【課題】真空蒸着で蛍光体層を形成する平面放射線画像検出器の製造において、蒸着開始面における異物等の付着が無い蛍光体層の形成を可能とする製造方法を提供する。
【解決手段】蒸発源からの成膜材料蒸気を遮蔽するシャッタとして、成膜材料の拡散にシャッタの移動誤差を加味たサイズよりも所定サイズ大きなシャッタを用い、かつ、成膜材料の温度が融点＋１０℃となった時点から全成膜材料の蒸発に係る時間Ｔに応じて、成膜材料が前記温度となった時点から、０．１Ｔ以降に蒸着を開始して、０．９Ｔ以前に蒸着を終了することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】蛍光体層に亀裂の発生がなく、断裁が容易で、画質も向上し、生産性の良好な放射線画像変換パネル、その製造方法及びカセッテの提供。
【解決手段】支持体上に、少なくとも１層の柱状結晶構造を有する蛍光体層が形成されている放射線画像変換パネルにおいて、該支持体の表面に該蛍光体層が形成されていない領域が、該支持体の端部より０．５ｍｍ以内であることを特徴とする放射線画像変換パネル。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子からの４３０〜４８０ｎｍの範囲の光によって高効率で安定に発光する窒化物蛍光体および酸窒化物蛍光体、これらの蛍光体の製造方法、ならびに、高効率で特性の安定した発光装置を提供する。
【解決手段】一般式（Ａ）：Ｅｕ_aＳｉ_bＡｌ_cＯ_dＮ_eで実質的に表される、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活酸窒化物蛍光体、一般式（Ｂ）：ＭＩ_fＥｕ_gＳｉ_hＡｌ_kＯ_mＮ_nで実質的に表され、、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活酸窒化物蛍光体、または、一般式（Ｃ）：(ＭＩＩ_1-pＥｕ_p)ＭＩＩＩＳｉＮ₃で実質的に表され、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活窒化物蛍光体、これらの蛍光体の製造方法、ならびに、これらの蛍光体を用いた発光装置。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子からの４３０〜４８０ｎｍの範囲の光によって高効率で安定に発光する窒化物蛍光体および酸窒化物蛍光体、ならびに、これらの蛍光体を用いた、高効率で特性の安定した発光装置を提供する。
【解決手段】一般式（Ａ）：Ｅｕ_aＳｉ_bＡｌ_cＯ_dＮ_eで実質的に表される、Ｆｅの含有率が２０ｐｐｍ以下、かつ、Ｍｎの含有率が１０ｐｐｍ以下である２価のユーロピウム付活酸窒化物蛍光体、一般式（Ｂ）：ＭＩ_fＥｕ_gＳｉ_hＡｌ_kＯ_mＮ_nで実質的に表され、Ｆｅの含有率が２０ｐｐｍ以下、かつ、Ｍｎの含有率が１０ｐｐｍ以下である２価のユーロピウム付活酸窒化物蛍光体、または、一般式（Ｃ）：(ＭＩＩ_1-pＥｕ_p)ＭＩＩＩＳｉＮ₃で実質的に表され、Ｆｅの含有率が１０ｐｐｍ以下、かつ、Ｍｎの含有率が５ｐｐｍ以下である２価のユーロピウム付活窒化物蛍光体、ならびに、これらの蛍光体を用いた発光装置。 （もっと読む）

【課題】高輝度、高鮮鋭性、且つ、耐久性に優れた放射線像変換パネル及び放射線像変換パネルの製造方法の提供。
【解決手段】支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、少なくとも一層の該輝尽性蛍光体層が、下記一般式（１）で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有し、該輝尽性蛍光体層が気相成長法（気相堆積法ともいう）により５０μｍ〜２０ｍｍの膜厚を有するように形成され、且つ、輝尽性蛍光体層の蛍光体の平均結晶サイズが９０ｎｍ〜１０００ｎｍであることを特徴とする放射線画像変換パネル。
一般式（１） Ｍ¹Ｘ・ａＭ²Ｘ′₂・ｂＭ³Ｘ″₃：ｅＡ （もっと読む）

【課題】蛍光体層とその下層のセンサーパネルとの密着力を強化し、かつ、放射線検出器としての感度低下を極力抑えた、放射線検出器およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】放射線検出器３０は、支持基板３２に２次元的に配列された光電変換手段３４を有するセンサーパネルＳ上に、蛍光体層４２の発光光波長に対して透明で、付活剤を含まず実質的に蛍光体母体のみからなる下地層４０と、この下地層４０上に、放射線の入射で発光する付活剤を含む蛍光体層４２、および保護層で構成する。下地層４０，蛍光体層４２，保護層をこの順にセンサーパネルＳ上に形成する。 （もっと読む）

【課題】生産適正に優れ、シンチレータの発光取り出し効率、鮮鋭性が高く、平面受光素子面間での鮮鋭性の劣化が少ないシンチレータプレート、シンチレータパネル及びそれらを用いた放射線フラットパネルディテクターを提供する。
【解決手段】耐熱性樹脂基板１０１ａ上に防蝕性反射層１０１ｃ及びシンチレータ層１０１ｂを設けて成るシンチレータプレート１０１と、封止部１０３で封止される第１保護フィルム１０２ａと第２保護フィルム１０２ｂとでシンチレータパネル１ａを構成する。シンチレータ層１０１ｂの全面には空隙部１０８を設けているので、第１保護フィルム１０２ａとは実質的には接着されていない。シンチレータパネル１ａを放射線フラットパネルディテクターの構成要素とするとき、シンチレータプレート１０１を平面受光素子面と物理化学的に接着させないで用いることができる。 （もっと読む）

【課題】生産適正に優れ、シンチレータの発光取り出し効率、鮮鋭性が高く、平面受光素子面間での鮮鋭性の劣化が少ないシンチレータプレート、シンチレータパネル及びそれらを用いた放射線フラットパネルディテクターを提供する。
【解決手段】耐熱性樹脂基板１０１ａ上に反射層１０１ｃと防蝕性反射層１０１ｄ及びシンチレータ層１０１ｂをこの順に設けて成るシンチレータプレート１０１と、封支部１０３で封止される第１保護フィルム１０２ａおよび第２保護フィルム１０２Ｂとでシンチレータパネル１ａを構成する。シンチレータ層１０１ｂの全面には空隙部１０８を設けるので、第１保護フィルム１０２ａとは実質的に接着されていない。シンチレータパネル１ａを放射線フラットパネルディテクターの構成要素とするとき、シンチレータプレート１０１は、平面受光素子面とは物理化学的に接着させないで用いることができる。 （もっと読む）

【課題】基板フィルムの熱収縮による変形やシンチレータの柱状結晶性低下及び剥がれの発生がなく、発光効率及び発光取り出し効率の高いシンチレータパネルであって、かつ該シンチレータパネルと平面受光素子面の均一接触が可能で、シンチレータパネル面−平面受光素子面間での鮮鋭性の劣化が少ないシンチレータパネルを提供する。
【解決手段】高分子フィルム上にシンチレータの原料の蒸着により形成されたシンチレータ層を有するシンチレータパネルであって、該蒸着後に該高分子フィルムのガラス転移温度を基準として−５０℃〜＋２０℃の温度範囲の雰囲気下で１時間以上の熱処理されたことを特徴とするシンチレータパネル。 （もっと読む）

【課題】シンチレータの発光取り出し効率、鮮鋭性が高く、平面受光素子面間での鮮鋭性の劣化が少ないシンチレータパネルを提供する。
【解決手段】基板１上に反射層３及びシンチレータ層２を設けて成るシンチレータパネル１０であって、該反射層３とシンチレータ層２の間に極大吸収波長が５６０〜６５０ｎｍである光吸収層４を有する。光吸収層４は顔料もしくは染料等、有機系または無機系の着色剤を含有させ、厚さは鮮鋭性および発光光取りだし効率の観点で０．２〜２．５μｍが選択される。 （もっと読む）

【課題】放射線ビームの位置や範囲を、明室下で目視により、明瞭かつ正確に短時間で確認する方法に用いられる簡便な放射線感応シートを提供する。
【解決手段】放射線感応シート１０ａ・１０ｂは、ハロゲン基とアセタール基との少なくともいずれかの基及び水酸基を有する高分子化合物と、呈色性の電子供与体有機化合物と、電子供与体有機化合物を呈色させる活性種生成有機化合物と、放射線吸収剤及び／又は放射線蛍光剤とが含まれた放射線呈色性組成物、又はポリアセチレン化合物とジアリールエテン化合物との少なくともいずれかが含まれた放射線呈色性組成物が、基材表面の少なくとも一部に付されており、放射線ビーム１の通過ライン上に載置される放射線感応シートであって、前記放射線ビーム１によって呈色する前記放射線呈色性組成物が、確認すべき前記放射線ビーム１の位置及び／又は範囲に応じ、それより広範囲に、前記基材表面へ付されている。 （もっと読む）

【課題】像形成に影響を与えることなく光反射層から反射した光を制限し反射光量に面内分布を持たせ、シンチレータ層である蛍光体層に起因するMTFの面内分布を改善する。
【解決手段】放射線を光に変換するシンチレータ層２と、シンチレータ層２からの光を反射する反射層４と、光を電気信号に変換する複数の光電変換素子を有する光検出器センサ基板１からなる放射線検出装置において、反射層４から反射した光を制限し、反射光量に面内分布を持たせる反射光制限手段としての光吸収層５を設けた。反射光制限手段としての光吸収層５は、シンチレータ層に光照射強度に面内分布を持つ光源により表面処理されて形成されている。 （もっと読む）

【課題】気相堆積法によって形成された蛍光体層を有する放射線像変換パネルであって、蛍光体の遊離元素に起因する着色の無い、高感度な放射線像変換パネルおよび製造方法を提供する。
【解決手段】気相堆積法によって蛍光体層を形成した後に、蛍光体層を加熱する熱処理を複数回行い、かつ、最後の１回の熱処理は酸素存在したにおける所定の条件で行なうことにより、もしくは、気相堆積法によって蛍光体層を形成した後に、蛍光体層に所定量の水分を吸収させる加湿処理を行い、その後、蛍光体層の熱処理を行なうことにより、前記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】膜厚を減じることなく発光量が最大となるような最適な付活剤の厚さ方向の濃度分布を提案し、同時にMTF特性を向上させる。
【解決手段】基板上に光を電気信号に変換する複数の光電変換素子を有する光検出器と、該光検出器上に形成されたシンチレータ層２とを有し、該シンチレータ層２の前記光検出器とは反対の面側から放射線が入射され、光検出器側から光が出射される放射線検出装置であって、前記シンチレータ層２は、柱状結晶体の集合体からなり、付活剤の濃度が放射線の入射側で高く、光検出器側で低い。シンチレータ層２は、付活剤の濃度が段階的又は漸進的に放射線の入射側で高く、光検出器側で低い。 （もっと読む）

【課題】 貯蔵燐光体プレートの読み出し後に検出された信号と相互作用する望ましくない放出によって起こりうる像品質の損失を避けるために貯蔵燐光体スクリーンにおいてＣｓＢｒ：Ｅｕ型の結合剤のない針状光刺激性燐光体を完全に消去する。
【解決手段】 ＣｓＢｒ：Ｅｕ型の結合剤のない針状光刺激性又は貯蔵燐光体スクリーンに前記スクリーンのＸ線露光後に貯蔵された放射線像を読み出す方法であって、下記工程を含む：（１）１０００ｎｍ〜１５５０ｎｍの波長範囲の赤外放射線に前記スクリーンを露光することによって熱的に刺激可能なエネルギーを消去し；（２）５５０〜８５０ｎｍの範囲の刺激放射線によって前記燐光体スクリーンを刺激し；（３）刺激時に燐光体スクリーンによって放出された光を検出し、検出された光を前記放射線像の信号表示に変換し；（４）３００ｎｍ〜１５００ｎｍの波長範囲の消去光に前記燐光体スクリーンを露光することによって前記燐光体スクリーンを消去する。 （もっと読む）

【課題】 蒸着された放射線像貯蔵燐光体パネルを再現可能な方法で製造するための方法を提供する。
【解決手段】 支持体上に放射線像貯蔵燐光体層を製造する方法であって、前記方法が蒸着装置において一つ以上の抵抗加熱されたるつぼから結合剤のない貯蔵燐光体層の蒸着を確実にするためにアルカリ金属ハロゲン化物塩及びランタノイドドーパント塩又はそれらの組み合わせの原材料を蒸着する工程を含み、一つ以上のシャッターが前記るつぼと前記支持体の間に位置されている方法において、前記蒸着工程がシャッターを開放している間に開始するとき、追加の加熱が適用されるとき、蒸着される支持体の側とは反対の支持体の後側の支持体の近くに位置された熱電対によって測定及び記録される開始温度が１００℃以上、２５０℃未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
頻繁に再使用されるとき全寿命にわたってほぼ一定のスピードを有する蒸着された放射線像貯蔵燐光体パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】
放射線像貯蔵燐光体プレート又はパネルの製造方法であって、前記プレート又はパネルが貯蔵燐光体層を含み、放射線像貯蔵又は光刺激性燐光体が主成分としてのアルカリ金属ハロゲン化物塩及びドーパントとしてのランタノイドを有する燐光体である方法において、その製造後で顧客によって使用される前に、前記パネルが１〜１０Ｇｙの範囲の吸収されたＸ線量を得るためにその全表面積にわたってＸ線で均一に露光されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】蛍光体膜18の機械的強度および耐湿性などの信頼性を向上でき、小形化、薄形化できる放射線検出装置11を提供する。
【解決手段】放射線検出装置11は、放射線を光に変換する蛍光体膜を有する蛍光体膜部12と、蛍光体膜部12で変換した光を電気信号に変換する光電変換素子部13とを備える。蛍光体膜18は、膜面方向に複数の柱状結晶17を形成した柱状結晶17の集合体であり、かつ膜面方向に隣り合う柱状結晶17が界面を介して隙間なく接触して結合する。蛍光体膜18の機械的強度および耐湿性などの信頼性が向上する。蛍光体膜18の機械的強度が向上するため、蛍光体膜18を保持する基板16を省略したり、基板16の小形化、薄形化し、放射線検出装置11を小形化、薄形化する。 （もっと読む）

【課題】 ３７０ｎｍ〜４６０ｎｍに発光ピークを有する光で励起されて発光する蛍光体を提供する。
【解決手段】 主結晶相と付活剤とを含有する単一組成の物質からなる蛍光体である。３７０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の領域に発光ピークを有する光で励起した際、５４０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域における狭帯域発光スペクトルと、５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長領域における広帯域発光スペクトルとを示すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、設備投資費や原材料費に対して十分に発光機能を発揮し、かつ、原材料の使用効率も高いシンチレータプレートの製造方法を提供することにある。
【解決手段】蛍光体原料を水に分散させてスラリーを調製する調製工程と、
前記調製工程後に、前記スラリーを樹脂基板に塗設して前記樹脂基板を冷却し、前記スラリーを凍結させる凍結工程と、
前記凍結工程後に、前記スラリーを真空凍結乾燥させる凍結乾燥工程と、
前記凍結乾燥工程後に、前記スラリーを加熱する加熱工程と、
から蛍光体層を作製してなるシンチレータプレートの製造方法において、
前記樹脂基板の樹脂のガラス転移点が１５０〜４００℃であることを特徴とするシンチレータプレートの製造方法。 （もっと読む）