧａＮ単結晶基板が得られる。必要により、クロム窒化物膜の選択的エッチングし、ＧａＮの基板を下地基板から分離する。 （もっと読む）

【課題】従来技術に比較して、形成されたバッファ層の厚さをより正確に制御することができ、欠陥密度を減少させ、蒸着温度を下げることができるバッファ層を形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｈ_２Ｏの前駆物質およびＯ_３の前駆物質のいずれかと、ＤＥＺｎの前駆物質とを供給し、４００℃以下の処理温度で原子層成膜処理を行い、バッファ層として機能するＺｎＯ層１２をサファイヤ基板、Ｓｉ基板、ＳｉＣ基板またはガラス基板からなる基板１０の上に形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反りがない高品質の半導体用窒化ガリウム単結晶厚膜、特に、ｃ面（｛０００１｝面）窒化ガリウム単結晶厚膜を製造する方法に関する。
【解決手段】本発明は特に、ＨＶＰＥを使用して窒化ガリウム単結晶厚膜のｃ面（｛０００１｝面）を製造する方法である。窒化ガリウム膜は、塩化水素（ＨＣｌ）ガスとアンモニアガスを供給することによって基板上に成長される。基板上に窒化ガリウム膜を得て、基板上の窒化ガリウム膜上の窒化ガリウム厚膜が成長する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド等の単結晶の気相合成において利用できるオフ基板の製造に際して、製造コストを削減でき、且つ同一のオフ角を有する単結晶基板を簡単かつ大量に製造することが可能な方法を提供する。
【解決手段】気相合成法によるエピタキシャル成長が可能な材料であって、その表面が、エピタキシャル成長が可能な結晶面に対してオフ角を有する材料を基板として用い、基板のオフ角を有する表面にイオン注入を行って、基板の表面近傍に結晶構造の変質した層を形成し、気相合成法によって基板のオフ角を有する表面上に結晶成長を行い、次いで、成長した結晶層と基板とを分離させる。 （もっと読む）

【目的】 基板となる窒化物半導体の成長方法と、窒化物半導体基板を有する新規な構造の素子を提供する。
【構成】 窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板１あるいは異種基板１上に成長された窒化物半導体層２の表面に、第１の保護膜１１を部分的に形成し、その保護膜を介して第１の窒化物半導体３を成長させる。第１の窒化物半導体３は保護膜上に最初は選択成長されるが、成長を続けるに従って、保護膜上で隣接する窒化物半導体がつながる。第１の保護膜１１上の第１の窒化物半導体３は格子欠陥が少ないので、保護膜を介して窒化物半導体を厚膜で成長させると、非常に結晶性の良い窒化物半導体基板が得られる。窒化物半導体基板を特定膜厚で成長させ、この上に素子構造を形成すると、特性の向上した良好な素子が得られる。 （もっと読む）