【課題】転位の存在する結晶下地を用いて、低転位密度の結晶膜，結晶基板および半導体装置が得られるようにする。
【解決手段】成長用基板１１の一面側にバッファ層１２を介して結晶層２３を備える。結晶層２３は下から伸びる各転位Ｄ₁ の終端に、少なくとも一部が非晶質の材料により構成された空間部２３ａ，２３ｂを有する。空間部２３ａ，２３ｂにより上層部側への各転位Ｄ₁ の伝播が阻止されるので、上層部では低転位密度の結晶層が得られる。 （もっと読む）

【課題】高輝度発光素子等の高電力印加素子用基板として、素子内部に蓄積される熱を減らし素子の寿命を増加させることができる高熱伝導の窒化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ハイドライド気相成長法により、ファイア基板上に窒化ガリウム単結晶膜を成長させる際に、ケイ素（Si）、酸素（O₂）、ゲルマニウム（Ge）および炭素（C）で成される群から選択された一つ以上の物質をドーピングし、n−ドーピング濃度を0．7×10¹⁸ないし3×10¹⁸／cm³とすることにより、常温（300K）で少なくとも1．5W／cmKの均一かつ優れた熱伝導度を有する窒化ガリウム単結晶膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】クラック等を発生させることなく、さらに、欠陥密度が小さく且つ生産性に優れた窒化物半基板の製造方法を提供する。
【解決手段】母材基板１１の主面上に、窒化物半導体が実質的に成長しない材料からなり、ストライプ状に開口する複数の開口部１２ａを有するマスク膜１２Ｂを形成した後、母材基板１１上に、マスク膜１２Ｂを介して窒化物からなる半導体層１３を選択的に成長させる。半導体層１３は、マスク膜１２Ｂの開口部１２ａから該マスク膜１２Ｂの上へ張り出すように成長し、マスク膜１２Ｂは埋め込まれて、平坦な表面を持つ半導体層１３を得ることができる。次に、半導体層１３における母材基板１１との界面にレーザ光を照射して、半導体層１３を母材基板１１から剥離することにより、窒化物半導体基板を形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板特性の面内不均一をなくし、これまでにない高品質かつ高均一なIII−Ｖ族窒化物半導体基板およびその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 第一の半導体結晶基板を準備し、この第一の半導体結晶基板を接着によりサセプタ上に固定し、この第一の半導体結晶基板上にIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶を成長する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハプロセス等に適用可能で、背面給電デバイスの作製に適する大型の導電性ダイヤモンド基板、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 凹部となる第１の領域と、該第１の領域を取り囲む第２の領域とを含む主面を有する導電性基板１と、前記主面の前記第１の領域上に設けられた板状の導電性単結晶ダイヤモンド部４と、前記主面の前記第２の領域上に設けられた層状の導電性多結晶ダイヤモンド部５と、を備え、前記導電性単結晶ダイヤモンド部４が、前記導電性多結晶ダイヤモンド部５と接続して、前記導電性基板１に固定されているダイヤモンド基板。 （もっと読む）

【課題】 基板の反り、クラックの発生を効果的に抑制することができるとともに、半導体層各面における剥がれを防止することができる半導体基板、半導体結晶成長用基板、半導体装置、光半導体装置およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板（１００）は、基板（１）の一面上に成長した半導体結晶層（２）と、基板（１）の他面および側面に形成され、半導体結晶層（２）が基板（１）に付与する応力と同じ方向に基板（１）に応力を付与する応力緩和層（３）とを備えることを特徴とする。この場合、半導体結晶層（２）の基板（１）に対する応力が相殺される。それにより、半導体基板（１００）の反りおよびクラックの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】煩雑な処理をすることなく、シリコン基板上にＧａＮの結晶の成長を行う方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２の表面は、水素で終端されている。次に、７００℃以上、例えば９５０℃程度で加熱し、水素を脱離する。この水素が脱離された表面上にＧａＮバッファー層４が積層される。そして、このＧａＮバッファー層４上にＧａＮをエピタキシャル成長させ、ＧａＮの結晶層６が形成される。水素を脱離してからバッファー層を設けたので、より平坦なバッファー層を形成することができる。その結果、その上に成長させるＧａＮ結晶を良質のものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】Al系ハロゲン化物ガスを原料に用いた気相成長方法によるAl系III族窒化物結晶の製造を課題とし、基板上にAl系III族窒化物結晶をエピタキシャル成長させる際に、Twist成分の結晶品質が良好なAl系III族窒化物結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】 ハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスを原料に用いたAl系III族窒化物結晶の気相成長法による製造において、基板の表面に予め三塩化アルミニウムなどのAl系III族ハロゲン化物ガスを供給し、次いで該基板上にAl系III族ハロゲン化物ガスとともにアンモニアガスなどの窒素源ガスを基板上に供給して反応させ、Al系III族窒化物結晶をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】A軸配向の窒化物系半導体をR面サファイア基板上に選択横方向成長させるエピタキシャル基板の製造方法ならびにこの方法により製造した基板全面において貫通転位密度が低く、かつ、表面平坦性の優れたエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】Ｒ面を有するサファイヤ基板４の主面上に、凹状の溝部１１ｃと凸状のテラス部１１ｂとを交互に有し、上記溝部の幅が０．５〜３０μm、深さが０．３〜３μmであり、かつ、テラス部の幅が０．５〜５μmであるＲ面サファイア基板４上に、下地層１３，１４を介してあるいは介さずに窒化物系半導体層１５を成長させる。該窒化物系半導体層成長時に、III族原料の供給量に対するV族原料の供給量の比を０．０１〜１００とすることにより選択横方向成長を促進する。 （もっと読む）

【課題】比較的安価な多結晶ＳｉＣ基板を母材基板として大型で結晶性の良い単結晶ＳｉＣ基板を安価に製造する。
【解決手段】下記の各工程を行い、多結晶ＳｉＣ基板６の表面に単結晶ＳｉＣ層７が形成された単結晶ＳｉＣ基板を形成する。（１）Ｓｉ母材層に表面Ｓｉ層と埋め込み酸化物層が形成されたＳＯＩ基板を炭化水素系ガス雰囲気中で加熱して表面Ｓｉ層を単結晶ＳｉＣ膜５に変成させるＳｉＣ膜生成工程。（２）上記表面に単結晶ＳｉＣ膜５が形成されたＳｉ母材層を、多結晶ＳｉＣ基板６の表面に単結晶ＳｉＣ膜５が対面するよう積層して接合して積層体を形成する接合工程。（３）上記積層体のＳｉ母材層と埋め込み酸化物層を除去する除去工程。（４）上記多結晶ＳｉＣ基板６の表面に、単結晶ＳｉＣ膜５をシード層として当該単結晶ＳｉＣ膜５上に単結晶ＳｉＣ層７をエピタキシャル成長させる成長工程。 （もっと読む）

【課題】複雑で高コストとなる処理工程を経ることなく、微小な構造の位置制御性およびサイズ均一性を高める。
【解決手段】第１の物質からなる基板の上に第２の物質を堆積させ、ステップが規則的に配列する二次元表面相１１を形成する（Ｓ２）。ついで、二次元表面相１１の上に第３の物質を配置することにより、二次元表面相１１上のステップに第３の物質を含む液滴を配列させる（Ｓ３）。ついで、液滴島２１を結晶化させることにより、微小構造２２を形成する（Ｓ４）。 （もっと読む）

白熱灯および蛍光灯の代用品としての発光ダイオードなどのためにダイヤモンド基板上に窒化ガリウムデバイスを形成する。一つの実施形態として、少なくとも２つの方法でダイヤモンド上に窒化ガリウムダイオード（もしくは他のデバイス）を形成する。第１の方法は、ダイヤモンド上に窒化ガリウムを成長させ、その窒化ガリウム層にデバイスを設けることを含んでいる。第２の方法は、ダイヤモンド上に窒化ガリウム（デバイスもしくはフィルム）を接合し、接合した窒化ガリウム上にデバイスを設けることをともなっている。これらのデバイスは、白熱光や蛍光よりもかなり効率がよく、他の技術よりも光密度もしくはエネルギー密度がかなり高い。同様の方法および同様の構造により他の窒化ガリウム半導体デバイスをつくることができる。 （もっと読む）

【課題】熱膨張係数の差による応力発生のない良質の窒化物単結晶基板を製造可能な窒化物単結晶基板の製造方法および装置を提供する。
【解決手段】反応チャンバー内に装着されたサセプタに予備基板５０を配置する段階（ａ）と、上記予備基板上に窒化物単結晶層５５を成長させる段階（ｂ）と、上記予備基板を上記反応チャンバー内に維持しながら上記予備基板と上記窒化物結晶層が分離されるようにレーザービームを照射する段階（ｃ）と、さらに追加の窒化物成長工程をおこなうことにより窒化物単結晶層５５'を形成する段階（ｄ）と、最後に、レーザービームをさらに追加で照射することによりサファイア基板５０から窒化物単結晶層５５'を完全に分離する段階（ｅ）を含む。窒化物単結晶成長用反応チャンバー上部には、基板上面に向かってレーザーを照射するためのレーザー照射用透明窓を設ける。 （もっと読む）

【課題】 半導体成長用基板とIII族窒化物半導体膜は製造条件または製造装置が異なる等の理由により、半導体成長用基板が大気中の酸素雰囲気に晒されるような場合においても、成長用基板表面の汚染、酸化、表面欠陥の発生を効果的に防止するための基板表面保護方法ならびに該基板表面上へIII族窒化物成長方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板表面に、基板より再蒸発温度が低いＡｌ_ＸＩｎ_ＹＧa_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１）からなる表面保護膜を形成し、半導体成長前に当該表面保護膜を取り除いて半導体を基板上に成長させる。 （もっと読む）

【課題】 成長後のエピタキシャルウェハの表面状態を汚さず鏡面に保つことを可能にしたＭＯＶＰＥ成長装置及び成長方法を提供することにある。
【解決手段】 III−Ｖ族化合物半導体結晶の成長後の反応炉内の残留ガスやパーティクルを除去するために、反応炉内に高温の不活性ガスを多量に導入し、その後半導体結晶の成長シーケンスを開始する。 （もっと読む）

本発明は、Ｇｅ含有ガスを供給してＥｐｉ−ＳｉＧｅ等の成膜処理をする場合に、基板界面の酸素濃度上昇を抑え、良好な膜を形成することができる基板処理装置を提供することを課題としている。
基板に成膜処理をする際に、ステップＳ１８においてＥｐｉ−ＳｉＧｅ成膜処理を行う前に、ステップＳ１３においてＳｉコーティング処理を行う。 これにより基板支持体に付着したＧｅＯ等の酸化物をコーティングで封じ込めることができ、ＧｅＯから脱離した酸素がＥｐｉ−ＳｉＧｅ膜のＳｉ基板との界面に取り込まれるのを防止することができる。
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【課題】高度に低減された貫通転位密度およびエピタキシャル成長に適した表面を有する新しいタイプの半導体基板を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体基板（１）は、ウルツ鉱結晶構造を有するＩＩＩ族金属の窒化物からなり、（０００１）面を有する半導体基板材料と格子不整合する異種基板（２）上、または該半導体基板材料からなる（０００１）面を有する高い転位密度を有する層（３）上、のいずれかにおいて気相成長し、高度に低減された転位密度を有する。本発明によれば、貫通転位が互いに接触する確率を高めるために、（０００１）以外であって
【数１】


の指数を有する高い指数の結晶平面に対して貫通転位（６）の意図的な傾きを与える転位リダイレクション層（４）と、転位リダイレクション層（４）の上に配置され、貫通転位（６）が互いに合体し、半導体基板表面（７）において貫通転位密度を低減する、転位リアクション層（５）とを備える構造が転位密度低減のために利用される。 （もっと読む）

【課題】数ｍｍの厚さに成長しても反りがほとんどない、独立した窒化ガリウム単結晶厚膜およびその成長方法を提供する。
【解決手段】サファイヤ基板上に、ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いてシリコン（Ｓｉ）が過剰にドープされた窒化ガリウム膜を２０〜５０μｍ範囲の厚さに成長させてクラックを誘導し、該積層体を冷却して基板の下部までクラックを伝播させたあと、該窒化ガリウム積層体上にＨＶＰＥによって窒化ガリウム厚膜を成長させる。こうして得られた基板／Ｓｉ過剰ドープされた窒化ガリウム／窒化ガリウム積層体から、誘導されたクラックを有する基板とＳｉ過剰ドープされた窒化ガリウム膜とを除去することにより、表面距離当り＜０００１＞方向に対するｃ軸方向の結晶チルト角の値が０．００２２（°／ｍｍ）以下の、独立した窒化ガリウム厚膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】 下地基板の上にマスクを設けその上にＧａＮをＨＶＰＥ成長させマスク端部から立ち上がるファセットを維持しながら成長させると、マスクの部分は欠陥集合領域Ｈとなりファセット成長した部分は単結晶低転位領域となるが、欠陥集合領域Ｈが多結晶だったり方位が傾斜した単結晶だったりする。クラックの生じない自立ＧａＮ基板を製造する方法を提供すること。
【解決手段】
初め低温で成長させマスク上に多結晶微粒子を生成し高温でエピタキシャル成長させ露出部だけに窒化ガリウム薄膜が成長するようにし、マスクの端から傾斜して伸びるファセットを充分に広くなるようにし、ファセットから方位反転した爪状の突起がマスクの上方へ伸びるようにする。突起が伸び合体し、その上に成長する部分は方位反転結晶の欠陥集合領域Ｈとなる。熱膨張率異方性の違いがなくクラックが発生しない基板を与えることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＩＩＩ族窒化物系化合物からなる表面薄層を形成する場合において、冷却時における表面薄層の目標層厚からの不足を効果的に防止できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 成長用基板を反応容器中に配置し、ＩＩＩ族金属源として該ＩＩＩ族金属の有機金属ガスをキャリアガスにて希釈して用い、窒素源としてアンモニアガスを用いたＭＯＶＰＥ法によりＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層を成長用基板上にエピタキシャル成長する。表面薄層成長工程において表面薄層を、最終的に得るべき目標厚さに対し、冷却工程時において該表面薄層を形成する窒化物の分解により生ずる該表面薄層の厚さ減少を補償する補償厚さを部増しした形で成長することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）