蛍光体及びその製造方法
【課題】発光効率に優れた窒化物系の粒子状の蛍光体を提供すること。
【解決手段】蛍光物質として、式Ｍ1 a Ｍ2 b Ｎc （ただし、Ｍ1 は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ2 は、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、ｃ＝（２ａ／３）＋ｂであり、０≦ａかつ０＜ｂである）で示される化合物を、板状の基材粒子上にヘテロエピタキシャル成長させ、粒子状の蛍光体とする。
【解決手段】蛍光物質として、式Ｍ1 a Ｍ2 b Ｎc （ただし、Ｍ1 は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ2 は、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、ｃ＝（２ａ／３）＋ｂであり、０≦ａかつ０＜ｂである）で示される化合物を、板状の基材粒子上にヘテロエピタキシャル成長させ、粒子状の蛍光体とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は粒子状の蛍光体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
蛍光体は、例えば、青色光を発するＬＥＤと組み合わせて白色ＬＥＤなどの可視光励起発光素子を構成したり、近紫外線〜青紫色光を発するＬＥＤと組み合わせて近紫外線〜青紫色光励起発光素子を構成するのに用いられている。このほか、液晶用バックライト及び蛍光灯などの紫外線励起発光素子、プラズマディスプレイパネル及び希ガスランプなどの真空紫外線励起発光素子、ブラウン管やＦＥＤ（Field Emission Display）などの電子線励起発光素子、Ｘ線撮像装置などのＸ線励起発光素子、無機ＥＬディスプレイなどの電界励起発光素子等のさまざまな発光素子と組み合わされる等して広く用いられている。
【０００３】
上述の如く、他の素子と組み合わせて蛍光体を用いる場合、蛍光体は組み合わせる素子、例えば発光素子により様々な特性が要求される。例えば、白色ＬＥＤと組み合わせる場合には、１００℃近くあるいはそれ以上の温度で使用されることになるため、熱的安定性及び化学的安定性も求められる。また、ＦＥＤとの組み合わせの場合には、帯電を防ぐために導電性を持つことが求められる。このような様々な要求を満たしうる蛍光体として、窒化物蛍光体を挙げることができる。
【０００４】
窒化物蛍光体は熱安定性に優れている上に導電性であるため、酸化物蛍光体や硫化物蛍光体を用いることが困難とされていた発光素子への適用が期待されていた。しかしながら、一般に、窒化物蛍光体を合成するには高温高圧が必要で特殊な装置が必要なため、コスト高となる。特にＧａＮ系の蛍光体は高温での窒素分圧が高くて分解しやすいので、良質の蛍光体を得るのは困難とされていた。特許文献１には、化学気相成長法により微粒子上にＧａＮ薄膜を成長させ、これを粉末蛍光体として使用する方法が提案されている。
【特許文献１】特開平１１−２７９５５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１において提案されている技術は、ＡｌＮの粒子の表面に蛍光物質をＣＶＤ法を用いて形成しようとするものである。したがって、ＡｌＮの粒子の粒径を揃えたとしても、得られた蛍光体の発光効率を良くすることは困難であり、輝度が不充分なものとならざるを得ないという問題点を有している。
【０００６】
本発明の目的は、発光効率に優れた窒化物系の粒子状の蛍光体及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者等は、上記課題を解決すべく、多数の窒化物系の蛍光性を有する化合物についてその特性等を検討し、式Ｍ1 a Ｍ2 b Ｎc （ただし、Ｍ1 は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ2 は、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、ｃ＝（２ａ／３）＋ｂであり、０≦ａかつ０＜ｂである）で示される化合物を、板状の粒子上にヘテロエピタキシャル成長させることにより、高い発光効率の窒化物蛍光体を粒状で得ることができることを見出した。本発明者等は、この知見に基づき鋭意研究を重ねた結果、本発明をなすに至ったものである。
【０００８】
請求項１の発明によれば、式Ｍ1 a Ｍ2 b Ｎc （ただし、Ｍ1 は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ2 は、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、ｃ＝（２ａ／３）＋ｂであり、０≦ａかつ０＜ｂである）で示される化合物を、板状の粒子上にヘテロエピタキシャル成長させてなることを特徴とする蛍光体が提案される。
【０００９】
請求項２の発明によれば、請求項１に記載の発明において、Ｍ1 がＺｎである蛍光体が提案される。
【００１０】
請求項３の発明によれば、請求項１又は２に記載の発明において、Ｍ2 がＧａである蛍光体が提案される。
【００１１】
請求項４の発明によれば、請求項１、２又は３に記載の発明において、前記化合物に不純物がドーピングされている蛍光体が提案される。
【００１２】
請求項５の発明によれば、請求項１、２、３又は４に記載の発明において、前記ドーパントがＳｉである蛍光体が提案される。
【００１３】
請求項６の発明によれば、請求項１、２、３、４又は５に記載の発明において、前記粒子がＡｌ2 Ｏ3 である蛍光体が提案される。
【００１４】
請求項７の発明によれば、請求項１、２、３、４、５又は６に記載の発明において、前記粒子がα−Ａｌ2 Ｏ3 である蛍光体が提案される。
【００１５】
請求項８の発明によれば、請求項１、２、３、４、５、６又は７に記載の発明において、前記粒子が六方晶構造を有し、前記化合物が前記粒子のＣ面上に成長している蛍光体が提案される。
【００１６】
請求項９の発明によれば、請求項１、２、３、４、５、６、７又は８に記載の発明において、前記粒子の高さ方向の粒径をＨ、底面最長粒径をＤとした時のＤ／Ｈ比が１〜３０である蛍光体が提案される。
【００１７】
請求項１０の発明によれば、請求項１〜９のいずれかに記載の蛍光体を製造する方法であって、基板上に結晶面を有する粒子を配置し、粒子が配置された基板上に前記化合物をヘテロエピタキシャル成長した後、前記化合物が成長した粒子を基板から剥離することによって蛍光体を製造することを特徴とする蛍光体の製造方法が提案される。
【００１８】
請求項１１の発明によれば、請求項１０に記載の発明において、前記基板が、ＳｉＯ2 基板又はＳｉＯ2 薄膜が表面に形成されている基板である蛍光体の製造方法が提案される。
【００１９】
請求項１２の発明によれば、請求項１０又は１１に記載の発明において、前記へテロエピタキシャル成長が有機金属気相成長法である蛍光体の製造方法が提案される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明による粒状の蛍光体は、熱安定性に優れるため、白色ＬＥＤ用として有用である。また、本発明による蛍光体は導電性であるため、ＦＥＤ用に有効に使用することができる。さらに、本発明によれば、蛍光体は結晶性が良いため高い輝度の発光を示し、また、一度に多量の蛍光体の生産が可能であり、工業的に極めて有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態の一例について詳しく説明する。
【００２２】
本発明の蛍光体は、式（１）
Ｍ1 a Ｍ2 b Ｎc （１）
で示される化合物である蛍光物質を、成長基材となる粒子（基材粒子）上に適宜の成長法を用いて成長させたものである。
【００２３】
上式（１）において、Ｍ1 は２族の金属元素である。Ｍ1 はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上が挙げられ、好ましくはＣａ、Ｍｇ及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上であり、さらに好ましくはＺｎである。
【００２４】
Ｍ2 は３族の金属元素である。Ｍ2 はＡｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる１種以上が挙げられ、好ましくはＧａ及びＩｎからなる群より選ばれる１種以上であり、さらに好ましくはＧａである。
【００２５】
式（１）のａ、ｂ、ｃ間においては、ｃ＝（２ａ／３）＋ｂの関係を満たす必要があり、０≦ａかつ０＜ｂである。以上の条件が満たされていると、この蛍光体は近紫外線〜青紫光、さらには近紫外線〜青色光の波長範囲の光により励起され、高い輝度を示す蛍光体となる。また、この蛍光体は電子線照射により高い輝度を示す蛍光体となる。ここで、Ｍ1 とＭ2 のモル比ａ／ｂは０．００００１以上０．００１以下が好ましく、０．００００４以上０．０００５以下がより好ましく、０．０００１以上０．０００３以下が特に好ましい。
【００２６】
上記蛍光体には不純物がドーピングされていることが好ましい。不純物としては、Ｓｉ、Ｏ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが好ましく、より好ましくはＳｉ、Ｏ、Ｇｅであり、Ｓｉが最も好ましい。
【００２７】
蛍光体は、微粒子等の基材粒子の表面に上述した蛍光物質をヘテロエピタキシャル成長させて設けることにより得られる。このため、基材粒子はその成長プロセスに耐えられるものでなければならない。すなわち、窒化物蛍光体を形成する条件は１０００℃近い高温、及びＮＨ3 などの還元雰囲気が必要となるからである。また、蛍光物質がその基材粒子に選択的に形成される必要がある。これらの条件を満足する基材粒子の材料としては、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＡｌＮ、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 、ＬｉＴａＯ3 などがあり、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ、ＳｉＣが好ましく、さらに好ましくはＡｌ2 Ｏ3 であり、α−アルミナが特に好ましい。
【００２８】
本発明の蛍光体を形成するに必要な基材粒子（微粒子）は、蛍光物質の形成しやすさの面から、特定の結晶構造を有し、しかも成長方向を適切に選択することが重要である。結晶構造は六方晶系であることが好ましく、成長方向はＣ軸方向であることが好ましい。
【００２９】
基材粒子上に蛍光物質を成長させる場合、適宜の大きさの基板上に多数の基材粒子を配した状態で蛍光物質を結晶成長させる方法が使用できる。このような方法を採用する場合、本発明の蛍光体を形成するために用いる微粒子は、基板上に重なることなく均一に分布させることが必要である。基材粒子（微粒子）が板状の結晶であり、該結晶の高さ方向の粒径をＨ、底面最長粒径をＤとした時のＤ／Ｈ比が１〜３０であることにより、重なりのない均一な分布が実現される。
【００３０】
基板上に基材粒子を配し、ヘテロエピタキシャル成長により該基材粒子上に蛍光物質を結晶成長させると、蛍光物質は、基材粒子の表面に結晶成長するほか、基板表面上にも結晶成長する可能性がある。基材粒子に蛍光物質を結晶成長させることにより得られた蛍光体粒子を基板から分離するためには、基板上に蛍光物質が結晶形成しない方が望ましい。式（１）で示される蛍光物質が形成されない基板としては、ＳｉＯ2 基板、又はＳｉＯ2 薄膜をＳｉＯ2 基板以外の他の基板上に形成した基板が好ましい。しかし、ＳｉＯ2 薄膜をＳｉＯ2 基板以外の基板上に形成したものが特に好ましい。
【００３１】
基材粒子上に蛍光物質を形成する方法としては、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）、ハイドライド気層成長法（ＨＶＰＥ）、パルスレーザー積層法（ＰＬＤ）などを用いことができるが、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法が好ましい。
【００３２】
次に、本発明による蛍光体を製造する方法の一実施例について説明する。
先ず、サファイアなどの基板に蒸着によりＳｉＯ2 薄膜を形成する。基材粒子となる板状の微粒子を超純水などでスラリー状にし、スピンコーターなどでＳｉＯ2 薄膜が形成されている基板（以下、単に基板と称することがある）上に塗布する。このような方法を用いることで、微粒子を所要の基板上に重なり合うことなく配置させることができる。基板上への微粒子の配置は、例えば微粒子と媒体を含むスラリー中へ基板を浸漬する方法、又は、スラリーを基板に塗布又は噴霧する方法で行うことができる。板状の微粒子を用いると、基板上にスラリーを塗布した後別の基板で挟み込み、しかる後、後者の基板を取り除くことで、板状の微粒子を比較的平坦面で基板上に配置することが可能である。用いることができる媒体は、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、エチレングリコール、ジメチルアセトアミド、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等であり、好ましくは水である。乾燥後、微粒子は分子間力により基板に固定される。
【００３３】
基板上の微粒子に蛍光物質を結晶成長させるためのエピタキシャル成長には、例えばＭＯＶＰＥ装置を用いることができる。この場合、２族原料ガスとしては、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ及びＺｎからなる群より選ばれた１種以上の元素の有機金属化合物を混合して用いる。有機金属基としては、ジメチル基、ジエチル基、ビスシクロペンタジエニル基、ビスメチルシクロペンタジエニル基、ビスエチルシクロペンタジエニル基などが例示される。
【００３４】
ガリウム原料ガス、アルミニウム原料ガス、インジウム原料ガスとしては、各金属原子に炭素数が１から３のアルキル基もしくは水素が結合した、トリアルキル化物もしくは三水素化物が、通常用いられる。例えばＧａの原料としてはトリメチルガリウム（（ＣＨ3 ）3 Ｇａ）、トリエチルガリウム（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｇａ）などを用いることができる。
【００３５】
窒素原料としてはアンモニアを通常使用するが、ヒドラジン、メチルヒドラジン、１，１−ジメチルヒドラジン、１，２−ジメチルヒドラジン、ｔ−ブチルアミン、エチレンジアミンなどが挙げられる。これらは単独でまたは任意の組み合わせで混合して用いることができる。これらの原料のうち、アンモニアとヒドラジンは、分子中に炭素原子を含まないため、半導体中への炭素の汚染が少なく好適である。
【００３６】
成長時雰囲気ガス及び有機金属原料のキャリアガスとしては、窒素、水素、アルゴン、ヘリウムなどの気体を単独あるいは混合して用いることができる。水素ガス、ヘリウムガス雰囲気中では原料の前分解が抑制されるため、水素ガス、ヘリウムガスがキャリアガスとしてより好ましい。
【００３７】
ＭＯＶＰＥ法により、本発明による蛍光体を製造するのに使用される気相成長半導体製造装置の一例の概略を図１に示す。気相成長半導体製造装置は、図示していない原料供給装置から原料ガスが原料供給ライン１を通じて供給される反応炉２を備えている。反応炉２内には基板３を加熱するためのサセプタ４が設けられている。サセプタ４は多角柱体であり、その表面には基板３が複数枚取り付けられている。ここで、基板３の各表面の図示しないＳｉＯ2 層上には、それぞれ、基材粒子である板状の微粒子（図示せず）が上述の如くして均一に塗布された状態となっている。
【００３８】
サセプタ４は回転装置５によって回転できる構造となっている。サセプタ４の内部には、サセプタ４を加熱するための赤外線ランプ６が備えられている。赤外線ランプ６に加熱用電源７から加熱用の電流を流すことにより、基板３を所望の成長温度に加熱することができる。この加熱により、原料供給ライン１を通じて反応炉２に供給される原料ガスが基板３上で熱分解し、基板３上に塗布されている図示しない微粒子の表面に所望の化合物を気相成長させることができるようになっている。反応炉２に供給された原料ガスのうち未反応の原料ガスは、排気ポート８より反応器の外部に排出され、図示しない排ガス処理装置へ送られる。
【００３９】
このようにして基板上の微粒子に蛍光物質を結晶を成長させることにより得られた粒状の蛍光体は、基板と分子間力のみで結びついているため、極めて弱い力で基板から削り取ることができる。削り取りにより基板から分離した粒状の蛍光体は、そのまま各種発光素子用の蛍光体として使用することもできる。また、エッチングによる粉砕、分球などにより、基板部分と分けて使用することも可能である。さらに、本発明の蛍光体を基板上から削り取らずに、レーザアブレーション、マグネトロンスパッタ、プラズマＣＶＤなどの手法で発光素子上への積層してもよい。
【００４０】
本発明の蛍光体は、特定の種類の蛍光体を単独で用いることができる。しかし、本発明の蛍光体を、複数の発光色のものを組合せて用い、発光素子の発光面に設置して発光装置とすることもできる。蛍光体の発光色を、例えば、青色と黄色との組み合せ、赤色と緑色との組み合せ、赤色と緑色と青色との組み合せ等にすることより、蛍光色を調整することができる。特に、混合した蛍光色の光が目視で白色となるよう組み合せる蛍光体の各量を調整して、組み合せた蛍光体を発光素子の発光面に設置することにより、輝度の高い白色発光装置を製造することができる。
【実施例】
【００４１】
以下、本発明の実施例及び比較例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【００４２】
（実施例１）
基板として、サファイアのＣ面を鏡面研磨したものの表面に、蒸着法によりＳｉＯ2 を１００ｎｍ形成したものを用いた。このようにして形成された基板上に板状のαアルミナ粒子（平均長径４０μｍ，平均厚さ２μｍ）（商品名スミコランダム：住友化学社製）を超純水によりスラリー状にしたものをスピンコーターにより塗布した。水スラリーを塗布した基板を、別のサファイア基板で挟み込み、後者のサファイア基板をスライドさせて除去した。乾燥後、Ｘ線回折装置により基板上に配置されているアルミナ粒子がＣ面配向していることを確認し、基板を気相成長装置に導入した。
【００４３】
気相成長には常圧ＭＯＶＰＥ法を用いた。成長方法については、低温成長バッファ層としてＧａＮを用いる２段階成長法を用いた。１気圧で、サセプタの温度を４８５℃、キャリアガスを水素とし、キャリアガス、窒素原料としてアンモニア、Ｇａ原料としてトリメチルガリウム（以下ＴＭＧと略記することがある）をそれぞれ６０ｓｌｍ、４０ｓｌｍ、９．６ｓｃｃｍ供給して、成長時間５分で厚みが約５００ÅのＧａＮバッファ層を成長した。次に、サセプタの温度を９６０℃にしたのち、キャリアガス、アンモニア及びＴＭＧをそれぞれ６０ｓｌｍ、４０ｓｌｍ、４０ｓｃｃｍ、さらにジメチル亜鉛（以下ＤＭＺｎと略記することがある）を４００ｓｃｃｍ供給して、成長時間６０分で厚さが約３μｍのＺｎa1Ｇａb1Ｎc1を成長した。そのときのモル比（ａ／ｂ）は０．００００９１であった。その後キャリアガスを水素のままで反応炉温度を室温まで冷却して反応炉から取出した。ただし、ｓｌｍ及びｓｃｃｍとは気体の流量の単位で１ｓｌｍは１分当たり、標準状態で１リットルの体積を占める重量の気体が流れていることを示し、１０００ｓｃｃｍは１ｓｌｍに相当する。
【００４４】
このようにして得られた蛍光体１（実施例１）の発光特性を、蛍光分光光度計（日本分光株式会社製）を用い、得られる励起スペクトル及び発光スペクトルにより評価した。評価は基板から蛍光体１を剥がさずそのままで実施した。発光スペクトルは、励起波長を近紫外光、青色光、及び緑色光の範囲で測定した。蛍光体１は、３７０ｎｍ以下の波長の光により励起され、波長４３０ｎｍ付近に最大発光強度を有する青色発光を示すことがわかった。測定結果を図２に示すと共に、励起スペクトルと近紫外光（３６５ｎｍ）で励起して得られた発光スペクトルを図３に示した。発光強度は粒状の蛍光体１が基板全面を覆いつくした値に換算した。蛍光体１に含まれるＺｎのモル比（Ｚｎ原子量／Ｇａ原子量）は二次イオン質量分析ＳＩＭＳにより測定した。
【００４５】
（実施例２）
ＤＭＺｎの供給を２００ｓｃｃｍとし、モル比（ａ／ｂ）が０．００００４６であることを除き、実施例１と同様にして蛍光体２（実施例２）を作製した。この蛍光体２の発光特性を実施例１と同様に蛍光分光光度計（日本分光株式会社製）を用い、評価した。得られた結果を図２に示した。
【００４６】
（実施例３）
ＤＭＺｎの供給量を８００ｓｃｃｍとし、モル比（ａ／ｂ）が０．０００１８２であることを除き、実施例１と同様にして、蛍光体３（実施例３）を作製した。この蛍光体３の発光特性を実施例１と同様に蛍光分光光度計（日本分光株式会社製）を用い、評価した。得られた結果を図２に示した。
【００４７】
（比較例１、２、３）
ＳｉＯ2 蒸着及びαアルミナ塗布を伴わないサファイア基板を用いる以外は、実施例１、２、３と同様にして、実施例１、２、３にそれぞれ対応する比較例１、２、３（蛍光体４、５、６）を得た（図２参照）。これらの蛍光体４、５、６を、実施例１と同様に励起スペクトル及び発光スペクトルにより評価した。その測定結果を図２に示す。蛍光体４（比較例１）の励起スペクトルと近紫外光（３６５ｎｍ）で励起して得られた発光スペクトルとその測定結果を図４に示した。また図５に、近紫外光で励起して得られた蛍光体４の発光スペクトルと蛍光体１のそれとを示す。
【００４８】
（比較例４）
基材粒子として板状でないαアルミナを用いたことを除いては、実施例１と同様にして比較例４（蛍光体７）を作製した。板状でないαアルミナを実施例１の場合と同様にして基板上に塗布し、乾燥後、Ｘ線回折装置により粒子がランダムに配向していることを確認した。以降の実施条件は全て実施例１と同様にして、蛍光体７を得た。この蛍光体７を励起スペクトル及び発光スペクトルにより評価した結果を図２に示す。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の蛍光体の製造に用いる有機金属気相成長半導体製造装置の概略構成を示す図。
【図２】本発明の実施例１〜３と比較例１〜４との発光特性の測定結果を表にして示す図。
【図３】実施例１の発光特性を示すグラフ。
【図４】比較例１の発光特性を示すグラフ。
【図５】実施例１と比較例１との発光特性比較を示すグラフ。
【符号の説明】
【００５０】
１ 原料供給ライン
２ 反応炉
３ 成長基板
４ サセプタ
５ 回転装置
６ 赤外線ランプ
７ 加熱用電源
８ 排気ポート
【技術分野】
【０００１】
本発明は粒子状の蛍光体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
蛍光体は、例えば、青色光を発するＬＥＤと組み合わせて白色ＬＥＤなどの可視光励起発光素子を構成したり、近紫外線〜青紫色光を発するＬＥＤと組み合わせて近紫外線〜青紫色光励起発光素子を構成するのに用いられている。このほか、液晶用バックライト及び蛍光灯などの紫外線励起発光素子、プラズマディスプレイパネル及び希ガスランプなどの真空紫外線励起発光素子、ブラウン管やＦＥＤ（Field Emission Display）などの電子線励起発光素子、Ｘ線撮像装置などのＸ線励起発光素子、無機ＥＬディスプレイなどの電界励起発光素子等のさまざまな発光素子と組み合わされる等して広く用いられている。
【０００３】
上述の如く、他の素子と組み合わせて蛍光体を用いる場合、蛍光体は組み合わせる素子、例えば発光素子により様々な特性が要求される。例えば、白色ＬＥＤと組み合わせる場合には、１００℃近くあるいはそれ以上の温度で使用されることになるため、熱的安定性及び化学的安定性も求められる。また、ＦＥＤとの組み合わせの場合には、帯電を防ぐために導電性を持つことが求められる。このような様々な要求を満たしうる蛍光体として、窒化物蛍光体を挙げることができる。
【０００４】
窒化物蛍光体は熱安定性に優れている上に導電性であるため、酸化物蛍光体や硫化物蛍光体を用いることが困難とされていた発光素子への適用が期待されていた。しかしながら、一般に、窒化物蛍光体を合成するには高温高圧が必要で特殊な装置が必要なため、コスト高となる。特にＧａＮ系の蛍光体は高温での窒素分圧が高くて分解しやすいので、良質の蛍光体を得るのは困難とされていた。特許文献１には、化学気相成長法により微粒子上にＧａＮ薄膜を成長させ、これを粉末蛍光体として使用する方法が提案されている。
【特許文献１】特開平１１−２７９５５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１において提案されている技術は、ＡｌＮの粒子の表面に蛍光物質をＣＶＤ法を用いて形成しようとするものである。したがって、ＡｌＮの粒子の粒径を揃えたとしても、得られた蛍光体の発光効率を良くすることは困難であり、輝度が不充分なものとならざるを得ないという問題点を有している。
【０００６】
本発明の目的は、発光効率に優れた窒化物系の粒子状の蛍光体及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者等は、上記課題を解決すべく、多数の窒化物系の蛍光性を有する化合物についてその特性等を検討し、式Ｍ1 a Ｍ2 b Ｎc （ただし、Ｍ1 は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ2 は、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、ｃ＝（２ａ／３）＋ｂであり、０≦ａかつ０＜ｂである）で示される化合物を、板状の粒子上にヘテロエピタキシャル成長させることにより、高い発光効率の窒化物蛍光体を粒状で得ることができることを見出した。本発明者等は、この知見に基づき鋭意研究を重ねた結果、本発明をなすに至ったものである。
【０００８】
請求項１の発明によれば、式Ｍ1 a Ｍ2 b Ｎc （ただし、Ｍ1 は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ2 は、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、ｃ＝（２ａ／３）＋ｂであり、０≦ａかつ０＜ｂである）で示される化合物を、板状の粒子上にヘテロエピタキシャル成長させてなることを特徴とする蛍光体が提案される。
【０００９】
請求項２の発明によれば、請求項１に記載の発明において、Ｍ1 がＺｎである蛍光体が提案される。
【００１０】
請求項３の発明によれば、請求項１又は２に記載の発明において、Ｍ2 がＧａである蛍光体が提案される。
【００１１】
請求項４の発明によれば、請求項１、２又は３に記載の発明において、前記化合物に不純物がドーピングされている蛍光体が提案される。
【００１２】
請求項５の発明によれば、請求項１、２、３又は４に記載の発明において、前記ドーパントがＳｉである蛍光体が提案される。
【００１３】
請求項６の発明によれば、請求項１、２、３、４又は５に記載の発明において、前記粒子がＡｌ2 Ｏ3 である蛍光体が提案される。
【００１４】
請求項７の発明によれば、請求項１、２、３、４、５又は６に記載の発明において、前記粒子がα−Ａｌ2 Ｏ3 である蛍光体が提案される。
【００１５】
請求項８の発明によれば、請求項１、２、３、４、５、６又は７に記載の発明において、前記粒子が六方晶構造を有し、前記化合物が前記粒子のＣ面上に成長している蛍光体が提案される。
【００１６】
請求項９の発明によれば、請求項１、２、３、４、５、６、７又は８に記載の発明において、前記粒子の高さ方向の粒径をＨ、底面最長粒径をＤとした時のＤ／Ｈ比が１〜３０である蛍光体が提案される。
【００１７】
請求項１０の発明によれば、請求項１〜９のいずれかに記載の蛍光体を製造する方法であって、基板上に結晶面を有する粒子を配置し、粒子が配置された基板上に前記化合物をヘテロエピタキシャル成長した後、前記化合物が成長した粒子を基板から剥離することによって蛍光体を製造することを特徴とする蛍光体の製造方法が提案される。
【００１８】
請求項１１の発明によれば、請求項１０に記載の発明において、前記基板が、ＳｉＯ2 基板又はＳｉＯ2 薄膜が表面に形成されている基板である蛍光体の製造方法が提案される。
【００１９】
請求項１２の発明によれば、請求項１０又は１１に記載の発明において、前記へテロエピタキシャル成長が有機金属気相成長法である蛍光体の製造方法が提案される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明による粒状の蛍光体は、熱安定性に優れるため、白色ＬＥＤ用として有用である。また、本発明による蛍光体は導電性であるため、ＦＥＤ用に有効に使用することができる。さらに、本発明によれば、蛍光体は結晶性が良いため高い輝度の発光を示し、また、一度に多量の蛍光体の生産が可能であり、工業的に極めて有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態の一例について詳しく説明する。
【００２２】
本発明の蛍光体は、式（１）
Ｍ1 a Ｍ2 b Ｎc （１）
で示される化合物である蛍光物質を、成長基材となる粒子（基材粒子）上に適宜の成長法を用いて成長させたものである。
【００２３】
上式（１）において、Ｍ1 は２族の金属元素である。Ｍ1 はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上が挙げられ、好ましくはＣａ、Ｍｇ及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上であり、さらに好ましくはＺｎである。
【００２４】
Ｍ2 は３族の金属元素である。Ｍ2 はＡｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる１種以上が挙げられ、好ましくはＧａ及びＩｎからなる群より選ばれる１種以上であり、さらに好ましくはＧａである。
【００２５】
式（１）のａ、ｂ、ｃ間においては、ｃ＝（２ａ／３）＋ｂの関係を満たす必要があり、０≦ａかつ０＜ｂである。以上の条件が満たされていると、この蛍光体は近紫外線〜青紫光、さらには近紫外線〜青色光の波長範囲の光により励起され、高い輝度を示す蛍光体となる。また、この蛍光体は電子線照射により高い輝度を示す蛍光体となる。ここで、Ｍ1 とＭ2 のモル比ａ／ｂは０．００００１以上０．００１以下が好ましく、０．００００４以上０．０００５以下がより好ましく、０．０００１以上０．０００３以下が特に好ましい。
【００２６】
上記蛍光体には不純物がドーピングされていることが好ましい。不純物としては、Ｓｉ、Ｏ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが好ましく、より好ましくはＳｉ、Ｏ、Ｇｅであり、Ｓｉが最も好ましい。
【００２７】
蛍光体は、微粒子等の基材粒子の表面に上述した蛍光物質をヘテロエピタキシャル成長させて設けることにより得られる。このため、基材粒子はその成長プロセスに耐えられるものでなければならない。すなわち、窒化物蛍光体を形成する条件は１０００℃近い高温、及びＮＨ3 などの還元雰囲気が必要となるからである。また、蛍光物質がその基材粒子に選択的に形成される必要がある。これらの条件を満足する基材粒子の材料としては、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＡｌＮ、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 、ＬｉＴａＯ3 などがあり、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ、ＳｉＣが好ましく、さらに好ましくはＡｌ2 Ｏ3 であり、α−アルミナが特に好ましい。
【００２８】
本発明の蛍光体を形成するに必要な基材粒子（微粒子）は、蛍光物質の形成しやすさの面から、特定の結晶構造を有し、しかも成長方向を適切に選択することが重要である。結晶構造は六方晶系であることが好ましく、成長方向はＣ軸方向であることが好ましい。
【００２９】
基材粒子上に蛍光物質を成長させる場合、適宜の大きさの基板上に多数の基材粒子を配した状態で蛍光物質を結晶成長させる方法が使用できる。このような方法を採用する場合、本発明の蛍光体を形成するために用いる微粒子は、基板上に重なることなく均一に分布させることが必要である。基材粒子（微粒子）が板状の結晶であり、該結晶の高さ方向の粒径をＨ、底面最長粒径をＤとした時のＤ／Ｈ比が１〜３０であることにより、重なりのない均一な分布が実現される。
【００３０】
基板上に基材粒子を配し、ヘテロエピタキシャル成長により該基材粒子上に蛍光物質を結晶成長させると、蛍光物質は、基材粒子の表面に結晶成長するほか、基板表面上にも結晶成長する可能性がある。基材粒子に蛍光物質を結晶成長させることにより得られた蛍光体粒子を基板から分離するためには、基板上に蛍光物質が結晶形成しない方が望ましい。式（１）で示される蛍光物質が形成されない基板としては、ＳｉＯ2 基板、又はＳｉＯ2 薄膜をＳｉＯ2 基板以外の他の基板上に形成した基板が好ましい。しかし、ＳｉＯ2 薄膜をＳｉＯ2 基板以外の基板上に形成したものが特に好ましい。
【００３１】
基材粒子上に蛍光物質を形成する方法としては、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）、ハイドライド気層成長法（ＨＶＰＥ）、パルスレーザー積層法（ＰＬＤ）などを用いことができるが、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法が好ましい。
【００３２】
次に、本発明による蛍光体を製造する方法の一実施例について説明する。
先ず、サファイアなどの基板に蒸着によりＳｉＯ2 薄膜を形成する。基材粒子となる板状の微粒子を超純水などでスラリー状にし、スピンコーターなどでＳｉＯ2 薄膜が形成されている基板（以下、単に基板と称することがある）上に塗布する。このような方法を用いることで、微粒子を所要の基板上に重なり合うことなく配置させることができる。基板上への微粒子の配置は、例えば微粒子と媒体を含むスラリー中へ基板を浸漬する方法、又は、スラリーを基板に塗布又は噴霧する方法で行うことができる。板状の微粒子を用いると、基板上にスラリーを塗布した後別の基板で挟み込み、しかる後、後者の基板を取り除くことで、板状の微粒子を比較的平坦面で基板上に配置することが可能である。用いることができる媒体は、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、エチレングリコール、ジメチルアセトアミド、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等であり、好ましくは水である。乾燥後、微粒子は分子間力により基板に固定される。
【００３３】
基板上の微粒子に蛍光物質を結晶成長させるためのエピタキシャル成長には、例えばＭＯＶＰＥ装置を用いることができる。この場合、２族原料ガスとしては、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ及びＺｎからなる群より選ばれた１種以上の元素の有機金属化合物を混合して用いる。有機金属基としては、ジメチル基、ジエチル基、ビスシクロペンタジエニル基、ビスメチルシクロペンタジエニル基、ビスエチルシクロペンタジエニル基などが例示される。
【００３４】
ガリウム原料ガス、アルミニウム原料ガス、インジウム原料ガスとしては、各金属原子に炭素数が１から３のアルキル基もしくは水素が結合した、トリアルキル化物もしくは三水素化物が、通常用いられる。例えばＧａの原料としてはトリメチルガリウム（（ＣＨ3 ）3 Ｇａ）、トリエチルガリウム（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｇａ）などを用いることができる。
【００３５】
窒素原料としてはアンモニアを通常使用するが、ヒドラジン、メチルヒドラジン、１，１−ジメチルヒドラジン、１，２−ジメチルヒドラジン、ｔ−ブチルアミン、エチレンジアミンなどが挙げられる。これらは単独でまたは任意の組み合わせで混合して用いることができる。これらの原料のうち、アンモニアとヒドラジンは、分子中に炭素原子を含まないため、半導体中への炭素の汚染が少なく好適である。
【００３６】
成長時雰囲気ガス及び有機金属原料のキャリアガスとしては、窒素、水素、アルゴン、ヘリウムなどの気体を単独あるいは混合して用いることができる。水素ガス、ヘリウムガス雰囲気中では原料の前分解が抑制されるため、水素ガス、ヘリウムガスがキャリアガスとしてより好ましい。
【００３７】
ＭＯＶＰＥ法により、本発明による蛍光体を製造するのに使用される気相成長半導体製造装置の一例の概略を図１に示す。気相成長半導体製造装置は、図示していない原料供給装置から原料ガスが原料供給ライン１を通じて供給される反応炉２を備えている。反応炉２内には基板３を加熱するためのサセプタ４が設けられている。サセプタ４は多角柱体であり、その表面には基板３が複数枚取り付けられている。ここで、基板３の各表面の図示しないＳｉＯ2 層上には、それぞれ、基材粒子である板状の微粒子（図示せず）が上述の如くして均一に塗布された状態となっている。
【００３８】
サセプタ４は回転装置５によって回転できる構造となっている。サセプタ４の内部には、サセプタ４を加熱するための赤外線ランプ６が備えられている。赤外線ランプ６に加熱用電源７から加熱用の電流を流すことにより、基板３を所望の成長温度に加熱することができる。この加熱により、原料供給ライン１を通じて反応炉２に供給される原料ガスが基板３上で熱分解し、基板３上に塗布されている図示しない微粒子の表面に所望の化合物を気相成長させることができるようになっている。反応炉２に供給された原料ガスのうち未反応の原料ガスは、排気ポート８より反応器の外部に排出され、図示しない排ガス処理装置へ送られる。
【００３９】
このようにして基板上の微粒子に蛍光物質を結晶を成長させることにより得られた粒状の蛍光体は、基板と分子間力のみで結びついているため、極めて弱い力で基板から削り取ることができる。削り取りにより基板から分離した粒状の蛍光体は、そのまま各種発光素子用の蛍光体として使用することもできる。また、エッチングによる粉砕、分球などにより、基板部分と分けて使用することも可能である。さらに、本発明の蛍光体を基板上から削り取らずに、レーザアブレーション、マグネトロンスパッタ、プラズマＣＶＤなどの手法で発光素子上への積層してもよい。
【００４０】
本発明の蛍光体は、特定の種類の蛍光体を単独で用いることができる。しかし、本発明の蛍光体を、複数の発光色のものを組合せて用い、発光素子の発光面に設置して発光装置とすることもできる。蛍光体の発光色を、例えば、青色と黄色との組み合せ、赤色と緑色との組み合せ、赤色と緑色と青色との組み合せ等にすることより、蛍光色を調整することができる。特に、混合した蛍光色の光が目視で白色となるよう組み合せる蛍光体の各量を調整して、組み合せた蛍光体を発光素子の発光面に設置することにより、輝度の高い白色発光装置を製造することができる。
【実施例】
【００４１】
以下、本発明の実施例及び比較例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【００４２】
（実施例１）
基板として、サファイアのＣ面を鏡面研磨したものの表面に、蒸着法によりＳｉＯ2 を１００ｎｍ形成したものを用いた。このようにして形成された基板上に板状のαアルミナ粒子（平均長径４０μｍ，平均厚さ２μｍ）（商品名スミコランダム：住友化学社製）を超純水によりスラリー状にしたものをスピンコーターにより塗布した。水スラリーを塗布した基板を、別のサファイア基板で挟み込み、後者のサファイア基板をスライドさせて除去した。乾燥後、Ｘ線回折装置により基板上に配置されているアルミナ粒子がＣ面配向していることを確認し、基板を気相成長装置に導入した。
【００４３】
気相成長には常圧ＭＯＶＰＥ法を用いた。成長方法については、低温成長バッファ層としてＧａＮを用いる２段階成長法を用いた。１気圧で、サセプタの温度を４８５℃、キャリアガスを水素とし、キャリアガス、窒素原料としてアンモニア、Ｇａ原料としてトリメチルガリウム（以下ＴＭＧと略記することがある）をそれぞれ６０ｓｌｍ、４０ｓｌｍ、９．６ｓｃｃｍ供給して、成長時間５分で厚みが約５００ÅのＧａＮバッファ層を成長した。次に、サセプタの温度を９６０℃にしたのち、キャリアガス、アンモニア及びＴＭＧをそれぞれ６０ｓｌｍ、４０ｓｌｍ、４０ｓｃｃｍ、さらにジメチル亜鉛（以下ＤＭＺｎと略記することがある）を４００ｓｃｃｍ供給して、成長時間６０分で厚さが約３μｍのＺｎa1Ｇａb1Ｎc1を成長した。そのときのモル比（ａ／ｂ）は０．００００９１であった。その後キャリアガスを水素のままで反応炉温度を室温まで冷却して反応炉から取出した。ただし、ｓｌｍ及びｓｃｃｍとは気体の流量の単位で１ｓｌｍは１分当たり、標準状態で１リットルの体積を占める重量の気体が流れていることを示し、１０００ｓｃｃｍは１ｓｌｍに相当する。
【００４４】
このようにして得られた蛍光体１（実施例１）の発光特性を、蛍光分光光度計（日本分光株式会社製）を用い、得られる励起スペクトル及び発光スペクトルにより評価した。評価は基板から蛍光体１を剥がさずそのままで実施した。発光スペクトルは、励起波長を近紫外光、青色光、及び緑色光の範囲で測定した。蛍光体１は、３７０ｎｍ以下の波長の光により励起され、波長４３０ｎｍ付近に最大発光強度を有する青色発光を示すことがわかった。測定結果を図２に示すと共に、励起スペクトルと近紫外光（３６５ｎｍ）で励起して得られた発光スペクトルを図３に示した。発光強度は粒状の蛍光体１が基板全面を覆いつくした値に換算した。蛍光体１に含まれるＺｎのモル比（Ｚｎ原子量／Ｇａ原子量）は二次イオン質量分析ＳＩＭＳにより測定した。
【００４５】
（実施例２）
ＤＭＺｎの供給を２００ｓｃｃｍとし、モル比（ａ／ｂ）が０．００００４６であることを除き、実施例１と同様にして蛍光体２（実施例２）を作製した。この蛍光体２の発光特性を実施例１と同様に蛍光分光光度計（日本分光株式会社製）を用い、評価した。得られた結果を図２に示した。
【００４６】
（実施例３）
ＤＭＺｎの供給量を８００ｓｃｃｍとし、モル比（ａ／ｂ）が０．０００１８２であることを除き、実施例１と同様にして、蛍光体３（実施例３）を作製した。この蛍光体３の発光特性を実施例１と同様に蛍光分光光度計（日本分光株式会社製）を用い、評価した。得られた結果を図２に示した。
【００４７】
（比較例１、２、３）
ＳｉＯ2 蒸着及びαアルミナ塗布を伴わないサファイア基板を用いる以外は、実施例１、２、３と同様にして、実施例１、２、３にそれぞれ対応する比較例１、２、３（蛍光体４、５、６）を得た（図２参照）。これらの蛍光体４、５、６を、実施例１と同様に励起スペクトル及び発光スペクトルにより評価した。その測定結果を図２に示す。蛍光体４（比較例１）の励起スペクトルと近紫外光（３６５ｎｍ）で励起して得られた発光スペクトルとその測定結果を図４に示した。また図５に、近紫外光で励起して得られた蛍光体４の発光スペクトルと蛍光体１のそれとを示す。
【００４８】
（比較例４）
基材粒子として板状でないαアルミナを用いたことを除いては、実施例１と同様にして比較例４（蛍光体７）を作製した。板状でないαアルミナを実施例１の場合と同様にして基板上に塗布し、乾燥後、Ｘ線回折装置により粒子がランダムに配向していることを確認した。以降の実施条件は全て実施例１と同様にして、蛍光体７を得た。この蛍光体７を励起スペクトル及び発光スペクトルにより評価した結果を図２に示す。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の蛍光体の製造に用いる有機金属気相成長半導体製造装置の概略構成を示す図。
【図２】本発明の実施例１〜３と比較例１〜４との発光特性の測定結果を表にして示す図。
【図３】実施例１の発光特性を示すグラフ。
【図４】比較例１の発光特性を示すグラフ。
【図５】実施例１と比較例１との発光特性比較を示すグラフ。
【符号の説明】
【００５０】
１ 原料供給ライン
２ 反応炉
３ 成長基板
４ サセプタ
５ 回転装置
６ 赤外線ランプ
７ 加熱用電源
８ 排気ポート
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｍ1 a Ｍ2 b Ｎc （ただし、Ｍ1 は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ2 は、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、ｃ＝（２ａ／３）＋ｂであり、０≦ａかつ０＜ｂである）で示される化合物を、板状の粒子上にヘテロエピタキシャル成長させてなることを特徴とする蛍光体。
【請求項２】
Ｍ1 がＺｎである請求項１に記載の蛍光体。
【請求項３】
Ｍ2 がＧａである請求項１又は２に記載の蛍光体。
【請求項４】
前記化合物に不純物がドーピングされている請求項１、２又は３に記載の蛍光体。
【請求項５】
前記ドーパントがＳｉである請求項１、２、３又は４に記載の蛍光体。
【請求項６】
前記粒子がＡｌ2 Ｏ3 である請求項１、２、３、４又は５に記載の蛍光体。
【請求項７】
前記粒子がα−Ａｌ2 Ｏ3 である請求項１、２、３、４、５又は６に記載の蛍光体。
【請求項８】
前記粒子が六方晶構造を有し、前記化合物が前記粒子のＣ面上に成長している請求項１、２、３、４、５、６又は７に記載の蛍光体。
【請求項９】
前記粒子の高さ方向の粒径をＨ、底面最長粒径をＤとした時のＤ／Ｈ比が１〜３０である請求項１、２、３、４、５、６、７又は８に記載の蛍光体。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の蛍光体を製造する方法であって、基板上に結晶面を有する粒子を配置し、粒子が配置された基板上に前記化合物をヘテロエピタキシャル成長した後、前記化合物が成長した粒子を基板から剥離することによって蛍光体を製造することを特徴とする蛍光体の製造方法。
【請求項１１】
前記基板が、ＳｉＯ2 基板又はＳｉＯ2 薄膜が表面に形成されている基板である請求項１０に記載の蛍光体の製造方法。
【請求項１２】
前記へテロエピタキシャル成長が有機金属気相成長法である請求項１０又は１１に記載の蛍光体の製造方法。
【請求項１】
式Ｍ1 a Ｍ2 b Ｎc （ただし、Ｍ1 は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ2 は、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、ｃ＝（２ａ／３）＋ｂであり、０≦ａかつ０＜ｂである）で示される化合物を、板状の粒子上にヘテロエピタキシャル成長させてなることを特徴とする蛍光体。
【請求項２】
Ｍ1 がＺｎである請求項１に記載の蛍光体。
【請求項３】
Ｍ2 がＧａである請求項１又は２に記載の蛍光体。
【請求項４】
前記化合物に不純物がドーピングされている請求項１、２又は３に記載の蛍光体。
【請求項５】
前記ドーパントがＳｉである請求項１、２、３又は４に記載の蛍光体。
【請求項６】
前記粒子がＡｌ2 Ｏ3 である請求項１、２、３、４又は５に記載の蛍光体。
【請求項７】
前記粒子がα−Ａｌ2 Ｏ3 である請求項１、２、３、４、５又は６に記載の蛍光体。
【請求項８】
前記粒子が六方晶構造を有し、前記化合物が前記粒子のＣ面上に成長している請求項１、２、３、４、５、６又は７に記載の蛍光体。
【請求項９】
前記粒子の高さ方向の粒径をＨ、底面最長粒径をＤとした時のＤ／Ｈ比が１〜３０である請求項１、２、３、４、５、６、７又は８に記載の蛍光体。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の蛍光体を製造する方法であって、基板上に結晶面を有する粒子を配置し、粒子が配置された基板上に前記化合物をヘテロエピタキシャル成長した後、前記化合物が成長した粒子を基板から剥離することによって蛍光体を製造することを特徴とする蛍光体の製造方法。
【請求項１１】
前記基板が、ＳｉＯ2 基板又はＳｉＯ2 薄膜が表面に形成されている基板である請求項１０に記載の蛍光体の製造方法。
【請求項１２】
前記へテロエピタキシャル成長が有機金属気相成長法である請求項１０又は１１に記載の蛍光体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００８−２６６４８２（Ｐ２００８−２６６４８２Ａ）
【公開日】平成２０年１１月６日（２００８．１１．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１１２６３４（Ｐ２００７−１１２６３４）
【出願日】平成１９年４月２３日（２００７．４．２３）
【出願人】（０００００２０９３）住友化学株式会社 (8,981)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１１月６日（２００８．１１．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年４月２３日（２００７．４．２３）
【出願人】（０００００２０９３）住友化学株式会社 (8,981)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]