本発明の主題は、一般式ＩＩＩ
（ＳｉＯ_4/2）_k（Ｒ¹ＳｉＯ_3/2）_m（Ｒ¹₂ＳｉＯ_2/2）_p（Ｒ¹₃ＳｉＯ_1/2）_q［Ｏ_1/2ＳｉＲ¹₂−Ｒ−ＮＨ₂］_s［Ｏ_1/2］_t （ＩＩＩ）
のアミノ官能性オルガノシロキサンの連続的製造方法であり、その際、一般式ＩＶ
（ＳｉＯ_4/2）_k（Ｒ¹ＳｉＯ_3/2）_m（Ｒ¹₂ＳｉＯ_2/2）_p（Ｒ¹₃ＳｉＯ_1/2）_q［Ｏ_1/2］_r （ＩＶ）
のオルガノシロキサンを、一般式Ｖの環状シラザンと反応させ、その際、一般式Ｖのシラザンと一般式ＩＶのオルガノシロキサンとを連続的に反応器に供給し、そこで混合し、相互に反応させ、引き続き反応領域から取り出し、その際、Ｒ、Ｒ^x、Ｒ¹、Ｒ²、ｅ、ｓ、ｔ、ｒ、ｋ、ｍ、ｐ及びｑは請求項１の意味を表す。
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少なくとも一つの複素環を有し、プロトン交換膜（ＰＥＭ）の製造に使用できるポリマー、ポリマー先駆体及び他の材料を記載する。代表的な例において、該複素環はフッ素化されたイミダゾール環である。該複素環は低い値のｐＫａを有するために選択でき、及びトリアゾール環、他の窒素含有複素環又はこれらの誘導体であってもよい。ポリマー及び複合物が優秀なプロトンで伝導性をもって調製された。これら材料の適用は、燃料電池及び他のイオン伝導性用途を含む。 （もっと読む）

基材上に改良された被膜を形成させる方法を提供しようとするものであり、特に、基材上に、１．２８〜１．３８の屈折率と９０〜１１５度の水接触角を示し、かつ当該基材の表面に密着して形成された被膜を提供する。
Ｓｉ（ＯＲ）₄で示される珪素化合物（Ａ）と、（Ｒ¹Ｏ）₃ＳｉＣＨ₂ＣＨ₂（ＣＦ₂）_nＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＲ¹）₃で示される珪素化合物（Ｂ）と、Ｒ²ＣＨ₂ＯＨで示されるアルコール（Ｃ）と、蓚酸（Ｄ）とを特定比率に含有する反応混合物を水の不存在下に５０〜１８０℃で加熱することにより、ポリシロキサンの溶液を生成させ、当該溶液を含有する塗布液を基材表面に塗布し、その塗膜を８０〜４５０℃で熱硬化させることにより当該基材表面に密着して形成され、１．２８〜１．３８の屈折率と９０〜１１５度の水接触角を示す被膜、その被膜の形成方法及びその塗布液の製造方法。 （もっと読む）

水性シリコーンエマルジョンは、水の蒸発で樹脂強化エラストマーフィルムを形成する。エマルジョン組成物は、(i)線状ヒドロキシ末端ポリジオルガノシロキサン、(ii)シリコーンMQ樹脂、および(iii)有機官能性ポリシロキサン、から構成されるシリコーン混合物からなる分散相を含む。水性シリコーンエマルジョンは、成分、(i)から(iii)を混合し、混合物を形成し、混合物に乳化剤および水を添加し、成分を混合して水性ベースエマルジョンを得、架橋を促進するために、ベースエマルジョンのpHを酸性または塩基性pHに調整し、引き続いてエマルジョンを中和することによって調製される。エラストマーフィルムは、エマルジョンを基体上で周囲条件で乾燥させることによって得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ロール・トゥ・ロールプロセスでの使用に適応した高温安定性の平坦化フレキシブル誘電基板及びそれに用いる誘電被膜を提供すること。
【解決手段】式：［Ｒ_xＳｉＯ_(4-x)/2］_n（ここで、ｘ＝１〜４、Ｒはメチル、フェニル、ヒドリド、ヒドロキシ、アルコキシ又はこれらの組み合わせ（ただし、１＜ｘ＜４）で表されるシリコーン組成物を含む、導電性基板上に用いられる誘電被膜である。Ｒはまた、アルキル又はアリール基、アリールエーテル、アルキルエーテル、アリルアミド、アリールアミド、アルキルアミノ及びアリールアミノラジカルから独立して選ばれた他の１価ラジカルからなる。誘電被膜は網目構造を有する。光起電基板がまた開示され、その表面上に誘電被膜が設けられた導電性材料を含む。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１種の架橋性線状ポリオルガノポリシロキサンＰＯＳ、無機充填剤及び架橋触媒を含み、湿分の不在下において貯蔵安定性であり、水の存在下で架橋してエラストマーになる１成分型ポリオルガノシロキサン（ＰＯＳ）組成物であって、
前記ＰＯＳが非ヒドロキシル化官能化末端、特にアルコキシ、オキシム、アシル及び／又はエノキシタイプ、好ましくはアルコキシタイプの末端を有すること、
該組成物がヒドロキシル化末端を有するＰＯＳを本質的に含まないこと、並びに
前記触媒がバナジウム化合物であること
を特徴とする、前記組成物に関する。本発明はまた、硬化架橋したエラストマー状マスチックにも関する。 （もっと読む）

本発明は半導体または電気回路での低いｋ誘電性フィルムの製造方法に関し、前記方法は、一般式［（Ｒ_ａＸ_ｂＳｉＯ_１．５）_ｍ（Ｒ_ｃＹ_ｄＳｉＯ）_ｎ］（式中、ａ、ｂは０〜１であり、ｃ、ｄは１であり、ｍ＋ｎは３以上であり、ａ＋ｂは１であり、ｎ、ｍは１以上であり、Ｒは水素原子またはアルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、シクロアルキニル、アリールまたはヘテロアリール基であり、それぞれ置換されているかまたは置換されてなく、Ｘはオキシ、ヒドロキシル、アルコキシ、カルボキシル、シリル、シリルオキシ、ハロゲン、エポキシ。エステル、フルオロアルキル、イソシアネート、アクリレート、メタクリレート、ニトリル、アミノまたはホスフィン基であり、またはタイプＸの少なくとも１つの前記基を有するタイプＲの置換基であり、Ｙはヒドロキシル、アルコキシまたはタイプＯ−ＳｉＺ_１Ｚ_２Ｚ_３の置換基であり、Ｚ_１、Ｚ_２およびＺ_３はフルオロアルキル、アルコキシ、シリルオキシ、エポキシ、エステル、アクリレート、メタクリレートまたはニトリル基であり、またはタイプＲの置換基であり、同じかまたは異なり、タイプＲの置換基が同じかまたは異なるだけでなく、タイプＸおよびＹの置換基もそれぞれ同じかまたは異なり、タイプＹの置換基として少なくとも１個のヒドロキシル基を有する）の不完全に縮合した多面体のオリゴマーシルセスキオキサンをフィルムの製造のために使用することを特徴とし、更にこの方法により製造される低いｋ誘電性フィルムに関する。 （もっと読む）