【課題】不純物としてハロゲンを含むアミンアランから、半導体産業においてＣＶＤ等への適用が可能となる程度まで、ハロゲンを除去するための方法を提供すること。
【解決手段】不純物としてハロゲンを含有するアランのアミン付加化合物（アミンアラン：一般式ＡｌＨ３（ＮＲ１Ｒ２Ｒ３）ｎ［ｎ＝１または２］で表され、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３がアルキル基である）と金属水素化物（特にアルカリ金属の水素化物が好ましい）とを接触させることで、アミンアランを精製する。 （もっと読む）

【課題】不斉合成に有用な遷移金属触媒の配位子であるホスフィノビナフチルの有用な合成中間体を提供する。
【解決手段】下式で表されるホスフィンーボラン錯体またはその塩。


〔式中、R3’、R5’、R6’およびR8’はそれぞれ水素原子、低級アルキル基または低級アルコキシ基を、R4’およびR7’はそれぞれ水素原子、フッ素原子、塩素原子、C2-6アルキル基、低級アルコキシ基、モノ低級アルキルアミノ基またはジ低級アルキルアミノ基を示す（R3’とR4’およびR7’とR8’は低級アルキレンジオキシ基を形成してもよい）〕 （もっと読む）

【課題】中心元素にオリゴエーテル基が結合した構造のアニオンとリチウムイオンとの塩であって、より有用性の高いリチウム塩を提供すること。
【解決手段】下記式（１）：
ＬｉＭ（ＯＹ）_n（Ｎ（ＣＯＲ^X）₂）_4-n ・・・（１）；
で表されるリチウム塩が提供される。ここで、ｎは１〜３である。Ｍは周期表１３族に属する元素（例えばＡｌ，Ｂ）である。Ｙはオリゴエーテル基である。Ｒ^Xは炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基（例えば、トリフルオロメチル基）である。 （もっと読む）

【課題】 安定性が大幅に改善され、即ち、予め大量生産していても問題が少なく、そして成膜した場合には、Ａｌ系膜が均一に形成され、特に穴や溝の底面部にも、均一にＡｌ系膜が形成される技術を提供することである。
【解決手段】 下記の一般式［Ｉ］で表される化合物。
一般式［Ｉ］
ＣＨ_３ＡｌＨ_２：Ｌ
［但し、一般式［Ｉ］中、Ｌはアルキルアミンである。］ （もっと読む）

本発明は、式Ｈ_３Ａｌ：Ｌｎで表される有機金属化合物の調製方法に関するもので、式中、Ｌは、非共有電子対をアルミニウムに提供できる１個よりも多いＬｅｗｉｓ塩基であり、ｎが１または２であり、前記方法は、（ａ）エーテル溶媒中でアルカリ金属アルミニウムヒドリドとＬｅｗｉｓ塩基の第１溶液を形成する段階と、（ｂ）前記有機金属化合物を含む第２溶液を生成するのに十分な反応条件下で、前記第１溶液にエーテル溶媒中アルミニウムヒドリドを添加する段階と、（ｃ）前記第２溶液から前記有機金属化合物を分離する段階を含む。有機金属化合物前駆体は、薄膜蒸着層用の化学気相成長前駆体または原子層堆積前駆体として、半導体用途に有用である。 （もっと読む）

本発明は、遷移金属原子、化学的または生物学的物質が遷移金属原子に付着することを可能とするための反応性部分、安定化架橋としての不活性三座配位子部分、およびマーカを含む標識遷移金属錯体に関する。本発明はまた、標識遷移金属錯体に付着する化学的または生物学的物質を含む標識化学的または生物学的物質、物質の質量分析を容易にするために物質の分子量の規定推移を創出するための錯体の使用、質量分析によって化学的または生物学的物質を区別可能にする方法および化学的または生物学的物質の質量分析方法に関する。さらに、本発明はまた少なくとも２つの異なる分子量の遷移金属錯体のセット、異なる安定同位体を含有する遷移金属錯体、本発明の方法によって得られる化学的または生物学的物質ならびに本発明の使用および／または方法を支持する部品のキットに関する。 （もっと読む）