式（II）：
【化１】


で表されるリガンド出発化合物を、式（III）：
【化２】


で表される遷移金属化合物と反応させる工程を含む、メソ−選択的に、式（Ｉ）：
【化３】


で表されるアンサ−メタロセン錯体を製造する方法であり、且つ
上記式（Ｉ）、(II)及び（III）において、
Ｒ¹、Ｒ^1'が、同一でも異なっていても良く、それぞれ水素又は炭素原子数１〜４０個の有機基を表し、
Ｒ²、Ｒ^2'が、同一でも異なっていても良く、それぞれ水素又は炭素原子数１〜４０個の有機基を表し、
Ｒ³が、少なくとも３個の炭素原子を有する嵩高い有機基であり、非芳香族性の炭素原子又はケイ素原子を介して酸素原子に結合し、そしてハロゲン原子又は炭素原子数１〜２０個の別の有機基で置換されていてもよく、そしてさらにＳｉ、Ｎ、Ｐ、Ｏ及びＳから選択されるヘテロ原子を含んでいても良く、
Ｔ、Ｔ’が、同一でも異なっていても良く、それぞれ１〜４０個の炭素原子を有し、シクロペンタジエニル環と共に少なくとも１個の別の飽和又は不飽和の環を形成する２価の有機基を表し、飽和又は不飽和の環は５〜１２原子の環員を有し、且つＴ、Ｔ’は、シクロペンタジエニル環との縮合環の中にＳｉ、Ｇｅ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅを含んでいても良く、
Ａが、２価の原子又は２価の基から構成される架橋基を表し、
Ｍ¹が、元素周期表の第３、４、５又は６族の元素、或いはランタニド元素を表し、
基Ｘが、同一でも異なっていても良く、それぞれシクロペンタジエニルアニオンにより置換可能な有機基又は無機基を表し、
ｘが、１〜４の自然数を表し、
Ｍ²が、アルカリ金属、アルカリ土類金属又はマグネシウムモノハライドの一部を表し、
ｐが、電荷が＋２の金属の場合は１を表し、或いは電荷が＋１の金属又は金属イオンの一部の場合は２を表し
ＬＢが、非電荷のルイス塩基リガンドを表し、そして
ｙが、０〜６の自然数を表す、
ことを特徴とする方法に関し、そしてこのような錯体を反応させて式(IV)で表されるアンサ−メタロセンを形成するこのような錯体の次の反応、メタロセンを製造するために式（III）の遷移金属化合物の使用する方法及び式（III）の遷移金属化合物、式（Ｉ）のアンサ−メタロセン錯体、及び式(Ｉ)のメタロセン錯体をオレフィンの重合のための触媒組成物の構成成分として使用する方法、に関する。 （もっと読む）

向上した収率及び高い立体選択性を有する、ネオプテリン及び／又は６−置換プテリンからテトラヒドロビオプテリンを製造する方法。また、本明細書の開示は、テトラヒドロビオプテリンの製造に有用な、選択的に保護されたネオプテリン等の、テトラヒドロビオプテリンの製造における新規な個々の中間体である。 （もっと読む）

本発明は半導体または電気回路での低いｋ誘電性フィルムの製造方法に関し、前記方法は、一般式［（Ｒ_ａＸ_ｂＳｉＯ_１．５）_ｍ（Ｒ_ｃＹ_ｄＳｉＯ）_ｎ］（式中、ａ、ｂは０〜１であり、ｃ、ｄは１であり、ｍ＋ｎは３以上であり、ａ＋ｂは１であり、ｎ、ｍは１以上であり、Ｒは水素原子またはアルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、シクロアルキニル、アリールまたはヘテロアリール基であり、それぞれ置換されているかまたは置換されてなく、Ｘはオキシ、ヒドロキシル、アルコキシ、カルボキシル、シリル、シリルオキシ、ハロゲン、エポキシ。エステル、フルオロアルキル、イソシアネート、アクリレート、メタクリレート、ニトリル、アミノまたはホスフィン基であり、またはタイプＸの少なくとも１つの前記基を有するタイプＲの置換基であり、Ｙはヒドロキシル、アルコキシまたはタイプＯ−ＳｉＺ_１Ｚ_２Ｚ_３の置換基であり、Ｚ_１、Ｚ_２およびＺ_３はフルオロアルキル、アルコキシ、シリルオキシ、エポキシ、エステル、アクリレート、メタクリレートまたはニトリル基であり、またはタイプＲの置換基であり、同じかまたは異なり、タイプＲの置換基が同じかまたは異なるだけでなく、タイプＸおよびＹの置換基もそれぞれ同じかまたは異なり、タイプＹの置換基として少なくとも１個のヒドロキシル基を有する）の不完全に縮合した多面体のオリゴマーシルセスキオキサンをフィルムの製造のために使用することを特徴とし、更にこの方法により製造される低いｋ誘電性フィルムに関する。 （もっと読む）