半極性窒化物薄膜の欠陥低減に関する横方向成長方法を開示する。工程ステップは半極性窒化物の面および組成を選択するステップと、半極性窒化物の面および組成の成長に適した基板を選択するステップと、半極性窒化物が基板のある領域上では核生成し、基板の他の領域上では核生成しない選択成長工程を適用するステップとを含み、選択成長工程は横方向エピタキシャル・オーバーグロス （ＬＥＯ）法、側壁利用の横方向エピタキシャル・オーバーグロス （ＳＬＥＯ）法、カンチレバー・エピタキシー法あるいはナノマスキング法による窒化物材料の横方向成長を含むことを特徴とする。
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【課題】結晶欠陥密度が低く、しかも、ピエゾ自発分極が生じ難いＧａＮ系化合物半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系化合物半導体層の形成方法は、（Ａ）サファイア基板１０のＲ面上に、ＧａＮ系化合物半導体から成り、離間したシード層１１を複数形成した後、（Ｂ）頂面が、Ａ面であり、且つ、サファイア基板１０のＲ面に対して略平行な状態にあるＧａＮ系化合物半導体層１２，１４を、各シード層１１から横方向エピタキシャル成長させ、次いで、（Ｃ）ＧａＮ系化合物半導体層１２，１４の頂面１４Ａを研磨して、サファイア基板１０のＲ面に対して傾斜した状態とする工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】
Ｐを含有する半導体層とＡｓを含有する半導体層とのヘテロ接合を有する化合物半導体エピタキシャル基板であって、特性のばらつきの少ない化合物半導体素子を与える化合物半導体エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
Ｖ族原子としてＰを含む半導体層および、該半導体層の直上に接合され、かつＶ族原子としてＡｓを含む半導体層を有する化合物半導体エピタキシャル基板において、７７Ｋフォトルミネッセンス測定におけるスペクトルのうち、設計上のいずれの層のバンドギャップにも対応せず、かつピーク位置が波長８３０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であるピークの強度が、基板に由来するピークの強度の２倍以下であることを特徴とする化合物半導体エピタキシャル基板。 （もっと読む）

少なくとも一つの半導体装置を製作する方法であって、リチウムアルミネートを有する犠牲成長基板を提供するステップと、前記犠牲成長基板に隣接して、ＩＩＩ族の窒化物を有する少なくとも一層の半導体層を形成するステップと、前記犠牲成長基板とは反対の側に、前記少なくとも一層の半導体層と隣接して取付基板を設置するステップと、前記犠牲成長基板を除去するステップと、を有する方法を示した。さらに当該方法は、前記取付基板とは反対の側の、前記少なくとも一層の半導体層の表面に、少なくとも一つの接続部を設置するステップ、あるいは、前記取付基板および少なくとも一層の半導体層を、複数の個々の半導体装置に分離するステップを有しても良い。当該方法は、さらに個々の半導体装置を含む前記取付基板を、放熱器に接合するステップを有しても良い。前記除去するステップは、前記犠牲成長基板を湿式エッチングするステップを有しても良い。
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【課題】 ｐ型伝導層をＣ添加のＩｎＧａＡｓを主成分とする化合物半導体層で構成したエピタキシャル結晶であって、ｐ型伝導層の結晶性及びｐｎ接合の急峻性に優れ、ＨＢＴ等の電子デバイス用基体として有用なエピタキシャル結晶を提供する。
【解決手段】 化合物半導体基板上に、ｐ型不純物として炭素が添加されたＩｎＧａＡｓを主成分とするｐ型伝導層を含む複数のエピタキシャル層が積層された化合物半導体エピタキシャル結晶において、前記ｐ型伝導層がアンチモンを０．５〜１０モル％含有するようにした。 （もっと読む）

【課題】炉内に原料ガスを流して、より短時間にて炉内を高純度化し得る気相成長装置を提供すること。
【解決手段】加熱した基板３上に、III族およびＶ族の原料ガスを、ドーピング原料及びキャリアガスと共に供給し、基板３の成長面に沿って層状に原料ガス６を流し、基板３上に化合物半導体結晶を成長する気相成長装置において、前記原料ガス６を流すガス流路４の他に、該ガス流路４内に乱流ガス１６を導入して成長炉内のガス流を意図的に乱流にするガス導入機構１５（１５ａ、１５ｂ）を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

白熱灯および蛍光灯の代用品としての発光ダイオードなどのためにダイヤモンド基板上に窒化ガリウムデバイスを形成する。一つの実施形態として、少なくとも２つの方法でダイヤモンド上に窒化ガリウムダイオード（もしくは他のデバイス）を形成する。第１の方法は、ダイヤモンド上に窒化ガリウムを成長させ、その窒化ガリウム層にデバイスを設けることを含んでいる。第２の方法は、ダイヤモンド上に窒化ガリウム（デバイスもしくはフィルム）を接合し、接合した窒化ガリウム上にデバイスを設けることをともなっている。これらのデバイスは、白熱光や蛍光よりもかなり効率がよく、他の技術よりも光密度もしくはエネルギー密度がかなり高い。同様の方法および同様の構造により他の窒化ガリウム半導体デバイスをつくることができる。 （もっと読む）

【課題】ファセットＬＥＰＳ法を用いてＧａＮ系結晶を歩留り良く製造する方法を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体結晶がｃ軸配向し得る主面Ｓを有する異種基板１を用い、該主面にドライエッチングにより凹凸加工を施して、段差０．５μｍ以下の段差部で区画された凹部底面１ａと凸部上面１ｂとを有する凹凸面とする。次に、前記凹部底面１ａおよび凸部上面１ｂのそれぞれに、斜めファセット２ｆを側壁面として有する窒化物半導体の結晶単位２を成長させた後、上面が平坦化した結晶層となるように前記結晶単位同士を互いにつなげて成長させ、窒化物半導体結晶層３とし、窒化物半導体結晶を得る。 （もっと読む）

極めて平坦な無極性ａ面ＧａＮ膜をハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）によって成長させる。得られる膜は、種々の成長技術によって素子を順次再成長させるのに適している。
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【課題】 本願発明は、Bi酸化物超電導体を用いて高性能な積層型ジョセフソン接合を得るためには、c軸が基板面に対して平行で、a軸（又はb軸）が基板面に対して垂直に配向したBi系酸化物超電導薄膜を作製することを目的とする。
【解決手段】 a軸配向したBi系酸化物超電導薄膜の作製方法は、Bi系酸化物超電導薄膜の(100) 面と格子定数の整合性の良い（110）面のLaSrAlO₄単結晶基板又は（110）面のLaSrGaO₄単結晶基板を用いてエピタキシャル成長することにある。この方法により、通常得られやすいBi-2212ではなく、Bi系酸化物超電導体でも最も高い超電導転移温度を示すBi-2223のa軸配向膜を選択的に作製することができる。 （もっと読む）

【課題】プレーナドープＨＥＭＴのシートキャリア濃度の面内バラツキを抑えることができる気相成長方法を提供すること。
【解決手段】半導体結晶を成長させる基板３をサセプタ１に保持し、該基板３をサセプタ１に対して自転させ、サセプタ１を加熱し、加熱された基板３上に原料ガス及び希釈用ガスを供給して、プレーナドープ層を有するIII−Ｖ族化合物半導体結晶を成長する気相成長方法において、成長中断を行い不純物単原子をドーピングするプレーナドープ層の成長時間を、基板３が自転で１回転する時間ｔの整数倍とする。 （もっと読む）

【課題】表面にステップバンチングがないエピタキシャルＳｉＣ膜を提供すること。さらにその膜を用いてリーク電流が低く、ＭＯＳ界面の移動度が高いデバイスを提供すること。
【解決手段】 六方晶系結晶構造を有するＳｉＣ基板のオフカット面上で成長させたエピタキシャルＳｉＣ膜であって、前記ＳｉＣ基板のオフカット面が、（０００１）面から０．５°以上１０°以下のオフカット角度を有し、前記オフカット面の結晶方向が、前記ＳｉＣ基板の１２種の等価な＜２１−３０＞方向（［２１−３０］、［−２−１３０］、［２−３１０］、［−２３−１０］、［１２−３０］、［−１−２３０］、［１−３２０］、［−１３−２０］、［−３１２０］、［３−１−２０］、［−３２１０］および［３−２−１０］方向）のいずれかの方向から±７．５°以下のうちの１方向を向いていることを特徴とするエピタキシャルＳｉＣ膜。 （もっと読む）

本発明は、ダイヤモンド担持半導体デバイス（２００）、およびそれを形成するための方法を提供する。１つの局面では、ダイヤモンド層（２０４）のデバイス表面（２１０）のために意図された構成に逆に適合するように構成された界面表面（２１２）を有する型（２２０）が提供される。次いで、無力なダイヤモンド層（２０４）が、型（２２０）のダイヤモンド界面表面（２１２）の上に堆積され、基材（２０２）が無力なダイヤモンド層（２０４）の成長表面（２２２）に接合される。次いで、型（２２０）の少なくとも一部が取り除かれ、型のダイヤモンド界面表面の構成に逆に対応する形状を受けた、ダイヤモンドのデバイス表面（２１０）が露出される。型（２２０）は、最終のデバイスを製造するために薄くされる適切な半導体材料から形成され得る。必要に応じて、半導体材料が、型（２２０）の除去のあと、ダイヤモンド層（２０４）に結合され得る。
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マイクロエレクトロニック構造を形成する方法が記述される。それらの方法は、基板上にダイヤモンド層を形成し、そこではダイヤモンド層の一部が欠陥を含み、その後、ダイヤモンド層から欠陥を除去することによってダイヤモンド層内に空孔を形成する。 （もっと読む）

半絶縁ＩＩＩ族窒化物層および半絶縁ＩＩＩ族窒化物層の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物層を浅い準位のｐ型ドーパントでドーピングすること、およびＩＩＩ族窒化物層を、例えば深い準位の遷移金属ドーパントなどの深い準位のドーパントでドーピングすることを有する。このような層および／または方法はまた、ＩＩＩ族窒化物層をおよそ１×１０^１７ｃｍ^−３よりも小さい濃度を有する浅い準位のドーパントでドーピングすること、およびＩＩＩ族窒化物層を深い準位の遷移金属ドーパントでドーピングすることを有する。深い準位のドーパントの濃度は、浅い準位のｐ型ドーパントの濃度よりも大きい。
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基板が堆積チャンバー内に配置される。基板上にケイ素を含む第一の種の単層を化学吸着させるのに有効な条件で、チャンバーにトリメチルシランを流し、チャンバーに第一の不活性ガスを流す。第一の不活性ガスは第一の流量で流す。第一の種の単層を形成した後、酸化剤と化学吸着された第一の種とが反応し、基板上に二酸化ケイ素含有単層を形成するのに有効な条件で、チャンバーに酸化剤を流し、チャンバーに第二の不活性ガスを流す。第二の不活性ガス流は第一の流量未満である第二の流量を有する。基板上に二酸化ケイ素含有層を形成するのに有効となるように（ａ）トリメチルシラン及び第一の不活性ガス流及び（ｂ）酸化剤及び第二の不活性ガス流を連続的に繰り返す。他の態様や特徴が企図される。 （もっと読む）